半导体光电子学课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,半导体光电子学,插图,2019.4.07,半导体光电子学插图,1,地球表面 平均太阳能,4,x10,24,J/,年，或者,5 x 10,20,J/,小时,2019,年全球能量的消耗,4x10,20,J/,年,美国,美国,2,半导体光电子学课件,3,半导体光电子学课件,4,半导体光电子学课件,5,半导体光电子学课件,6,半导体光电子学课件,7,半导体光电子学课件,8,半导体光电子学课件,9,半导体光电子学课件,10,半导体光电子学课件,11,平衡态,空穴(positive),P,N,电子(negative),扩散流,漂移流,内建电场,当外加电压为零时，PN结处于平衡状态.PN结中有效电流为零。由载流子分布不同造成的扩散电流与PN结边界外累积电荷所形成的内建场产生的漂移电流抵消。,平衡态空穴(positive)P N电子(negative,12,正向注入,p,N,+,_,正向电压,扩散流,漂移流,内建电场,加上一个与内建电场方向相反的正向电压,由于它的作用使得PN结内部的势垒变窄.。因此扩散电流要大于漂移电流，从而使得少数载流子能够越过势垒.由于复合效应，少数载流子的分布随着与PN结边界距离的增加而减小。,(以空穴行为为例),正向注入pN+_正向电压扩散流漂移流内建电场加上一个与内建电,13,反向抽取,P,N,负向偏压,扩散流,漂移流,_,+,内建电场,PN结两端加上一个负向偏压,它与内建电场的方向相同,因此在PN结边缘处的积累电荷会被抽取出来.当边缘处的电荷被抽取完之后，内部的载流子就会随着复合而消失。,(以空穴行为为例),反向抽取P N负向偏压扩散流漂移流_+内建电场PN结两端加上,14,半导体光电子学课件,15,半导体光电子学课件,16,半导体光电子学课件,17,半导体光电子学课件,18,半导体光电子学课件,19,半导体光电子学课件,20,半导体光电子学课件,21,半导体光电子学课件,22,半导体光电子学课件,23,半导体光电子学课件,24,