组成原理实验课件-存储器

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,1,实验三：存储器实验,2,实验目的,理解计算机主存储器的功能、组成知识；,熟悉,ROM,芯片和,RAM,芯片在功能和使用方法等方面的相同和差异之处；,理解并熟悉通过字、位扩展技术实现扩展存储器容量的方法。,了解如何通过读写存储器的指令实现对,58C65 EEPROM,芯片的读写操作。,3,实验说明,教学计算机的主存储器用静态存储器芯片实现，由,8,千字的,ROM,区和,2,千字的,RAM,区组成，分别由,2,片,58C65,（,EEPROM,芯片）和,2,片,6116,（,RAM,芯片）实现。,ROM,芯片用来存放监控程序，,RAM,芯片用来存放用户程序和数据，以及用作监控程序临时数据和堆栈区。可以安装另外两个芯片用来实现对存储器容量进行扩展。,主存字长,16,位，按字寻址方式读写。,4,内存储器和接口电路,每,2,个,8,位的芯片合成一组用于组成,16,位长度的内存字。,5,教学计算机主存储器的设计,教学计算机采用单总线结构，,16,位的地址总线（记为,AB15 AB0,），,16,位的数据总线（记为,DB15 DB0,）,和简化的控制总线：,时钟信号：与,CPU,时钟同步，简化设计,读写信号：由,/MIO,，,REQ,和,/WE,译码生成,内存和,IO,读写信号。,6,（,1,）,地址总线,（,AB15AB0,）,地址总线提供读写内存用,16,位地址，读写输入,/,输出接口用,8,位地址。,教学机的指令格式和教学机本身的特性，决定了将送往地址寄存器的地址信息只能由,ALU,输出。,7,（,2,）数据总线,（,DB15 DB0,）,数据总线是计算机各部件之间完成数据传送的线路。,出于教学机器件安全需要，教学机通过两片,74LS245,器件把数据总线隔断为内部总线,IB,与外部总线两部分。,8,8,RAML 6116,ROML 58C65,RAMH 6116,ROMH 58C65,MWR,WE,WE,A10A0,D15D8,D7D0,A12A0,A12A0,A10A0,A10A0,OE,CS,CS,OE,OE,OE,CS,CS,Y1,Y1,Y0,Y0,D15D8,D7D0,地址总线,数据总线,WE,WE,MRD,MRD,地址总线的低,13,位送到,ROM,芯片的地址线引脚（,RAM,芯片只使用地址总线的低,11,位），用于选择芯片内的一个存储字。用于实现存储字的高位字节的,2,个芯片的数据线引脚、实现低位字节,2,个芯片的数据线引脚分别连接在接到数据总线的高、低位字节，是实现存储器数据读写的信息通路。,9,（,3,）,控制总线,9,1B 1A 1G,DC3 139,2B 2A 2G,1Y0 1Y1 1Y2 1Y3,2Y0 2Y1,REQ WE GND,MIO,MWR MRD WR RD,MMREQ IOREQ,74LS139,：双,2-4,译码器,TH-union,内存,控制信号,用一片双,2-4,译码器器件,74LS139,给出。,10,/MIOREQ/WE,0 0 0,内存写,/MWR,0 0 1,内存读,/MRD,0 1 0I/O,写,/WR,0 1 1I/O,读,/RD,1 X X,不用,11,TH-union,内存片选信号,DC5,138,A15,A14,A13,GND,MMREQ,VCC,C,B,A,G2A,G2B,G1,Y0,Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6,Y7,00001FFF,20003FFF,40005FFF,60007FFF,80009FFF,A000BFFF,C000DFFF,E000FFFF,DC5 74LS138:3-8,译码器,另外一片,74LS138,译码器芯片接收地址总线低位字节的最高,4,位地址信息（最高一位恒定为,1,），当需要接口电路工作时，由这片译码器产生接口芯片的,8,个片选信号，已选择哪一个接口电路可以读写。其中,808F H,已分配给串行口。其中第,1,路串行口的,I/O,端口地址确定为,80H,和,81H,。,12,TH-union,接口片选信号,13,（,4,）系统时钟及时序,用,1.8432MHz,的晶振经分频得到的,307.2kHz,作为系统时钟，用于驱动,CPU,、,I/O,总线，保持,CPU,与内存、,I/O,读写同步进行。,系统时钟,CPU,内部的某些寄存器，通常在时钟脉冲上升沿完成接收数据,的操作。这意味着每个时钟脉冲时间对应一条微指令的时间，即,一个微指令周期。只有运算器的通用寄存器是用时钟脉冲的低电,平接收输入数据的。,3.26us,14,（,5,）教学机内存空间分配：,01FFFH 8K16,位的,ROM,（用两片,58C65,，,8K8,构成）,200027FFH 2K16,位的,RAM,（用两片,74LS6116,，,2K8,构成）,DC5,138,A15,A14,A13,GND,MMREQ,VCC,C,B,A,G2A,G2B,G1,Y0,Y1,Y2,Y3,Y4,Y5,Y6,Y7,00001FFF,20003FFF,40005FFF,60007FFF,80009FFF,A000BFFF,C000DFFF,E000FFFF,可扩展内存储器地址范围,8K,用于存放监控程序,用于存放用户程序和数据,15,对主存,RAM,区，在给出,/CS,片选信号的同时，还需要给出读写操作命令信号,/WE,。,/WE,为低是写，为高是读。,6116,芯片还有一个,/OE,控制信号，已接地。,对主存,ROM,区的访问，与读写,RAM,区有,2,点不同。,（,1,）还必须使用,EEPROM,芯片的输出允许信号,/OE,，执行读操作时，应使,/OE,信号为低电平，执行写操作时，应使,/OE,信号为高电平，以便控制,EEPROM,芯片进入编程（写入）操作状态。,（,2,）对,EEPROM,芯片进行一次编程（写入）操作占用的时间要足够长，约几百个微秒，开始首先完成对相应单元原有的内容的擦除操作，接下来再用相对较长的时间把新的内容写进去。这可以通过执行一段循环子程序的办法来达到延时等待目的。,（,6,）教学机,RAM,和,EEPROM,存储器芯片在读写控制、写入时间方面的同异之处,16,扩展存储器芯片的安装位置,17,扩展用的引线接插孔,18,实验内容,要完成,存储器容量扩展,的教学实验，需为扩展存储器选择一个地址，并注意读写和,/OE,等控制信号的正确状态；,用监控程序的,D,、,E,命令对存储器进行读写，比较,RAM,（,6116,）、,EEPROM,（,58,系列芯片）在读写上的异同；,用监控程序的,A,命令编写一段程序，对,RAM,（,6116,）进行读写，用,D,命令查看结果是否正确；,用监控程序的,A,命令编写一段程序，对扩展存储器,EEPROM,（,58,系列芯片）进行读写，用,D,命令查看结果是否正确；如不正确，分析原因，改写程序，重新运行；,19,实验步骤,检查,FPGA,下方的插针要按下列要求短接：,标有“,/MWR”“RD”,的插针左边两个短接，,标有“,/MRD”“GND”,的插针右边两个短接，,标有,ROMLCS,和,RAMLCS,的插针短接。,2.RAM,（,6116,）支持即时读写，可直接用,A,、,E,命令向扩展的存储器输入程序或改变内存单元的值。,RAM,中的内容在断电后会消失，重新启动实验机后会发现内存单元的值发生了改变。,20,21,3.,先将教学计算机的电源关闭，再将扩展的,ROM,芯片（,27,或,28,系列或,28,的替代产品,58C65,芯片）插入标有“,EXTROMH”,和“,EXTROML”,的自锁紧插座，要注意芯片插入的方向，,带有半圆形缺口的一方朝左插入。如果芯片插入方向不对，会导致芯片烧毁。然后锁紧插座。,4.,将扩展芯片右边的插针按下列方式短接：将,EXTROML,芯片右上方的标有“,WE”,和“,A11”,的插针下面两个短接，将它右边标有“,TEC”“/CS”“FPGA”,的三个插针左边两个短接，标有,XTROMLCS,的插针短接，标有“,TEC”“OE”“GND”“FPGA”,的四个插针左边的两个横着短接（写）；,22,扩展存储器,ROM,ROM,RAM,设置跳线,设置跳线,设置地址跳线,设置数据跳线,内存储器部件,23,5.,在第四步中将标有“,TEC”“/CS”“FPGA”,的三个插针左边两个短接表示扩展的,ROM,的内存地址是从,4000H,开始，可用空间是,4000H5FFFH,，用户可在这个范围内输入程序或改变内存单元的值。也可以将这个插针断开，将标有,/CS,的圆孔针与标有,MEM/CS,的一排圆孔针中的任意一个用导线相连；注意连接的地址范围是多少，用户可用的地址空间就是多少。,6.,将标有“,DataBus 15,8”,和“,DataBus 7,0”,的数据总线的指示灯下方的插针短接；,7.,将标有“,AdressBus 15-8”,和“,AdressBus 7-0”,的地址总线的指示灯下方的插针短接；,24,注意：,58C65,芯片和各跳线帽都按要求放置好后，可以给教学计算机通电。,8.58C65,的读操作和一般的,RAM,一样，而其写操作，需要一定的时间，大约为,1,毫秒。因此，需要编写一延迟子程序，在对,EEPROM,进行写操作时，调用该子程序，以完成正确的读写。,注意：,实验完成后，将,FPGA,下方的标有“,/MWR”“RD”,的插针改成右边两个短接。,25,实验报告要求：,实验目的，实验内容步骤，实验结果、实验结果的分析，对遇到的各种现象的分析，如何排除故障，自己在这次实验的心得体会与收获。并回答如下思考题,思考题：,1,）为何能用,E,命令直接写,EEPROM,存储器,58C65,的存储单元，而,A,命令则有时不正确；,2,）先用,E,命令将,5000H,开始的连续几个内存单元的内容改写后，再修改延时子程序，将其延时改短，可将延时子程序中,R3,的内容赋成,000F,或,0FFF,等，再看运行结果。分析原因。,26,3,）画出以下要求的扩展内存的接线原理图。,要求：若扩展内存的起始地址从,4000H,开始，扩展容量,8K,字，采用,8K8,位的芯片，片选控制用,3-8,译码器，画图并分析对应的地址范围。,