述职报告

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,Page,1,X F Chen,IMPLANTERINTRODUCTION,MONTHLY REPORT,MFG-DFD-DPE,Xue Feng Chen,outline,Fundamentalofimplant,Application,Structure,Namerule,Manualtune,Monitoritems,Definition,Atooldesignedtoinjectselecteddopantatoms,uniformlyacrossasubstratetoaprescribeddepthatadesiredconcentration,FUNDAMENTALOFIMPLANT,Parameter,SelectedDopant,UniformlyAcross,PrescribedDepth,DesiredConcentration,阻滞机,制,制,当离子,轰,轰击并,进,进入substrate时,，,，它会,与,与晶格,原,原子碰,撞,撞。原,子,子会逐,渐,渐失去,能,能量，,而,而最后,停,停在晶,格,格里面,。,。有两,种,种阻滞,机,机制：,一,一种是,植,植入的,离,离子与,晶,晶格原,子,子的原,子,子核产,生,生碰撞,，,，并经,由,由这种,碰,碰撞引,起,起明显,的,的散射,而,而将能,量,量转移,至,至晶格,原,原子，,这,这种称,作,作为原,子,子核阻,滞,滞（NuclearStopping,）,）；另,一,一种阻,滞,滞机制,是,是当入,射,射的离,子,子与晶,格,格原子,的,的电子,产,产生碰,撞,撞，在,电,电子碰,撞,撞的过,程,程中，,入,入射离,子,子的轨,迹,迹几乎,是,是不变,的,的，能,量,量转换,的,的非常,的,的小，,而,而晶格,的,的损坏,也,也可以,被,被忽略,。,。这种,碰,碰撞称,作,作电子,阻,阻滞（Electronic Stopping）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,阻滞机,制,制,总阻滞,力,力,对于低,能,能量与,高,高原子,序,序数的,离,离子注,入,入而言,，,，主要,的,的阻滞,机,机制是,原,原子核,阻,阻滞；,对,对于高,能,能量低,原,原子序,数,数的离,子,子注入,而,而言，,主,主要的,阻,阻滞机,制,制是电,子,子阻滞,。,。,FUNDAMENTALOFIMPLANT,离子,射,射程,（,（IonRange,）,）,FUNDAMENTALOFIMPLANT,带能,量,量的,离,离子,能,能够,穿,穿入,靶,靶标,，,，而,渐,渐渐,的,的藉,着,着与,基,基片,内,内的,原,原子,的,的碰,撞,撞而,失,失去,能,能量,，,，并,最,最终,停,停留,在,在基,片,片内,部,部。,一般而言,，,，离子的,能,能量越高,，,，它就愈,能,能深入基,片,片。然而,即,即使是相,同,同的注入,能,能量，离,子,子也无法,在,在基片内,部,部刚好停,止,止在相同,的,的深度，,因,因为，每,个,个离子都,是,是与不同,的,的原子产,生,生碰撞。,投,投影离子,会,会有一个,分,分布区域,的,的，如下,图,图所示：,离子射程,（,（IonRange）,FUNDAMENTALOF IMPLANT,投映射程,ln（浓,度,度）,基片表面,从表面算,起,起的深度,通道效应,（,（channelingeffect）,离子在一,个,个非晶态,材,材料内的,投,投影射程,会,会遵循着,高,高斯分布,，,，也就是,所,所谓的常,态,态分布。,单,单晶硅中,的,的晶格原,子,子会整齐,的,的排列着,，,，而且在,特,特定的角,度,度可以看,到,到很多通,道,道。假如,一,一个离子,以,以正确的,角,角度进入,通,通道，它,只,只要带有,很,很少的能,量,量就可以,进,进很长的,距,距离，这,就,就是通道,效,效应（channeling effect,）,）,FUNDAMENTALOF IMPLANT,通道效应,（,（channelingeffect）,投映射程,高斯分布,通道效应,尾,尾端,ln（浓,度,度）,基片表面,从,从表面,算,算起的深,度,度,FUNDAMENTALOF IMPLANT,减少通道,效,效应的三,种,种方法,FUNDAMENTALOF IMPLANT,Damage与Anneal,在离子植,入,入过程中,，,，离子和,晶,晶格的原,子,子碰撞，,在,在碰撞的,过,过程中，,离,离子的能,量,量转移给,这,这些原子,，,，这些能,量,量足以能,够,够令这些,原,原子从晶,格,格束缚中,释,释放出来,，,，通常这,个,个束缚能,使,使25eV左右。,导,导致晶格,原,原子偏离,位,位置，造,成,成晶格损,伤,伤。,FUNDAMENTALOF IMPLANT,为了达到,元,元件的要,求,求，晶格,损,损坏必须,在,在热退火,（,（Annealing）步,骤,骤中修复,以,以恢复单,晶,晶的结构,并,并活化参,杂,杂物。快,速,速加热步,骤,骤（RTA）是用,来,来将离子,注,注入造成,的,的损伤予,以,以退火的,一,一种制程,。,。同时也,是,是参杂物,扩,扩散减至,最,最小以符,合,合缩小集,成,成电路元,件,件的条件,。,。（注：,在,在较低温,时,时，扩散,制,制程会快,过,过退火制,程,程；而当,温,温度较高,的,的时候，,例,例如高过,摄,摄氏1000度，,则,则退火制,程,程会快过,扩,扩散制程,，,，这是因,为,为退火的,活,活化能,大,大约5eV要比扩,散,散的活化,能,能3至4eV高,的,的缘故）,损伤与热,退,退火,FUNDAMENTALOF IMPLANT,MI（Medium Current）,VT,LDD,WELL,FIELD,N/P APT,HI（HighCurrent）,S/D,CONT,LDD,POLY,ESD,SOG/FOX IMP,HEI/VHE（HighEnergy）,WELL,FIELD,MIBackup,Application,Major implant stepsin MOS device,Application,STRUCTURE,ION SOURCE,QUADRUPOLE,DEFLECTOR,BERNAS,ANALYZER,MAGNET,FOCUSING,EXTERNAL,MAGNETIC,UNIPOLAR,ELECTROSTATIC,ELECTROSTATIC,BEAM FILTER,RESOLVING,APERTURE,DRIFT,CHAMBER,ROTATING PLATEN,LENS,MAGNET,HIGH VOLTAGE TERMINAL,END STATION,TRAVELING,FARADAY,APERTURE,2-,STAGE LOW BEAM,HIGH,CONDUCTANCE,ACCEL,COLUMN,GRAPHITE APERTURES,HALL,PROBE,TURBOMOLECULAR,PUMP,1000 L.SEC,-1,CRYO,PUMP,4000 L.SEC,-1,STRUCTURE,ArcChamber,RETURN,STRUCTURE,Extraction,Arcchamber,40 kv,Suppression,Electrode,Extraction,Electrod,RETURN,抑制二次,电,电子,阻挡离子,发,发散,STRUCTURE,AnalyzerMagnet,RETURN,STRUCTURE,QuadMagnet,RETURN,DipoleLensMagnet,STRUCTURE,v,t,RETURN,AccelColumn,STRUCTURE,RETURN,NameRule,Species+Energy+Dopant+angle,e.g.,P100-1.0E13,species,energy,dopant,Fordifferenttypeimplanter,theanglearenotthesame.,ForMI(EHP500),Thedefaultangleistilt=7andtwist=22,If,“,“-0,”,”,thentilt=0,twist=0,If,“,“-I,”,”,thentilt=5,twist=26,If,“,“R30,”,”,RindicatesROTATION,sotwist=0/90/180/270,30showthatthetilt=30.and,“,“R7,”,”showthattilt=7,twist=0/90/180/270,If,“,“D45,”,”,tilt=45,twist=90/270,NameRule,For HI(Varian),The default angle istilt=7,twist=22.5,If“-0”tilt=0,twist=22.5,If“2S”tilt=7/-7,twist=22.5,If“4S”tilt=7/-7,twist=22.5/337.5,For HI(Axcelis),The default angle istilt=6.3,twist=3.2,If “-0”tilt=0,twist=0,If “4S”tilt=6.3/-6.3,twist=3.2/-3.2,NameRule,For HEI(Axcelis),The default angle istilt=6.3,twist=3.2,If“-0”tilt=0,twist=0,If “-3”tilt=3,twist=0,If “-I”tilt=4.5,twist=-2.2,If “-MI”tilt=6.3,twist=3.2(backup MI),If “4S”tilt=6.3/-6.3,twist=3.2/-3.2,NameRule,NameRule,NameRule,All aboveare product recipes,monitor recipesarelikefollows:,Manual tune,决定AMU的数值,决定EXT电压,决定后段加速电压,RETURN,Manual tune,SOURCE INTERFACE,Set 200A,Species,Gas(torr),B+,40.0,2.5,70,1.0,P+,24.0,4.0,50,0.5,Ar+,35.0,2.5,50,0.2,As+,30.0,4.0,50,0.5,Manual tune,SOURCE INTERFACE,Set 200A,微调AMU,使,使得SETUP电流最,大,大,BEAMLINE INTERFACE,Manual tune,设定后段加,速,速电压,重复3次，,使,使focus电流最大,Monitor item,TW(Thermal Wave):Lattice Damage-Reflectivity,MI,HEI,RS(SheetResistance,4Point Probe),HI,HEI,MI,QUANTOX,MI for runningP,Tools,Particle:before50,added75,RS:,B88+3uniformity1%,As58.5+3uniformity1%,P72.5+3uniformity1%,Monitor item,SPECof HI,SPECof MI,Particle:before40,added50,TW&RS:,Monitor item,species,TW,U%,RS,U%,B,718+10,0.5%,2586+100,1%,P,1760+60,0.5%,489+13,1%,AS,5800+100,0.5%,514+17,1%,species,TW,U%,RS,U%,B,746+10,0.5%,2627+60,1%,P,1290+36,0.5%,1018