TEM在晶体学中的简单应用

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,TEM,在晶体学中的简单应用,SADE,SAED,SADE,常见的电子衍射花样,01,CONTENTS,SADE,选区电子衍射基本原理,02,电子衍射花样分析,03,1,第,部分,常见的电子衍射花样,常见的电子衍射花样,01,SADE,2,第,部分,选区电子衍射（,SAED,）基本原理,选区电子衍射（,SAED,）基本原理,02,SADE,选区,电子衍射借助设置在,物,镜平,面,的,选区光阑,，可以对产生衍射的样品区域进行选择，并对选区范围的大小加以限制，从而实现形貌观察和电子衍射的微观对,应，,可做到,晶,体样品的形貌特征与晶体学性质的原位分析,。,选,区光阑,用于挡住光阑孔以外的电子束，只允许光阑孔以内视场所对应的样品微区的成像电子束通过。使得在荧光屏上观察到的电子衍射花,样,仅,来自于选区范围,内晶,体,的贡献。实际上，选区形貌观察和电子衍射花样不能完全对应,，选,区衍射存在一定误差，所选区,域外,样品晶体对衍射花样也有贡献。,因此，选区范围不宜太小，否则将带来太大的误差。对于,100kV,的透射电镜，最小的选区衍射范围约,0.5m,；加速电压为,1000kV,时，最小的选区范围可达,0.1m,。,SADE,选区电子衍射原理示意图,选区电子衍射（,SAED,）基本原理,02,SADE,选区电子衍射分析,技术特点,1,、晶体样品,形貌特征,和微区,晶体学性质,得到,同时反映,；,2,、电子衍射花样,直观反映晶体的点阵结构,和晶体取向,；,3,、电子衍射花样,：,单,晶体,排列整齐的斑点,；,多,晶体,不同半径的同心圆环,；,3,第,部分,电子衍射花样分析,电子衍射花样分析,03,SADE,不同入射方向的,C-ZrO2,衍射斑点（,a,）,111,（,b,）,011,（,c,）,001,（,d,）,112,1,） 单晶衍射花样,电子衍射花样分析,03,SADE,单晶衍射花样分析（标,准花样对照,法）,将,实际观察、记录到的衍射花样直接与标准花样,对比,，写出斑点的指数并确定晶带轴的方向,，是,一种简便易,行且常,用的方法,。,所,谓,标准花样,就是各种晶体点阵主要晶带的倒易截面，它可以根据晶带定理和相应晶体点阵的消光规律绘出,(,二维倒易面的画法,),。,由,近及远测定各个斑点的,R,值；,根据衍射基本公式,R=,L/d,求出相应晶面间距；,查,ASTM,卡片，找出对应的物相和,hkl,指数；,确定,(hkl),，求晶带轴指数；,因,为电子显微镜的精度有限，很可能出现几张卡片上,d,值均和测定的,d,值相近，此时应根据待测晶体的其它资料，如化学成份等来排除不可能出现的相,。,电子衍射花样分析,03,SADE,NiFe,多晶纳米薄膜的电子衍射,2,） 多晶衍射花样,多晶电子衍射图,是一系列,同心圆环,，圆环的半径与衍射面的面间距有关。,电子衍射花样分析,03,SADE,多,晶电,子衍射花,样分析,测,量各个衍射环的半径,ri,；,计,算各,ri,2,并找出整数比值规,律，估,计所鉴定材料的,晶体,结构或点阵类型；,用,公式,r,i,d,i,=L,计,算,di,；,估,计各衍射环的相对强度，由三强线的,d,值查,ASTM,卡索,引找出最符合的几张卡片再核,算,d,值和,相对,强度，并参照实际情况确定物相。,电子衍射花样分析,03,SADE,3,） 非晶态物质衍射花样,THANKS,SADE,SADE,