资源描述
单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,集成成电电路路技技术术讲讲座座,第十十三三讲讲,集成成电电路路可可靠靠性性,Reliability,集成成电电路路可可靠靠性性,（一一）可可靠靠性性概概念念和和表表征征方方法法,（二二）失失效效规规律律浴浴盆盆曲曲线线,（三三）硅硅片片级级可可靠靠性性设设计计和和测测试试,（四四）老老化化筛筛选选和和可可靠靠性性试试验验,（五五）失失效效模模式式和和失失效效分分析析,（一一）可可靠靠性性概概念念和和表表征征方方法法,可靠靠性性概概念念和和表表征征方方法法,集成成电电路路的的可可靠靠性性是是指指集集成成电电路路在在预预期期寿寿命命内内，在在规规定定的的条条件件下下正正常常工工作作的的概概率率即即集集成成电电路路能能正正常常使使用用多多长长时时间间,UnreliabilityF(t)=r/n,n总总样样品品数数r失失效效数数,ReliabilityR(t)=(n-r)/n,FailureDensityf(t)=f(t,t+,t)=r/n,FailureRate(t)=(t,t+t)=r/(n-r),可靠靠性性概概念念和和表表征征方方法法,平平均均,失效效率率(Failurerate)（用用于于常常数数失失效效区区）,Fr=Nf/Ndt,Nf失失效效数数Ndt器器件件数数和和试试验验小小时时数数乘乘积积,FIT,(FailureInTime)=Fr*10,9,1小时时内内每每10,9,个(10亿亿)器器件件中中有有一一个个器器件件失失效效时时，称称为为1FIT(ppb),或或1000小时时内内每每10,6,个(100万万)器器件件中中有有一一个个器器件件失失效效时时，称称为为1FIT,平平均均失失效效时时间间,MTTF(MeanTimetoFailure)=1/Fr,与失失效效速速率率有有关关的的函函数数,在给给定定时时间间间间隔隔dt中中失失效效的的总总数数分分数数可可用用函函数数f(t)dt表表示示，f(t)为为失失效效速速率率，累累积积失失效效数数目目是是该该函函数数对对时时间间的的积积分分，,即为为,累积积失失效效函函数数,可靠靠性性函函数数,定义义为为在在时时间间为为t时时仍仍未未失失效效的的总总数数分分数数,失效效函函数数的的描描述述,正态态分分布布,f(t)=1/(2,),-0.5,Exp-1/2(t-)/,2,F(t)=,1/(2,),-0.5,t,Exp-0.5(t-)/,2,dt,Webull分分布,F(t)=1-e,-(t/,),为器器件的的特征征寿命命为为形状状函数数,塑封器器件现现场统统计失失效率率,例,(FIT),器件类型,应用环境,地面,民用飞机,汽车,线性IC,3,5.4,32,数字SSI/MSI,0.97,10,11,存储器，微处理器,2.3,14,13,美国可可靠性性分析析中心心（,90,年代）,器件失失效对对系统统性能能的影影响,Data set: 150 to 225 ICs,failure rate (FIT),mean time to failure (year),percent of sets failing per month,10,51,0.16,100,5,1.6,1000,0.5,16,（二）失效效规律律浴浴盆曲曲线,浴盆曲曲线,Early,LifeFailure,早期失失效期期,Useful,Life,偶然失失效期期,Wearout,耗损失失效期期,时间,失,效,速,率,早期失失效期期,器件的的早期期失效效速率率很快快，且且随时时间迅迅速变变小，早期期失效效原因因主要要是由由于设设计和和制造造工艺艺上的的缺陷陷引起起例例如：氧化化物针针孔引引起栅栅击穿穿，压压焊不不牢引引起开开路通过过加强强制造造过程程质量量管理理来减减少早早期失失效老化化筛选选可以以帮助助剔除除这些些早期期失效效产品品。,有用寿寿命期期（随随机失失效期期）,浴盆曲曲线中中第二二个区区域特特点是是失效效速率率低且且稳定定，几几乎是是常数数，该该区域域的长长短则则决定定了器器件的的使用用寿命命。影影响此此寿命命的因因素有有温度度，湿湿度，电场场等最大大因素素是芯芯片温温度失效效机理理有如如：潮潮气渗渗入钝钝化层层引起起金属属锈蚀蚀；金金属间间化合合物生生长引引起的的疲劳劳失效效；潮潮气沿沿界面面渗入入引起起封装装开裂裂等。该段段时间间也是是产品品在客客户手手中使使用和和系统统的预预期寿寿命，在该该范围围内的的失效效速率率与系系统失失效紧紧密相相关,耗损失失效期期,在曲线线的最最后区区域，失效效速率率急剧剧上升升，意意味着着封装装器件件达到到了预预期寿寿命，诸如如开裂裂和过过度的的应力力不可可能对对该区区域有有重大大影响响，因因为这这些问问题造造成的的失效效应更更早出出现。引起起该失失效的的最典典型的的原因因是较较慢锈锈蚀过过程的的累积积效应应。失失效速速率开开始快快速上上升的的时间间应该该超过过系统统的预预期寿寿命，以保保证消消费者者的质质量要要求。,（三）硅片片级可可靠性性设计计和测测试,硅片级级可靠靠性（工艺艺可靠靠性）,产品可可靠性性取决决于设设计，工艺艺和封封装,相同设设计规规则，相同同工艺艺和封封装的的不同同产品品应有有相同同的可可靠性性水平平,可靠性性要从从源头头设设计抓抓起,可靠性性是内内在质质量，是靠靠做做出出来的的，不不是靠靠测测出出来的的,可靠性性设计计,电路设设计的的可靠靠性考考虑,器件和和版图图结构构设计计的可可靠性性考虑虑,工艺设设计的的可靠靠性考考虑,可靠性性设计计,电路路设计计时的的考虑虑,尽量减减少接接触点点数目目和芯芯片面面积,尽量减减少电电流和和功耗耗，,pn,结温,提高电电路冗冗余度度如如增加加放大大级数数，减减少每每级的的增益益，对对逻辑辑电路路，要要使噪噪声容容限和和扇出出数留留有余余量,采用输输入保保护措措施,可靠性性设计计,器件件和版版图结结构设设计时时的考考虑,沟道长长度设设计要要考虑虑热电电子问问题,铝布线线的电电流密密度应应在10,6,A/cm,2,以下，以防防止断断线和和电迁迁移,元件布布局，应将将容易易受温温度影影响的的元件件，远远离发发热元元件,在必须须匹配配的电电路中中，应应将相相关元元件并并排或或对称称排列列,版图上上防止止Latchup的措措施,芯片边边缘和和划片片道的的设计计,可靠性性设计计,工艺艺设计计时的的考虑虑,氧化膜膜中的的可动动离子子,氧化膜膜,TDDB,水平,选择表表面钝钝化膜膜，防防止灰灰尘和和水汽汽等原原因造造成的的退化化(SiO2,PSG,Si3N4,Polymide),硅片级级可靠靠性测测试,TDDB,测试,电迁移移测试试,热载流流子测测试,TDDB,直接评评估介介质电电学特特性，硅片片级预预测器器件寿寿命,测试样样品为为MOS电电容或或MOSFET,四种方方式：恒电电压，恒电电流，斜坡坡电压压，斜斜坡电电流,测试参参数：E,bd,，t,bd,Q,bd,Q,bd,tdb,J(t)dt,TDDB,测试,TDDB,TDDB,电迁移移现象象,MTF=AJ,-n,exp-E,A,/kT,MTF=20年年Jmax=10,5,A/cm2,电迁移移测试试,101004001000,MTF(hr),PureAl,Al-4%Cu,J=4E6A/cm2,T=175,积累失失效,90,70,50,30,10,%,热电子子效应应,Vgs,N+,N+,Vd,Vs,Vb,Isub,Ig,热电子子效应应测试试,NMOS0.5um5Vdesign,测试方方法,Vds=6.7V，7.0V,7.3VVssandVbs=0V,VgssettomaxIbs,失效判判据：Gm偏偏移移10%时时所所需时时间T0.1(-timeto0.1failure),作Ibs/IdsT0.1图,根据Berkeleymodel预预测寿寿命,ttf,Ids=Cx,-m,(ttf是是失失效0.1%的的时间间,C是,Ibs/IdsT0.1图图截距距，m是斜斜率）,（四）老化化和可可靠性性试验验,老化筛筛选(Burnin),老化筛筛选,从对对环境境的适适应性性，存存放特特性，电学学性能能稳定定性等等方面面去排排除器器件的的潜在在缺陷陷和故故障，为使使产品品稳定定化所所进行行的处处理,估计早早期失失效率率,(PPM),可及早早发现现并改改善失失效模模式,试验时时间短短(168hr)，随随机抽抽样,对要求求高可可靠产产品，可对对全部部产品品老化化,老化筛筛选适适应种种类和和条件件条件件必须须选择择适当当，否否则不不但浪浪费时时间，还会会降低低可靠靠性,老化筛筛选,(,例）,试验名称,所排除的故障,筛选方法,高温存放,表面沾污，氧化层针孔,125-150C,24-168 hr,温度循环,表面沾污，键合不良，芯片黏结不良,(-65C)/150C),250 cycle,振动,键合不良，芯片开裂，引线开短路,数十g, 50Hz振动10-60s,偏压试验,金属颗粒，沾污，针孔,10-150C, 24-250V,可靠性性试试试验,(1),可靠性性评价价不可可能等等待器器件自自然失失效后后再进进行测测试和和分析析，而而是通通过一一系列列模拟拟环境境和加加速试试验，使器器件在在较短短的时时间内内失效效，然然后再再进行行失效效机理理的分分析。,加速因因子包包括潮潮气、温度度、一一般的的环境境应力力和剩剩余应应力等等。,设计合合理的的加速速试验验，可可以达达到检检测器器件可可靠性性的目目的。,选择合合适的的样本本数也也是可可靠性性试验验的关关键参参数之之一，因为为样本本数少少了，不能能真实实反映映器件件的可可靠性性，样样本数数太大大的话话，又又会造造成资资源的的浪费费，需需用数数理统统计方方法，合理理选择择样本本数。,可靠性性试试试验(2),对于使使用寿寿命很很长、可靠靠性很很高的的产品品来讲讲，在在60的的置信信度(confidencelevel)下下，以以每千千小时时0.1的失失效速速率(即10,3,FIT)测测试产产品，则无无失效效时间间长达达915,000小小时，即若若器件件样本本数为为915，则要要测试试1,000小小时才才会有有一个个器件件失效效；若若器件件的样样本数数为92，则要要测试试10,000小时时才会会有一一个器器件失失效，这样样的测测试即即不经经济又又费时时，因因此，必须须在加加速使使用条条件下下进行行测试试。由由于失失效分分析是是按照照抽样样的方方法进进行分分析，所以以，在在分析析失效效速度度时要要用到到许多多统计计的方方法，包括括根据据可靠靠性要要求设设计的的置信信度和和样本本数，按照照实验验结果果进行行数学学模型型的建建立和和分析析，然然后推推导出出器件件的预预期寿寿命。,加速测测试(1),加速试试验的的目的的是在在于让让确实实存在在的缺缺陷提提前暴暴露出出来，而不不是为为了诱诱导产产生新新的缺缺陷或或让存存在的的缺陷陷逃脱脱,加速力力选择择要与与器件件可靠靠性要要求紧紧密关关联，否则则可能能对改改进设设计、材料料选择择、工工艺参参数确确定等等方面面产生生误导导作用用。,加速因因子,加速因因子：,常规条条件下下的失失效时时间,加速试试验条条件下下的失失效时时间,加速因因子不不但与与加速速试验验条件件有关关，,还与失失效机机理、失效效位置置等因因素有有关,加速因因子,At=t1/t2=Exp-Ea/k(1/T,TEST,-T,USE,),t1MTTFatT,TEST,t2MTTFatT,USE,Ea热热激活活能(eV)（和失失效机机理有有关）,Oxide0.8eV,Contamination1.4eV,SiJunctionDefect0.8eV,加速因因子（例）,Test,Temp,No of Device Hr,At T,TEST,Use,Temp,加速因子At,Epqivalent,Device Hr,55C,135C,434750,55C,128,55648000,125C,211000,55C,77,16247000,可靠性性试验验种类类,环境试试验,高温储储存，温度度循环环/冲冲击，高压压蒸煮煮，潮潮湿偏偏压，盐雾雾，耐耐焊接接热,寿命试试验,偏压,高温寿寿命试试验，动态态寿命命试验验，动动态高高温寿寿命试试验,机械试试验,振动/冲击击、加加速度度、可可焊性性、键键合强强度,ESD测试试,高温工工作寿寿命（HTOL),条件：125,o,C或或150,o,C，Vccmax，,frequencymax,至至少1000devices-hrs,目的：发现现热/电加加速失失效机机理，预估估长期期工作作的失失效率率,失效机机理：高温下下芯片片表面面和内内部的的缺陷陷进一一步生生长，可动动离子子富集集导致致的表表面沟沟道漏漏电，使结结特性性退化化.电电场场加速速介质质击穿穿，高高温加加速电电迁移移等,(对大大功率率器件件，可可采用用常温温功率率负荷荷的方方式使使结温温达到到额定定值),高温反反偏试试验,(HRB),适用高高压MOSFET功功率管管(例如如600V/4A),条件：125,o,Cor150,o,C，,Vgs=0V,Vds=80%ofmaxBVdss,Duration:(168,500),1000hr,目的：加速速耐高高压性性能退退化,失效机机理：高温温，高高电压压作用用下离离子沾沾污,活动改改变电电场分分布,高温反反偏试试验数数据例例,Total Lots Tested,71,Total Devices Tested,2031,Total Equiv. Devices Hours 125,o,C,1959430,Number of Failure,0,Failure Rate (FIT) 125,o,C 60% UCL,470,Failure Rate (FIT) 90,o,C 60% UCL,28,MTTF (Years) 125,o,C 60% UCL,243,MTTF (Years) 90,o,C 60% UCL,4060,温度循循环（T/C）,条件：500cycles,-65to+150ataramprateof25/minandwith20mindwellateachtemperatureextreme,目的：模拟环境境温度变变化,考考核温度度交替变变化对产产品机械械/电性性能的影影响，暴暴露粘片片/键合合/塑封封等封装装工艺/材料缺缺陷，及及金属化化/钝化化等圆片片工艺问问题,失效机理理：不同材料料间热膨膨胀系数数差异造造成界面面热匹配配问题，造成金金线断裂裂、键合合脱落致致使开路路，塑封封开裂使使密封性性失效、界面分分层使热热阻增大大 、钝钝化层开开裂、硅硅铝接触触开路、芯片开开裂,高压蒸煮煮（PCT/Autoclave）,条件：,121,o,C/100%RH，205kPa（2atm），168hrs,目的：,检验器件件抵抗水水汽侵入入及腐蚀蚀的能力力。,失效机理理：,湿气通过过塑封体体及各界界面被吸吸入并到到达芯片片表面,在键合合区形成成原电池池而加速速铝的腐腐蚀。另另外，水水汽带入入的杂质质在器件件表面形形成漏电电通道。,高温高湿湿电加速速（THB/HAST）,条件：THB85,o,C/85%RH，Vccmaxstaticbias，1000hrsHAST 130,o,C/85%RH/2atm，Vccmax bias，100hrs（,24hrsHAST1000hrsTHB）,目的：模拟非密密封器件件在高温温高湿环环境下工工作，检检验塑封封产品抗抗水汽侵侵入并腐腐蚀的能能力,失效机理理：相对高压压蒸煮，偏置电电压在潮潮湿的芯芯片表面面加速了了铝线及及键合区区的电化化学腐蚀蚀。同时时，水汽汽或塑封封体内的的杂质在在电应力力作用下下富集在在键合区区和塑封封体内引引脚之间间而形成成漏电通通道。,常用可靠靠性试验验汇总表表 (1),Test,Test condition,Simulated environment,Applicable standards,Low-temperature operating life,低温工作寿命,-10/Vcc max/max frequency/min 1,000 device hr/outputs loaded to draw rated current,field operation in sub-zero environment,JEDEC-STD-22 TM-A 106,High-temperature operating life,高温工作寿命,+125 or 150/Vcc max/max frequency/min 1,000 device hr/outputs loaded to draw rated current,field operation in normal environment,MIL STD-883 method 1005,Temperature cycling,温度循环,500 cycles, -65 to +150 at a ramp rate of 25/min and with 20 min dwell at each temperature extreme,day-night, seasonal, and other changes in environment temperature,MIL-STD-883 method 1010C,常用可靠靠性试验验汇总表表 (2),Test,Test condition,Simulated environment,Applicable standards,Temperature cycling, humidity, and bias,60 cycles, Vcc ON/OFF at 5-min interval, 95%RH, +30 to +65 with heating and cooling time of 4hr each and a dwell of 8hr at each temperature extreme,slow changes in environment conditions while device is operating,JEDEC STD-22 TM-A 104,Power and temperature cycling,功率和温度循环,only on devices experiencing rise in junction temperature greater than 20; min 1,000 cycles of 40 to +125,changes in environment temperature while device is operating,JEDEC STD-22 TM-A 106,常用可靠靠性试验验汇总表表 (3),Test,Test condition,Simulated environment,Applicable standards,Thermal shock,热冲击,500 cycles of 55 to +125,rapid change in field or handling environment,MIL-STD-883 method 1011B,High tempera-ture storage,高温存储,150, for 1,000hr min,storage,MIL-STD-883 method 1008,Temperature humidity bias,Vcc max/85/85%RH/1,000hr min,operation in high-humidity environment,JEDEC STD-22 TM-A 108,Highly accelerated stress test,Vcc max/130/85%RH/240hr min,operation in high-humidity environment,JEDEC STD-22 TM-A 110,常用可靠靠性试验验汇总表表 (4),Test,Test condition,Simulated environment,Applicable standards,Pressure cooker (autoclave),121C 2atm,96 to 240 hr,JEDEC A102B,Moisture resistance,10 cycle 25 to 65C,RH=90 TO 98%,MIL STD 883 1004,Salt atmosphere,盐雾试验,10 to 50 gr of NaCl,/metres 2 35C,MIL STD 883 1009,常用可靠靠性试验验汇总表表 (5),Test,Test condition,Simulated environment,Applicable standards,Mechanical shock,5 shock pulses of g-level and duration as per device specification along a particular axis,avionics or spacecraft launch environment,MIL-STD-2002,Vibration variable frequency,variation from 20 to 2,000Hz and back to 20Hz, duration of more than 4 min,avionics or spacecraft launch environment,MIL-STD-2007,Constant acceleration,30000 G 1min,MIL-STD-2001,Solderability,215 to 245C 3 to 5 seconds,JEDEC B102B,（五）失失效模式式和失效效分析,Distributionoffailureincommercial IC,失效模式式,芯片工艺艺引起的的失效,封装引起起的失效效,失效模式式,芯片工工艺引起起的失效效,失效因素,失效现象,失效原因,表面退化,输入输出反向电流增大，耐压降低，Vt漂移,氧化层可动电荷,布线失效,电极间开路，无功能,金属电迁移，金属腐蚀,氧化层缺陷,电极间短路,氧化层针孔，裂纹,失效模式式,封装工工艺引起起的失效效,键合不良良金金属间化化合物；焊球脱脱焊,塑封裂缝缝湿湿气侵入入；键合合线断裂裂,塑封料流流变空空洞；键键合线断断裂,塑封应力力芯芯片裂纹纹；铝膜膜变形；键合线线断裂,温度循环环后芯片片和框架架间黏结结变坏,失效分析析流程,失效器件件,足够,信息,数据分析析,外观检查查,使用信息息,失效分析析流程（续）,需,X,线？,测试,X-ray,专门测,试？,烘烤,图示仪,测试,气密封装,？,Burn-in,测试,Fail,气密测试,失效分析流程程（续）,开封,测试,目检异常,？,失效机理,清楚？,应用分析,技术,改进措施,失效分析技术术工具,Sophisticated benchtesting equipment:,Curvetrace （图示仪仪）;BenchTesting,Microprobing,Package analysis:,X-ray;Acousticmicroscope（声学显微微镜）,Decapsulation techniques（开开封技术）, Chemicalanddry depassivating method（去去除钝化层技技术）,失效分析技术术工具,Internal visualinspection（目检）: Microscope（显微镜镜）, Scanningelectronmicroscope（扫描电子显显微镜）,Defect location:,Emission microscope(发发射电子显微微镜），Liquid CrystalAnalysis(液晶）,其他： SIMS（二次次离子质谱）,FIB（聚焦离子束束）,XPS（X射线光光电能谱仪）,AES（俄歇能谱仪仪）,X射线成像术术,声扫描显微镜镜成像原理(1),Whatare UltrasonicWaves?,Ultrasonicwaves refer tosound waves above 20 kHz(notaudible to thehuman ear),Characteristicsof UltrasonicWaves,Freely propagate throughliquids and solids,Reflect atboundaries ofinternal flawsand changeof material,Capable ofbeing focused,straighttransmission,Suitable for Real-Time processing,Harmless to thehuman body,Non-destructiveto material,SONAR,A-Scans are therawultrasonicdata. AnA-Scan isa graph of Voltage(electrical response) over a periodof time.Thetime-scaleis displayed horizontally andhasunitsin millionthsof asecond (micro-seconds).,Percent Full ScreenHeight (%FSH),unitsareusedinstead ofvoltage.,The,Digital Oscilloscope,displays A-Scans inthe Sonixsoftware.,Initial Pulse -Occurs when pulserdischargesandtransduceroscillates.,Time= 0Sec,Time= 0,Initial Pulse,FrontSurface,Die,2nd Echoes,WaterPath,Voltage,Time,(micro-seconds),Transducer,Region ofInterest,1,1,2,2,3,3,4,4,Pulse-Echo,声扫描显微镜镜成像原理(2),失效机理分析析,机械原因,热的原因,电的原因,辐射原因,化学原因,失效分析机机械原因,包括一般的冲冲击、振动（如汽车发动动机罩下面的的电子装置）、填充料颗颗粒在硅芯片片上产生的应应力、惯性力力（如加农炮炮外壳在发射射时引信受到到的力）等，这些负荷对对材料和结构构的响应有弹弹性形变、塑塑性形变、弯弯曲(buckle)、脆性或柔性性断裂(fracture) 、界界面分层、疲疲劳裂缝产生生及增殖、蠕蠕变(creep)及蠕蠕变开裂等,容易开裂的部部位,金属疲劳引起起的断裂,失效分析热热的原因,包括芯片粘结结剂固化时的的放热、引线线键合前的预预加热、成型型工艺、后固固化、邻近元元器件的重新新加工(rework)、浸锡、波波峰焊、回流流焊等，热负负荷造成的影影响在于材料料的热膨胀，由于材料之之间的CTE失配，引起起局部应力，导致失效,失效分析电电的原因,突然的电冲击击（如汽车发发动时的点火火）、由于电电压不稳和电电传输过程中中突然的振荡荡（如接地不不良）而引起起的电流波动动、静电电荷荷、电过载或或输入电压过过高、电流过过大，电负荷荷造成介电击击穿、电压表表面击穿、电电能的热损耗耗、电迁移，还会引起电电锈蚀、由于于枝蔓晶生长长而引起的漏漏电流、电热热降解等,失效分析辐辐射原因,封装材料中微微量的放射性性元素（如铀铀、钍等放射射性元素）引引起的,粒子辐射，尤尤其对存储器器有影响，会会引起器件性性能下降及包包封料的降聚聚作用，在器器件表面覆盖盖聚酰亚胺涂涂层或用人工工合成的填充充料都是解决决的途径,失效分析化化学原因,环境造成的锈锈蚀、氧化、离子表面枝枝蔓生长等都都会引起失效效，而潮湿环环境下的潮气气进入则是最最主要的问题题，进入塑封封料中的潮气气，会将材料料中的催化剂剂等其它添加加剂中的离子子萃取出来，生成副产品品，进入芯片片上的金属焊焊盘、半导体体结构、材料料的界面等，激活失效机机理,开裂产生及及延伸,钝化层开裂裂,界面,分层,Cross-sectionalviewusing TOF and amplitudedata.Allows you to see:,Voids,DieTilt,PackageCracks,Topof Package,Die,PopcornCrack,Delamination& Crack,balllift-off,化学锈蚀,Cl-Na+,Fe+,Lead,Corrosion,Micro gap,Moisture,Ion,Migration,Al+4Cl,-,-Al(Cl),-,4,+3e-,2Al(Cl),-,4,+6 H,2,O-2Al(OH),3,+6H,+,+ 8Cl,化学锈蚀（例）,ESD失效效（例）,9,、静夜四无邻邻，荒居旧业业贫。2022/11/42022/11/4,Friday, November 4,2022,10,、雨中黄叶树树，灯下白头头人。2022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/20228:24:39 PM,11,、以我我独沈沈久，愧君君相见见频。2022/11/42022/11/42022/11/4,Nov-2204-Nov-22,12,、故人人江海海别，几度度隔山山川。2022/11/42022/11/42022/11/4,Friday,November4,2022,13,、乍见见翻疑疑梦，相悲悲各问问年。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,14,、他他乡乡生生白白发发，旧旧国国见见青青山山。04十十一一月月20222022/11/42022/11/42022/11/4,15,、比比不不了了得得就就不不比比，得得不不到到的的就就不不要要。十一一月月222022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,16,、行动出出成果，工作出出财富。2022/11/42022/11/4,04November2022,17,、做前，能够环环视四周周；做时时，你只只能或者者最好沿沿着以脚脚为起点点的射线线向前。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,9,、没有失失败，只只有暂时时停止成成功！。2022/11/42022/11/4,Friday, November 4, 2022,10,、很多多事情情努力力了未未必有有结果果，但但是不不努力力却什什么改改变也也没有有。2022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/20228:24:39PM,11,、成功功就是是日复复一日日那一一点点点小小小努力力的积积累。2022/11/42022/11/42022/11/4,Nov-2204-Nov-22,12,、世间成事事，不求其其绝对圆满满，留一份份不足，可可得无限完完美。2022/11/42022/11/42022/11/4,Friday,November4,2022,13,、不知香积寺寺，数里入云云峰。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,14,、意志坚强的的人能把世界界放在手中像像泥块一样任任意揉捏。04 十一月月 20222022/11/42022/11/42022/11/4,15,、楚塞三湘接接，荆门九派派通。十一月 222022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,16,、少年十五二二十时，步行行夺得胡马骑骑。2022/11/42022/11/4,04 November 2022,17,、空空山山新新雨雨后后，天天气气晚晚来来秋秋。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,9,、杨杨柳柳散散和和风风，青青山山澹澹吾吾虑虑。2022/11/42022/11/4,Friday,November4,2022,10,、阅读一一切好书书如同和和过去最最杰出的的人谈话话。2022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/20228:24:39PM,11,、越是是没有有本领领的就就越加加自命命不凡凡。2022/11/42022/11/42022/11/4,Nov-2204-Nov-22,12,、越是无能能的人，越越喜欢挑剔剔别人的错错儿。2022/11/42022/11/42022/11/4,Friday,November4,2022,13,、知人者智智，自知者者明。胜人人者有力，自胜者强强。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,14,、意志坚坚强的人人能把世世界放在在手中像像泥块一一样任意意揉捏。04十十一月20222022/11/42022/11/42022/11/4,15,、最具挑战性性的挑战莫过过于提升自我我。十一月 222022/11/42022/11/42022/11/4,11/4/2022,16,、业余生活要要有意义，不不要越轨。2022/11/42022/11/4,04 November 2022,17,、一个人即使使已登上顶峰峰，也仍要自自强不息。2022/11/42022/11/42022/11/42022/11/4,MOMODA POWERPOINT,Lorem ipsum dolor sit amet, consectetur adipiscing elit. Fusce id urna blandit, eleifend nulla ac, fringilla purus. Nulla iaculis tempor felis ut cursus.,感谢您的下载载观看,专家告诉,
展开阅读全文