半导体发光二极管讲义

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,South China Normal University,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,South China Normal University,半导体发光二极管,定义：半,导体,p-n,结或与其类似的结构加电压时以高效率发光的,器件。,Light emitting diode,LED,二十世纪,90,年代才研制出高亮度,LED,。,颜色：紫,外、紫光、蓝光、绿光、黄光、橙光、红光、红外、,白光,http:/ vapor deposition,（,MOCVD,）,生长参数：,温度、气压、原材料、,流量、掺杂剂量,热电偶,尾气管,GaN,-MOCVD,反应室管,有机源,NH,3,光学探头,冷却水,尾气管,(CH,3,),3,Ga+NH,3,GaN,+3CH,4,H2,LED,外延片结构：,同质结、异质结、双异质结、量子阱、量子点,发光二极管材料的选择,：,1.,带隙宽度合适,2.,有合适的衬底材料,3.,可获得高电导率,n,型和,p,型材料,4.,载流子复合几率大,可获得,异质,结或,量子阱结构,蓝宝石,缓冲层,未,掺杂,GaN,n-GaN:Si,P-,AlGaN:Mg,Barrier,GaN,Well,InGaN,P-,GaN:Mg,金属电极,n-AlGaN:Si,金属电极,量子阱,（,2,）芯片制备：,光刻,刻蚀,镀膜,光刻、刻蚀,合金,镀膜,镀膜,光刻、刻蚀,合金,光刻、刻蚀,外延片,工序：,光刻、刻蚀、镀膜、合金、划片（切割）、裂片、分选,设备：,光刻机、刻蚀机、电子束蒸发台（镀膜机）、合金炉、磨片机、划片机、裂片机、,芯片分选设备,制备环节多，各环节的稳定性，成品率对于规模化生,产极为重要。,增加外量子效率：厚的窗口层及透明基板,表面编织,改变芯片几何形状,采用光子晶体技术,（,3,）、,LED,封装：,工序：装架、键合、封装、等,国内绝大数公司从事,LED,封装和应用产品生产,外延片生长和芯片制备产业薄弱,