中国计量学院微机原理试卷A

.专业整理 .中国计量学院 200 7 200 8学年第 一 学期微机原理及其应用课程考试试卷 （ A ）开课二级学院 ： 质量与安全工程学院，考试时间 ： 2008 年 _1_月 _7_日18时考试形式 ：闭卷 、开卷 ， 允许带计算器入场考生姓名 ：学号：专业： 产品质量工程班级： 05题序一二三四五六七八九总分得分装评卷人一单选题 （每题 2 分，共 20 分）1.十进制数 115其对应的十六进制可表示为（）A、 8FHB、 73HC、 8、 8EHD、 7EH2.8031 复位后 ， PC 与 SP 的值为 （）订A、 0000H ， 00HB、 0000H ， 07HC、 0003H ， 07HD 、0800H ， 00H3.提高单片机的晶振频率，则机器周期 （）A、不变B、变长C、变短D 、不定4.8051 的内部 RAM 中，可以进行位寻址的地址空间为（）A、 00H2FHB、 20H2FHC 、 00H1FHD 、20HFFH5.8051 单片机共有 （）个中断源线A、4 B、5C、 6D、76.下列指令中不影响标志位CY 的指令有 （）A、 ADDA， 20HB、 CLRC、RRC AD、 INC A.学习帮手 .专业整理 .7. 指令和程序是以 （）形式存放在程序存储器中A、源程序B、汇编程序C、二进制编码D、 BCD 码8. 8031 的 P0 ， 当使用外部存储器时它是一个（）A、高 8 位地址 B、低 8位地址 C、低 8 位数据 D、低 8 位地址 /数据总线 9. 执行 MOVC A,A+PC 时， WR、 RD 脚的电平为 ()A、 WR 高电平 ， RD 高电平B、 WR 低电平 ， RD 高电平C、 WR 高电平 ，RD 低电平D 、WR 低电平 ， RD 低电平10. 当标志寄存器PSW 的 RS1 和 RS0 分别为 1 和 0 时，则当前工作寄存器组R0 R7 的地址为（）A. 20H 2FHB.10H 17HC.00H 07HD. 30H 3FH二填空题（每空 1 分，共 22 分）1.MCS-51单片机的三总线结构是指、。2.在 ALE 的高电平期间 ， P0 口上一般出现信息 ，在 ALE 低电平期间 ， P0口上一般出现和信息 。3.P1 口用作输入口时，对应的口锁存器必须先。4.对系统堆栈区的操作，必须遵循的原则 。5.8032 单片机访问高128 字节 RAM 采用寻址方式 ，访问特殊功能寄存器采用寻址方式 。6.一个基准电压为5V的 8 位 AD，其最小能够分辨的输入电压为。.学习帮手 .专业整理 .7.一个 RAM芯片的地址线为A0 A13 ，则其存储容量为，其最后一个存储单元的基本地址为。8.已知系统晶振为12MHz,T0在方式 1 下工作 ，如要产生50ms 定时中断 ，则 T0 的计数初值应设为。9. 已知（ SP） =60H ，（ DPTR） =3456H ，在执行下列指令后 ，i. PUSH DPHii. PUSH DPL（SP） =_，内部 RAM （ 61H ） =_。10.如执行下面程序后，则（ DPTR） =,（ SP） =, 片内 （ 52H ）。i. MOV SP ,#50Hii. MOV DPTR,#6000Hiii. MOVX A,DPTRiv. PUSH DPLv. PUSH DPHvi. MOV DPTR,#7FFFHvii. MOVX DPTR,A11.已知 (A)=128,（ R2）130, 则执行ADD A,R2 后， A=， CY=,OV=。三程序题（每题 6 分，共 18 分）1 下面程序实现将片内30H37H单元的数据通过查表送外部数码管显示，分析程序是否正确，如有错误请找出并修改正确。MOV R1,#30H.学习帮手 .专业整理 .MOV R7,#08HMOV DPTR,#LEDTABDISPLAY:MOV A,R1MOVX DPTR,AINC DPTRINC ADJNZ R7,DISPLAYSJMP $LEDTAB:DB;0 9 数字段码表2 内部 RAM 从 LIST 单元开始存放一单字节正数表，表中之数作无序排列，并以 -1 作结束标志。 编程实现表中找出最小值。FIND:MOVR0， #LISTMOVA， R0MOVMIN ，ALOOP5 ：INC R0MOVA， R0装_ _， LOOP3RETLOOP3 ： CJNEA ， MIN ， LOOP1.学习帮手 .订.专业整理 .LOOP1 ： _ LOOP2MOVMIN ，ALOOP2 ： SJMP LOOP53 下面程序将片内30H 单元内的2 个 BCD 数相乘 ，乘积为 BCD 数，并把乘积送入31H单元 ，请把程序填写完整。BCDEQU 99HSTART:MOV 30H,#BCDMOV A,30HMOV B,AMOV A,30HANL A,#0F0HMUL ABMOV B,#0AHDIV ABMOV R1,BSWAP AMOV 31H,ASJMP $四综合题 （共 40 分）1. 编写一段程序，统计片外数据存储器2000H 20FFH 中的数据其值等于7FH 的个数 ，将结果存放在R7 中 。（ 10 分）.学习帮手 .专业整理 .2 设单片机晶振频率fosc=6MHZ，使用定时器0 以工作方式1 产生周期为100ms 的等宽方波 ，并在 P1.0 输出 。（ 10 分）TMOD:.学习帮手 .专业整理 .C/MMC/MMGATEGATET10T10TCON:TF1TR1TF0TR0IE1IT1IE0IT03 以 8031 为主机 ，外部扩展一片27512 作为程序存储器，扩展一片 62512 作为数据存储器芯片 。（ 1）画出电路逻辑连接图，并写出每片存储器的地址范围。（ 10 分）（ 2）编程将片外RAM 8000H802FH单元内容读入片内30H 5FH 单元 。（ 10 分）.学习帮手 .专业整理 .P0.0P0.7D0D7CE OEQ0Q7WE OE CE D0D7ALE装E 74ls3732751262512GQ0Q7A0A7A8A15A0A7A8A15EAP2.08031P2.7PSENWRRD订中国计量学院 200 7 200 8学年第 一 学期线微机原理及其应用课程试卷（ A ）参考答案及评分标准开课二级学院 ： 质量与安全工程学院，学生班级 ：05 质量 1、2，05 试点 1、2、3 ，教师： 袁月峰一单选题（每题 2 分，共 20 分）1B2BCBBDCDA B.学习帮手 .专业整理 .二填空题（每空 1 分，共 22 分）1 地址总线 、数据总线 、控制总线 。2地址、指令、数据3写 1 先进后出5 寄存器间接 、直接6 0.02V( 或 20mV)7 16KB、3FFFH8 15536 ( 或 3CB0H)9 _62H、34H10 7FFFH、52H、60H1102H、1、1三程序题（每题 6 分，共 18 分）1 INC DPTR删掉 ， INC A改为 INC R1（找到 1 个错误得 1 分，改对一个得2 分）2 CLR C， CJNEA, #0FFH,或 CJNE A,# -1 ， ; LOOP1 ：JNCLOOP2 ( 每空 2 分 )3 ; ANL A,#0FH ， SWAP A ，ORLA,R1（每空 2 分）四综合题（每题 10 分，共 40 分）1（ 参考程序 ）ORG 0000HLOOK:MOVR7,#00HMOVR6,#0FFHMOVDPTR， #2000HLOCK:MOVXA,DPTRCJNEA,#7FH,LOCK1INCR7.学习帮手 .专业整理 .LOCK1:INCDPTRDJNZR6,LOCKSJMP $评分标准 ：DPTR，计数单元等赋值正确 ，主循环体结构合理得 5 分，程序功能实现正常得5分。2（ 参考程序 ）ORG0000HLJMPSTARTORG000BHLJMPTIMER0ORG0030HSTART: MOVSP, #60HMOVTCON,#00HMOVTMOD , #01HMOVTH0,#9EHMOVTL0,#58HSETBEASETBET0SETBTR0SJMP$TIMER0:MOVTH0,#9EHMOVTL0,#58H.学习帮手 .专业整理 .CPLP1.0RETI评分标准 ： TMOD ， TH0,TL0赋值正确得3 分， EA,ET0,TR0 置位正确得3 分， 中断程序TH0,TL0 重赋值正确得2 分， P1.0 口操作正确得1 分 。3 (1)电路连接图P0.0P0.7ALEE D0D7CE OEQ0Q7WE OE CE D0D774ls3732751262512GQ0Q7A0A7A8A15A0A7A8A15EAP2.08031P2.727512地址范围：62512地址范围：PSEN0000H-FFFFH0000H-FFFFHWRRD评分标准 ： 地址线连接正确得3 分RD,WR,PSEN， ALE 连接正确得4 分两个芯片地址范围正确得3 分（ 2 ）参考程序ORG 0000HMOV DPTR,#8000HMOV R0,#30HMOV R7,#30HLOOP:MOVX A,DPTRMOV R0,AINC DPTR.学习帮手 .专业整理 .INC R0DJNZ R7,LOOPSJMP $评分标准 ： DPTR,R0(或 R1)，计数值正确得4 分，循环体正确得6 分 。.学习帮手 .