第8章 光电式传感器

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第,8,章 光电式传感器,将光量转换为电量的器件称为,光电传感器或光电元件。,光电式传感器的,工作原理,是：首先把被测量的变化转换成光信号的变化，然后通过光电转换元件变换成电信号。光电传感器的工作基础是光电效应。,8.1,光电效应概述,光电效应按其作用原理可分为外光电效应和内光电效应。,一,.,外光电效应,在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面，向外发射的现象称为外光电效应。,基于外光电效应的光电器件由,光电管、光电倍增管,等。,我们知道，光子是具有能量的粒子，每个光子具有的能量由下式确定。,根据爱因斯坦的假设，一个光子的能量只能给一个电子，因此，如果要使一个电子从物质表面逸出，光子具有的能量必须大于该物质表面的逸出功,A0,，这时,其中,m-,电子质量,v-,电子逸出的速度,1.,光电子能否产生，取决于光子的能量是,否大于该物体的表面电子逸出功,A,。,2.,一定时，产生的光电流和光强成正比。,3.,逸出的光电子具有动能。,结论：,二,.,内光电效应,受光照的物体的导电率发生变化，或产生光生电动势的效应叫内光电效应。内光电效应又可分为以下两大类。,1,）,光电导效应,。在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过渡到自由状态，而引起材料电阻率变化，这种效应称为光电导效应。基于这种效应的器件有光敏电阻等。,红限频率：,光子的能量等于逸出功时的光子频率,2,）,光生伏特效应,。在光线作用下能够使物体产生一定方向电动势的现象叫光生伏特效应。基于该效应的器件有光电池和光敏晶体管等。,一,.,普通光电管,在一个真空泡内装有两个电极：光电阴极和光电阳极。光电阴极通常是用逸出功小的光敏材料徐敷在玻璃泡内壁上做成，其感光面对准光,的照射孔。当光线照射到光敏材料上，便有电子逸出，这些电子被具有正电位的阳极所吸引，在光电管内形成空间电子流，在外电路就产生电流。,8.2,光电管,二,.,光电倍增管,1.,结构与原理,由于真空光电管的灵敏度较低，因此人们便研制了光电倍增管，其工作原理如图。,2.,主要参数,1,）,倍增系数,M,电流放大倍数,M,与所加电压有关，一般在,105,108,之间。一般阳极和阴极的电压为,1000V,2500V,，两个相邻的倍增电极的电压差为,50V,100V,。,2,）阴极灵敏度和总灵敏度,一个光子在阴极上能够打出的平均电子数叫做光电阴极的灵敏度。而一个光子在阳极上产生的平均电子数叫做光电倍增管的总灵敏度。,光电倍增管的放大倍数或总灵敏度如图所示。,光电池是一种直接将光能转换为电能的光电器件。光电池在有光线作用下实质就是电源,电路中有了这种器件就不需要外加电源。,一,.,结构与工作原理,光电池的工作原理是基于,“,光生伏特效应,”,。它实质上是一个大面积的,PN,结,当光照射到,PN,结的一个面,例如,p,型面时,若光子能量大于半导体材料的禁带宽度,那么,p,型区每吸收一个光子就产生一对自由电子和空穴,电子空穴对从表面向内迅速扩散,在结电场的作用下,最后建立一个与光照强度有关的电动势。,8.3,光电池,二,.,光电池的基本特性,1.,光谱特性,硒光电池和硅光电池的光谱特性如左图,不同的光电池，光谱峰值的位置不同。例如，硅光电池在,8000A,附近，硒光电池在,5400A,附近。,2.,光照特性,光照度定义为单位面积上所接收的光的辐射能通量。单位勒克斯。,Lx(W/m2),反映短路电流、开路电压与光照度的关系。,短路电流在很大范围内与光照强度成线性关系,光电池工作于短路电流状态，可做检测元件。,开路电压（负载电阻,RL,无限大时）与光照度的关系是非线性的,并且当照度在,2000 lx,时就趋于饱和了。光电池工作于开路电压状态，可做开关元件。,3.,温度特性,温度特性主要描述开路电压与短路电流随温度变化的情况。如图所示,.,把光电池作为测量器件应用时,应保证温度恒定或采取温度补偿措施。,J,M,J1,12V,2A,51K,L,39K,470uf,三,.,光电池的应用,1.,自动干手器,手,放入干手器时，手遮住灯泡发出的光，光电池不受光照，晶体管基极正偏而导通，继电器吸合。风机和电热丝通电，热风吹出烘手。手干抽出后，灯泡发出光直接照射到光电池上，产生光生电动势，使三极管基射极反偏而截止，继电器释放，从而切断风机和电热丝的电源。,8.4,光敏电阻,为了防止周围介质的影响,在半导体光敏层上覆盖了一层漆膜,漆膜的成分应使它在光敏层最敏感的波长范围内透射率最大。,1.,光敏电阻的结构,它是涂于玻璃底板上的一薄层半导体物质,半导体的两端装有金属电极,金属电极与引出线端相连接,光敏电阻就通过引出线端接入电路。,2.,光敏电阻的工作原理,光敏电阻又称光导管,它几乎都是用半导体材料制成的光电器件。光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,使用时既可加直流电压,也可以加交流电压。,无光照时,光敏电阻值（暗电阻）很大,电路中电流（暗电流）很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时,它的阻值（亮电阻）急剧减少,电路中电流迅速增大。一般希望暗电阻越大越好,亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级,亮电阻在几千欧以下。,3,光敏电阻的主要参数,）暗电阻,光敏电阻在不受光时的阻值称为暗电阻,此时流过的电流称为暗电流。,）亮电阻,光敏电阻在受光照射时的电阻称为亮电阻,此时流过的电流称为亮电流。,）光电流,亮电流与暗电流之差称为光电流。,4,光敏电阻的基本特性,1,）,伏安特性,：,在一定照度下,流过光敏电阻的电流与光敏电阻两端的电压的关系,一定光照，,R,一定，,I,正比于,U,。,一定电压，,I,随着光照,E,增强而增大。,ERI,。,2),光照特性（光电流与光照度的关系）,光敏电阻的光照特性为非线性，不宜作检测元件，主要用于自动控制中。,3,）光谱特性（,Kr%,）,光敏电阻的相对光敏灵敏度与入射波长的关系称为光谱特性。亦称为光谱响应。,不同材料，其峰值波长不同。,同一种材料，对不同波长的入射光，其相对灵敏度不同，响应电流不同。,应根据光源的性质，选择合适的光电元件（匹配）使光电元件得到较高得相对灵敏度。,4,）温度特性,温度变化影响光敏电阻的光谱响应。,硫化铅光敏电阻的光谱温度特性曲线,它的峰值随着温度上升向波长短的方向移动。,因此,硫化铅光敏电阻,要在低温、恒温的条件下使用。对于可见光的光敏电阻,其温度影响要小一些。,5.,光敏电阻的应用,1.,光照度计,农作物日照时数测定。,输出接单片机的,I/O,口，每,2,分钟对此口查询,1,次，为高电平，计数一次，为低电平，不计数。,1,天查询,720,次。,无光照,V0=VL,。有光照,V0=VH,。,2.,带材跑偏检测仪,光敏二极管与三极管,一,.,光敏二极管,1.,工作原理与结构,光敏二极管的结构与普通二极管一样，都有一个,PN,结，两根电极引线，而且都是非线性器件，具有单向导电性。不同之处在于光敏二极管的,PN,结状在管壳的顶部，可直接受到光的照射，其结构和电路如图所示。,没有光照射时,，,处于反向偏置的光敏二极管，,工作于截止状态,这时只有少数载流子在反向偏压的作用下，渡越阻挡层，形成微小的反向电流即暗电流。这时反向电阻很大,。,当光照射在,PN,结上时,光子打在,PN,结附近,PN,结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使,P,区和,N,区的少数载流子浓度大大增加，因此在反向外加电压和内电场的作用下,P,区的少数载流子渡越阻挡层进入,N,区，,N,区的少数载流子渡越阻挡层进入,P,区,，,从而使通过,PN,结的反向电流大为增加，,形成光电流。这时二极管,处于导通状态。,光的照度越大,光电流越大。,2.,光敏二极管的基本特性,1,）光谱特性,在入射度一定时，输出的光电流（或相对灵敏度）随光波波长的变化而变化。一种光敏二极管只对一定波长的入射光敏感，这就是它的光谱特性。如图所示。,2,）伏安特性,3,）温度特性,温度变化对光敏二极管输出电流影响较小,但对暗电流的影响却十分显著,.,3.,光敏二极管的应用,1,）光电路灯控制电路,二,.,光敏三级管,光电三极管比具有相同有效面积的光电二极管的光电流大几十至几百倍，但相应速度较二极管差。,1.,工作原理与结构,基极开路，集电极与发射极之间加正电压。当光照射在集电结上时,在结附近产生电子,-,空穴对,电子在结电场的作用下，由,P,区向,N,区运动，形成基极电流，放大,倍形成集电极电流（光电流）,所以光电三极管有放大作用。,2.,光敏三极管的基本特性,1,）,光谱特性与伏安特性,光谱特性与二极管相同，伏安特性如图。,2,）温度特性与光照特性,温度特性与光敏二极管相同，光照特性如图,3.,光敏三极管的应用,1.,脉冲编码器,2.,转速传感器,光电耦合器件,一 光电耦合器,光电耦合器的发光和接收元件都封装在一个外壳内,一般有金属封装和塑料封装两种。发光元件为发光二极管，受光元件为光敏三极管或光敏可控硅。它以光为媒介，实现输入电信号耦合到输出端。,特点：,强弱电隔离。,输入输出极之间绝缘电阻很高。耐压达,2000V,以上。,能避免输出端对输入端地线等的干扰。,对,系统内部噪声有很强的抑制作用。,发光二极管为电流驱动元件，动态电阻很小，对系统内部的噪声有旁路作用。（滤除噪声）,光电耦合器的组合形式,应用于自动控制电路中的强弱电隔离。,二,.,光电开关,光电开关在制造业自动化包装线及安全装置中作光控制和光探测装置。可实现限位控制、产品计数,料位检测，越限安全报警及计算机输入接口等用途。,1.,光电开关结构,透射式和反射式的光电开关。,利用输出电平的状态判断有无被测物。,2.,基本电路（透射式）,如图（,a)(c),无被测物，输出高电平；有被测物，输出低电平。,(b),无被测物，输出低电平；有被测物，输出高电平。,一、光谱,光波,：,波长为,1010,6,nm,的电磁波,可见光：,波长,380780nm,紫外线：,波长,10380nm,，,波长,300380nm,称为近紫外线,波长,200300nm,称为远紫外线,波长,10200nm,称为极远紫外线,红外线：,波长,78010,6,nm,波长,3m,（即,3000nm,）,以下的称近红外线,波长超过,3m,的红外线称为远红外线。,光谱分布如图所示。,光 谱,远紫外,近紫外,可见光,近红外,远红外,极远紫外,0.01,0.1,1,10,0.05,0.5,5,波长,/,m,频率,/Hz,光子能量,/,eV,10,15,510,14,10,14,510,13,100,10,1,50,5,0.5,510,15,10,16,310,18,光的波长与频率的关系由光速确定，真空中的光速,c,=2.9979310,10,cm/s,，,通常,c,310,10,cm/s,。,光的波长,和频率,的关系为,的单位为,Hz,，,的单位为,cm,。,=310,10,cm/s,