模拟电子技术课程习题第二章基本放大电路.doc

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第二章 基本放大电路2.1 在基本放大电路的三种组态中,输入电阻最大的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.2在基本共射放大电路中,负载电阻RL减小时,输出电阻RO将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.3 在三种基本放大电路中,输入电阻最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.4在电路中我们可以利用 实现高内阻信号源与低阻负载之间较好的配合。 A 共射电路 B 共基电路 C 共集电路 D 共射-共基电路2.5 在基本放大电路的三种组态中,输出电阻最小的是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.6 在由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 A. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.7以下电路中,可用作电压跟随器的是 A差分放大电路 B共基电路C共射电路 D共集电路2.8 晶体三极管的关系式iE=f(uEB)|uCB代表三极管的 A.共射极输入特性 B.共射极输出特性 C.共基极输入特性 D.共基极输出特性 2.9 对于图2.9所示的复合管,穿透电流为 (设ICEO1、ICEO2分别表示T1、T2管的穿透电流)A. ICEO= ICEO2 ICEO B. ICEO=ICEO1+ICEO2 C. ICEO=(1+b2)ICEO1+ICEO2 D. ICEO=ICEO1 图2.9 2.10 在由PNP晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1kHz,5mV的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真,这种失真是 B. 饱和失真 B.截止失真 C.交越失真 D.频率失真2.11对于基本共射放大电路, Rb减小时,输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.12在基本共射放大电路中,信号源内阻RS减小时,输入电阻Ri将 A.增大 B.减少 C.不变 D.不能确定 2.13 在三种基本放大电路中,电压增益最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.14 在三种基本放大电路中,电流增益最小的放大电路是 A.共射放大电路 B.共基放大电路 C.共集放大电路 D.不能确定 2.15 某放大电路的负载开路时的输出电压为4V,接入3KW的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 。2.16 双极型晶体管工作在放大区的偏置条件是发射结 、集电结 。2.17 对于基本共射放大电路,试判断某一参数变化时放大电路动态性能的变化情况(a.增大,b.减小,c.不变),选择正确的答案填入空格。1、Rb减小时,输入电阻Ri 。2、Rb增大时,输出电阻Ro 。3、信号源内阻Rs增大时,输入电阻Ri 。4、信号源内阻Rs减小时,电压放大倍数 。5、负载电阻RL增大时,电压放大倍数 。6、负载电阻RL减小时,输出电阻Ro 。2.18 选择正确的答案填空。1、复合管的额定功耗是 。(a.各晶体管额定功耗之和;b.前面管子的额定功耗;c.后面管子的额定功耗;d.各晶体管额定功耗的平均值)2、复合管的反向击穿电压等于 。(a.各晶体管反向击穿电压之和;b.前面管子的反向击穿电压;c.后面管子的反向击穿电压;d.各晶体管反向击穿电压值中的较小者)3、复合管的集电极最大允许电流等于 。(a.各晶体管集电极最大允许电流之和;b.前面管子的集电极最大允许电流;c.后面管子的集电极最大允许电流;d.各晶体管集电极最大允许电流值中的较小者)4、有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大。在负载开路的条件下测得A的输出电压小。这说明A的 。a.输入电阻大 b.输入电阻小c.输出电阻大 d.输出电阻小2.19 在实验桌上放有下列仪器:A、WQ-2-A型直流稳压电源:输出电压在030V范围内可调;B、FG-163型函数发生器:可产生正弦波、三角波、方波等信号,频率范围为0.0001Hz20MHz,输出电阻约为50;C、DA-16型晶体管毫伏表:频率范围为20Hz1MHz,输入电阻在频率为1kHz时大于1MQ,输入电容为5070pF;D、DT-830型数字万用表:交、直流挡的输入电阻均为10M,交流电压挡的频率范围45500Hz,输入电容为100pF;E、CS-1830型示波器:频率范围为030MHz,输入电阻为1M,输入电容为23pF。问测量放大电路的下列性能指标需用哪些仪器设备?(只需写出上述仪器设备的标号,如A、B等)1、静态工作点: 2、电压放大倍数: 3、输入电阻: 4、输出电阻: 5、上限截止频率(预计约1MHz): 2.20 为了测量交流放大电路的电压放大倍数,需要在放大电路的输入端加进10mV的正弦信号。问下列几种获取信号的方法是否正确?为什么?1、调整信号发生器的电压幅度,利用信号发生器上的表头指示和衰减倍数产生10mV的正弦电压,然后将它加到放大电路的输入端。2、调整信号发生器的电压幅度,利用晶体管毫伏表测量其输出端电压,从而得到10mV信号。然后将它接到放大电路的输入端。3、先将尚无输出电压的信号发生器连接到放大电路的输入端,然后由小到大地调节信号源的电压幅度,用晶体管毫伏表测量其大小,使之达到10mV。2.21 某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四级数据。试找出其中错误的一组。a.Ic=0.5mA,Ui=10mV,Uo=0.37Vb.Ic=1.0mA,Ui=10mV,Uo=0.62Vc.Ic=1.5mA,Ui=10mV,Uo=0.96Vd.Ic=2mA,Ui=10mV,Uo=0.45V2.22 判断下列说法是否正确,对的画,错的画。1、晶体管的输入电阻rbe是一个动态电阻,故它与静态工作点无关。( )2、在基本共射放大电路中,若晶体管的增大一倍,则电压放大倍数也相应地增大一倍。 ( )3、共集放大电路的电压放大倍数总是小于1,故不能用来实现功率放大。( )4、只有当两个晶体管的类型相同(都为NPN管或都为PNP管)时才能组成复合管。 ( )5、复合管的类型(NPN或PNP)与组成它的最前面的管子类型相同。( )6、只要把两个晶体管的复合管,一定可以提高管子的输入电阻。 ( )7、复合管的值近似等于组成它的各晶体管值的乘积。 ( )8、复合管的空透电流等于组成它的各晶体管的空透电流之和。 ( )9、两个同类晶体管(例如都是NPN管)复合,由于两管的UBE叠加,受温度的影响增大,所以它产生的漂移电压比单管大。 ( )10、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以两个场效应管不能组成复合管。( )11、由于场效应管的栅极几乎不取电流,所以场效应管与双极型晶体管也不能级成复合管。 ( )2.23 用两个晶体管分别组成下面的两种复合管:1、输入电阻与单管相同的NPN型复合管;2、输入电阻明显增大的PNP型复合管。3、用一个NPN和一PNP型晶体管,分别组成一个NPN和一个PNP型的复合管;4、用两个NPN型晶体管组成一个NPN型的复合管。2.24 通常功率管的电流放大系数较小,而小功率管的较大,现需要一个较大而基-射极电压UBE温漂较小的NPN型大功率管,拟采用复合管的结构来实现。试画出该复合管的接线图。2.25 设图2.25所示电路中各电容对交流信号可视为短路,晶体管的b=50,rbb=200W,UBEQ=0.6V,求: 1) 静态工作点ICQ、UCEQ 各为多少?2) 输入电阻Ri ,输出电阻Ro各为多少?3) 电压放大倍数Au为多少? 图2.252.26 在图2.26的电路中,T1、T2特性相同,且b很大,求IC2和UCE2 的值。设UBE=0.6V。 图2.262.27 判断如图2.27a、b所示电路是否可能对正弦信号实现放大,不能放大的说明原因。 图2.27a 图2.27b228设图2.28所示电路中各电容对交流信号可视为短路,晶体管的=50,rbb=200,UBEQ=0.6,求: .求静态工作点ICQ=? .该电路的输入电阻Ri输出电阻Ro各为多少? .该电路的电压放大倍数Au为多少? 图2.282.29在右图2.29所示电路中,设Vcc=12V,Rc=5.1K,R1=R2=150K,Rs=300,RL=,晶体管的b=49,rbb=300,UBE=0.7v,设各电容对交流信号均可视为短路。1估算静态工作点ICQ和UCEQ;2画出该电路的简化h参数微变等效电路;3计算出AU=UO/Ui、AUS=UO/US、Ri和RO的值;4若将C3开路,试问对该电路的Q点、AUS 、Ri和Ro有何影响? 图2.292.30指出并改正图2.30电路中的错误使电路能够正常放大信号。图2.30
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