材料的制备方法课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,材料的制备方法,按照物质的结晶状态来划分：,单晶态,多晶态,非晶态,按照物质的尺寸来划分：,体材料,薄膜材料,单晶材料的制备方法,直拉法,区熔法,布里奇曼法,熔炼合金,电弧，感应线圈，激光束,烧结氧化物,多晶材料的制备方法,特点：,电弧是气体的一种弧光放电。呈现弧状白光并产生高温的气体放电现象。,无论在稀薄气体、金属蒸气或大气中，当电源功率较大，能提供足够大的电流几安到几十安，使气体击穿，发出强烈光辉，产生高温几千到上万度，这种气体自持放电的形式就是弧光放电。,通常产生弧光放电的方法是使两电极接触后随即分开，因短路发热，使阴极外表温度陡增，产生热电子发射。热电子发射使碰撞电离及阴极的二次电子发射急剧增加，从而使两极间的气体具有良好的导电性。弧光放电的特征是电压不高，电流增大的两极间电压反而下降，有强烈光辉。,电弧炉,电弧炉即是用这种原理熔炼金属的工业炉.,在真空环境下的电弧炉就是真空电弧炉.真空电弧熔炼采用大电流低电压，属于短弧操作，。一般电弧电压为2265V，对应弧长为2050mm,感应炉,加热线圈通入变频电流产生的磁力线集中在被加热物上，由电磁的感应作用，产生涡旋电流，将被加热物加热,用交流电流流向被卷曲成环状的导体通常为铜管，由此产生磁束，将金属放置其中，磁束就会贯穿金属体，在与磁束自缴的方向产生涡电流旋转电流，于是感应电流在涡电流的影响下产生发热，用这样的加热方式就是感应加热。,感应加热时在距离感应线圈越近，产生的涡流越大，引起的热效应了越大。,感应线圈是一般用一圈或数圈的铜管来做，一般采用水冷的方式对线圈进行冷却。,快淬的方法甩带,在高真空条件下将熔融态金属或合金喷射到高速旋转的铜辊上快速冷却以得到非晶态亚稳材料薄带。,非晶材料的制备方法,薄膜的制备方法,物理气相沉积,利用物质的某种物理过程来实现物质原子从源物质到薄膜的可控制转移的过程,化学气相沉积,利用气态的先驱物，通过原子、分子间化学反响的途径生成固态薄膜的技术,物理气相沉积,蒸发法,利用物质的热蒸发现象,特点：较高的沉积速度，相对较高的真空度,溅射法,利用带有电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向预被溅射的物质做成的靶电极。在离子能量适宜的情况下，入射出来的原子带有一定的动能，并且会沿着一定的方向射向衬底，从而实现薄膜的沉积,特点：在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对衬底的附着力较好,蒸发法,在较高的真空度条件下，不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长的平均自由程，可以直接沉积到衬底外表上，而且还可以确保所制备的薄膜具有较高的纯洁程度,蒸发装置的分类：,电阻式蒸发装置,电子束蒸发装置,电弧蒸发装置,激光蒸发装置,空心阴极蒸发装置,电阻式蒸发装置,特点：,电阻加热材料一般均为一些难熔金属，如,W,、,Ta,、,Mo,设备简单,来自坩埚、加热元件以及各种支撑部件的可能的污染,加热的功率或加热的温度也有一定的限制,电子束蒸发装置,工作原理：,被加热的物质被放置于水冷的坩埚中，电子束只轰击到其中很少的一部份物质，而其余的大局部物质在坩埚的冷却作用下一直处于很低的温度，即后者实际上变为了被蒸发物质的污染,电弧蒸发装置,工作原理：,在电弧蒸发壮装置中，使用欲蒸发的材料制成放电的电极。在薄膜沉积时，依靠调节真空室内电极间距的方法来点燃电弧，而瞬间的高温电弧将使电极端部产生蒸发从而实现物质的沉积。控制电弧的点燃次数或时间就可以沉积出一定厚度的薄膜,激光蒸发装置,工作原理：,使用高功率的激光束作为能源进行薄膜的蒸发沉积,空心阴极蒸发装置,工作原理：,在中空金属Ta管制成的阴极和被蒸发物质制成的阳极之间加上一定幅度的电压，并在Ta管内通入少量的Ar气时，可在阴阳两极之间产生放电现象。这时，Ar离子的轰击会使Ta管的温度升高并维持在2000K以上的高温下，从而能够发射出大量的热电子。将热电子束从Ta管内轰击阳极，即可导致物质的热蒸发，并在衬底上沉积出薄膜,溅射法,溅射法沉积薄膜的过程中，离子的产生过程和等离子体的产生或气体的放电现象密切相关,溅射装置的分类：,直流溅射装置,射频溅射装置,磁控溅射装置,反响溅射装置,直流溅射装置,特点：,设备较为简单,不能独立地控制各个工艺参数,使用的气体压力也较高10Pa，溅射速度较低，这不利于减少气氛中的杂质对薄膜的污染以及溅射效率的提高，因此目前直流溅射方法已较少采用,溅射导电性较差的非金属靶材，需要提高直流溅射电源的电压，以弥补靶材导电性缺乏而引起的电压降，因此这种方法不适用于导电性很差的非金属材料的溅射,射频溅射装置,特点：,交流电源的频率低于,50kHz,，通常使用频率区间为,5-30kHz,适用于各种金属和非金属材料的溅射,磁控溅射装置,磁控溅射的特点：,在溅射装置中引入磁场，既可以降低溅射过程的气体压力也可以在同样的电流和气压的条件下显著提高溅射的效率和沉积的速率,溅射法的缺点：,溅射方法沉积薄膜的沉积速率较低,溅射所需要的工作气压较高，否那么电子的平均自由程太长，放电现象不易维持,反响溅射装置,化合物是在原子沉积的过程中，由溅射原子与活性气体分子在衬底外表发生化学反响而形成,在通入Ar气的同时通入相应的活性气体，从而抑制化合物的分解倾向，另一方面，也可以采用纯金属作为溅射靶材，但在工作气体中混入适量的活性气体，例如O2、N2、NH3、CH4、H2S等，使金属原子与活性气体在建设沉积的同时生成所需的化合物。,再见,