半导体物理简单名词解释.doc

半导体物理基本名词解释极性半导体：含有离子键成分本征半导体：不含杂质的半导体本征激发：电子从价带跃迁到导带禁带宽度：脱离共价键所需要的最低能量缺陷分类：点缺陷（空位、间隙原子）线缺陷（位错）面缺陷（层错、晶粒间界）弗兰克尔缺陷：空位与间隙成对出现肖特基缺陷：只有空位杂质原子分类：替位式、间隙式施主杂质：释放电子而产生导电电子并形成正电中心受主杂质：接受电子而产生导电空穴并形成负电中心施主能级：被施主杂质束缚的电子的能量状态受主能级：被受主杂质束缚的空穴的能量状态施主杂质电离能：被俘获的电子摆脱束缚成为自由电子所需要的能量受主杂质电离能：被俘获的空穴摆脱束缚从而参与导电所需要的能量N型半导体：主要依靠导带电子导电的半导体P 型半导体：主要依靠价带空穴导电的半导体浅能级杂质：在半导体禁带中产生能级距带边较近的杂质，对载流子浓度和导电类型影响大深能级杂质：施主能级距离导带底远，受主能级距离价带顶远，对载流子复合作用大补偿作用：施主杂志和受主杂质同时存在有相互抵消的作用双性行为：杂质既能表现为施主杂质又能表现为受主杂质（Si在GaAs中）等电子陷阱：等电子杂质因电负性的差将俘获某种载流子而成为带点中心能态密度（状态密度）：单位能量间隔内的状态数目费米分布函数：能量为E的一个量子态被一个电子占据的概率费米能级（化学势）：标志了电子的填充水平简并系统：服从费米统计率的电子系统非简并系统：服从玻尔兹曼统计率的电子系统，重掺杂半导体简并化条件：0-2k0T多数载流子：n型半导体的电子，p型半导体的空穴少数载流子：n型半导体的空穴，p型半导体的电子漂移运动：载流子在外加电场作用下所作的定向运动散射几率：一个电子在单位时间内受到的散射次数平均自由时间：一个电子在连续两次散射之间自由运动的时间平均自由程：一个电子在连续两次散射之间自由运动的路程载流子的主要散射机制：电离杂质散射、晶格振动散射、其他因素（等同能谷间散射、中性杂质、位错）非平衡载流子复合率：单位时间、单位体积内净复合消失的电子-空穴对数准费米能级：非平衡态时，分别就价带和导带中的电子而言，各自处于平衡状态，用来描述对应状态的费米能级。陷阱效应：杂质能级积累非平衡载流子的作用等电子陷阱（杂质）：等电子杂质因电负性的差将俘获某种载流子而成为带点中心直接复合：电子在导带和价带之间的直接跃迁，引起电子与空穴的直接复合间接复合：电子和空穴通过禁带的复合中心进行复合自建电场：掺杂不均匀引起浓度梯度，造成扩散电流形成自建电场丹倍效应：电子和空穴的扩散不同步，使之趋向同步的效应双极扩散：概括了丹倍电场影响的扩散功函数：真空能级与费米能级之差电子亲和能：真空能级与导带底之差接触电势差：金属与半导体由接触而产生的电势差表面势：随着金属与半导体之间的距离减小，半导体表面形成一定厚度的空间电荷层，形成电场，使半导体表面和内部之间存在电势差肖特基势垒：肖特基接触产生的势垒，其高度严重依赖外加电压耿氏效应：n型砷化镓在高压下产生高频电流的现象负微分电导效应：电子在等同能谷间跃迁产生的负电导效应镜像力：金属与半导体接触时，半导体中的电荷在金属表面感应出带电符号相反的电荷，同时半导体中的电荷要受到金属中感应电荷的库伦吸引力隧道效应：能量低于势垒顶的电子有一定几率穿过势垒的效应欧姆接触：电流-电压特性满足欧姆定律的金属与半导体接触，形成欧姆接触的主要形式有适当功函数的金属与半导体接触、反阻挡层多子陷阱、金属与重掺杂n型半导体通过隧道效应形成隧穿电流耗尽层近似：假设空间电荷层的空穴都已全部耗尽，电荷全部由已电离的受主杂质构成平带电压：对于非理想的MIS结构，当金属和半导体存在功函数或绝缘体内存在电荷时，为使半导体表面恢复平带而在金属上所加的电压阈值电压：MIS结构的半导体表面发生强反型时，金属极板上所加的电压扩散长度：非平衡载流子在复合前所能扩散深入样品的平均距离牵引长度：非平衡载流子在电场作用下寿命时间内飘移的距离德拜长度：正离子的电场所能影响到电子的最远距离寿命：非平衡载流子的平均生存时间复合概率：单位时间内非平衡载流子的复合几率深耗尽状态：少子产生跟不上电压的变化，反型层来不及建立，耗尽层向半导体内延申，产生大量受主负电荷以满足电中性条件CCD：电荷耦合器件