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会计学1第一页，共46页。第1页/共46页第二页，共46页。第2页/共46页第三页，共46页。第3页/共46页第四页，共46页。CVD 反应室Substrate连续膜 8) 副产物 去除 1) 反应物的质量传输副产物 2) 薄膜先驱 物反应 3) 气体分 子扩散 4) 先驱物 的吸附 5) 先驱物扩散 到衬底中 6) 表面反应 7) 副产物的解 吸附作用排气气体传送第4页/共46页第五页，共46页。速度梯度，沿垂直速度梯度，沿垂直Si表面存在表面存在速度梯度的流体；速度梯度的流体；第5页/共46页第六页，共46页。Re= UL /,称为雷诺数称为雷诺数(无量纲无量纲),表示表示(biosh)流体惯性力与黏滞力之比流体惯性力与黏滞力之比雷诺数取值：雷诺数取值：2000，湍流型（要，湍流型（要尽量防止）。尽量防止）。2/1032)(1LULLdxxLRe32L第6页/共46页第七页，共46页。第7页/共46页第八页，共46页。n流密度为：流密度为： F2=ksCsn平衡状态下，平衡状态下，F1=F2 (= F)，则，则n Cs = Cg/(1+ks/hg)第8页/共46页第九页，共46页。第9页/共46页第十页，共46页。第10页/共46页第十一页，共46页。第11页/共46页第十二页，共46页。第12页/共46页第十三页，共46页。Re23LDDgg第13页/共46页第十四页，共46页。第14页/共46页第十五页，共46页。第15页/共46页第十六页，共46页。n温度控制及测量系统温度控制及测量系统第16页/共46页第十七页，共46页。第17页/共46页第十八页，共46页。第18页/共46页第十九页，共46页。第19页/共46页第二十页，共46页。第20页/共46页第二十一页，共46页。第21页/共46页第二十二页，共46页。第22页/共46页第二十三页，共46页。第23页/共46页第二十四页，共46页。第24页/共46页第二十五页，共46页。性好；台阶覆盖好；电学特性好；台阶覆盖好；电学特性好；性好；缺点：产量低；缺点：产量低；淀积薄膜：金属化后的钝化膜淀积薄膜：金属化后的钝化膜（ Si3N4 ）；多层布）；多层布线的介质膜（线的介质膜（ Si3N4 、SiO2）。）。第25页/共46页第二十六页，共46页。第26页/共46页第二十七页，共46页。第27页/共46页第二十八页，共46页。第28页/共46页第二十九页，共46页。第29页/共46页第三十页，共46页。多晶硅淀积之后进行多晶硅淀积之后进行(jnxng)(实际中采用该方法实际中采用该方法)第30页/共46页第三十一页，共46页。第31页/共46页第三十二页，共46页。第32页/共46页第三十三页，共46页。第33页/共46页第三十四页，共46页。第34页/共46页第三十五页，共46页。第35页/共46页第三十六页，共46页。第36页/共46页第三十七页，共46页。第37页/共46页第三十八页，共46页。Si3N4薄膜的特性薄膜的特性(txng)： 扩散掩蔽能力强，尤其对钠、水汽、氧；扩散掩蔽能力强，尤其对钠、水汽、氧； 对底层金属可保形覆盖；对底层金属可保形覆盖； 可作为钝化层的原因可作为钝化层的原因 针孔少；压应力可以很低针孔少；压应力可以很低(PECVD)； 介电常数较大：介电常数较大：(Si3N4=6-9,SiO2=4.2) ,不能作层间的绝缘层。不能作层间的绝缘层。第38页/共46页第三十九页，共46页。第39页/共46页第四十页，共46页。第40页/共46页第四十一页，共46页。第41页/共46页第四十二页，共46页。第42页/共46页第四十三页，共46页。第43页/共46页第四十四页，共46页。工艺条件：增大工艺条件：增大SiH4的流量；的流量；第44页/共46页第四十五页，共46页。第45页/共46页第四十六页，共46页。
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