基本光刻工艺流程课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,基本光刻工艺流程,光刻的目的和意义第四章已做过简单的描述，这一章主要介绍基本光刻工艺中的,表面准备至曝光,的工艺步骤及光刻胶的特性。,1,简介,光刻工艺首先是,在晶园表面建立尽可,能接近设计规则中所,要求尺寸的图形，其,次是在晶园表面正确,定位图形。,因为最终的图形是用多个掩膜版按照特定的顺序在晶园表面一层一层叠加建立起来的。图形定位的要求就好像是一幢建筑物每一,层之间所要求的正确对准。如,果每一次的定位不准，将会导,致整个电路失效。除了对特征,图形尺寸和图形对准的控制，,在工艺过程中的缺陷水平的控,制也同样是非常重要的。光刻,操作步骤的数目之多和光刻工,艺层的数量之大，所以光刻工,艺是一个主要的缺陷来源,。,2,光刻蚀工艺概况,光刻蚀是一种多步骤的图形转移过程，首先是在掩膜版上形成所需要的图形，之后通过光刻工艺把所需要的图形转移到晶园表面的每一层。,图形转移通过两步完成。首先，图形被转移到光刻胶层。光刻胶经过曝光后自身性质和结构发生变化（由原来的可溶性物质变为非可溶性物质，或者相反）。再通过化学溶剂（显影剂）把可以溶解的部分去掉，在光刻层下就会留下一个孔，而这个孔就是和掩膜版不透光的部分相对应。,其次，把图形从光刻胶层转移到晶园上。这一步是通过不同的刻蚀方法把晶园上没有被光刻胶保护的部分的薄膜层去掉。这时图形转移就彻底完成了。如图所示。,如果掩膜版的图形是由不透光的区域决定的，称其为亮场掩膜版；而在一个暗场掩膜版中，掩膜版上的图形是用相反的方式编码的，如果按照同样的步骤，就会在晶园表面留下凸起的图形。,暗场掩膜版主要用来制作反刻金属互联线。,刚才介绍了对光有负效应的光刻胶，称为负性胶。同样还有对光有正效应的光刻胶，称为正胶。用正性胶和亮场掩膜版在晶园表面建立凸起图形的情况如图,7,所示。,右图显示了用不同极,性的掩膜版和不同极,性的光刻胶相结合而,产生的结果。通常是,根据尺寸控制的要求,和缺陷保护的要求来,选择光刻胶和掩膜版,极性的。,3,光刻,10,步法,把图形从掩膜版上转移到晶园表面是由多个步骤完成的（见图,9,），特征图形尺寸、对准精度、晶园表面情况和光刻层数都会影响到特定光刻工艺的难以程度。虽然许多光刻工艺都不尽相同，但大部分都是基于光刻,10,步法的变异或选项。所以了解和掌握基本的光刻,10,步法是非常必要的。,4,光刻胶,光刻胶是光刻工艺的核心，光刻过程中的所有操作都会根据特定的光刻胶性质和想达到的预期结果而进行微调。光刻胶的选择和光刻工艺的研发是一个非常漫长的过程。,4.1,光刻胶的组成,光刻胶由,4,种,成分组成：,聚合物,溶剂,感光剂,添加剂,聚合物,聚合物是由一组大而且重的分子组成，包括碳、氢和痒。,对负性胶，聚合物曝光后会由非聚合状态变为聚合状态,。,在大多数负性胶里面，聚合物是,聚异戊二烯,类型。是一种相互粘结的物质抗刻蚀的物质，如图所示。,正性胶,的基本聚合物是,苯酚甲醛,聚合物，也称为,苯酚甲醛树脂,。如图所示。,在光刻胶中聚合物是相对不可溶的，用适当能量的光照后变成可溶状态。这种反应称为光溶解反应。,下表列出了用在光刻胶产品上的聚合物，正胶和负胶相对的有点。,溶剂,光刻胶中容量最大的成分是溶剂。添加溶剂的目的是光刻胶处于液态，以便是光刻胶能够通过旋转的方法涂在晶园表面。,感光剂,光刻胶中的感光剂是用来产生或者控制聚合物的特定反应。如果聚合物中不添加感光剂，那么它对光的敏感性差，而且光谱范围较宽，添加特定的感光剂后，可以增加感光灵敏度，而且限制反应光的光谱范围，或者把反应光限制在某一波长的光。,添加剂,光刻胶中的添加剂主要在光刻胶薄膜中用来吸收和控制光线，可以阻止光刻胶没有被曝光的部分在显影过程中被溶解。,5,光刻胶的表现要素,对光刻胶的要求包括一下几个方面：,分辨率,在光刻胶层能够产生的最小图形通常被作为对光刻胶的分辨率。,产生的线条越小，分辨率越高。分辨率不仅与光刻胶本身的结构、性质有关，还与特定的工艺有关，比如：曝光光源、显影工艺等。,粘结能力,光刻胶与衬底膜层（,SiO,2,、,Al,等）的粘结能力直接影响光刻的质量。不同的衬底表面，光刻胶的粘结能力是不同的。负性胶通常比正性胶有更强的粘结能力。,曝光速度 灵敏性和曝光源,光刻胶的感光灵敏度反应了光刻胶感光所必须的照射量，而照射量正比于光的强度和感光时间。光强度是和光源特定的波长有关系。不同光源（射线）对应的波长如下图所示。,波长越短的光源（射线）能量越高。,除了普通光源，经常还根据不同需要选择,X,射线,或者,电子束,作为曝光光源。那么光刻胶灵敏性作为一个参数，使通过能够使基本的反应开始所需要的能量总和来衡量的，它的单位是,mJ/,平方厘米,负性胶通常的曝光时间是,5,15,秒，而正性胶则需要用上,3,4,倍的时间。,工艺宽容度,整个光刻过程步骤之多，而且每一步骤都会影响最终的图形尺寸，,另外每一工艺步骤都有它的内部变异。不同的光刻胶对工艺变异的容忍性都不一样。那么，容忍性越高，在晶园表面达到所需要尺寸的可能性就越大，或者说工艺的宽容度就越大。,针孔,所谓针孔是指光刻胶层中尺寸非常小的空穴。可以是涂胶工艺中由环境中的微粒污染物造成的，也可以由光刻胶层结构上的空穴造成。针孔是有害的，因为它可以允许刻蚀剂渗过光刻胶层进而在晶园表面层刻蚀除小孔。,阶梯覆盖度,随着晶园表面上膜层的不断增加，表面不再是完全平坦化的，,如图所示。,所以要求光刻,胶必须具有良,好的阶梯覆盖,特性。,6,正胶和负胶的比较,在工艺发展的早期，负胶一直在光刻工艺中占主导地位，随着,VLSI IC,和,2,5,微米图形尺寸的出现，负胶已不能满足要求。随后出现了正胶，但正胶的缺点是粘结能力差。,用正胶需要改变掩膜版的极性，这并不是简单的图形翻转。因为用掩膜版和两种不同光刻胶结合，在晶园表面光刻得到的尺寸是不一样的（见下图）由于光在图形周围的衍射效应，使得用负胶和亮场掩膜版组合在光刻胶层上得到的图形尺寸要比掩膜版上的图形尺寸小。用正胶和暗场掩膜版组合会使光刻胶层上的图形尺寸变大。,（,a,）亮场掩膜版和负胶组合,图形尺寸变小,（,b,）暗场掩膜版和正胶组合,图形尺寸变大,用正胶和暗场掩膜版组合还可以在晶园表面得到附加的针孔保护。如果是亮场掩膜版，大部分区域是空穴，这样，玻璃上的任何缺陷及污染物微粒都会影响光刻质量，若是暗场掩膜版则可以避免上述缺陷的产生，如图所示。,正胶成本比负胶高，但良品率高；,负胶所用的显影剂容易得到，显影过程中图形尺寸相对稳定。,对于要求高的制作工艺选择正胶，而对于那些图形尺寸大于,2,微米的工艺还是选择负胶。图,21,显示了两种类型光刻胶属性的比较。,8,光刻工艺,这一节将介绍基本的光刻工艺,10,步法，包括每一步的目的、技术考虑、选项和工艺控制方法等。,9,表面准备,为确保光刻胶能和晶园表面很好粘结，必须进行表面处理，包括三个阶段：,微粒清除、脱水和涂底胶。,微粒清除,虽然光刻前的每一步工艺（氧化、掺杂等）都是在清洁区域完成的，但晶园表面有可能吸附一些颗粒状的污染物，所以必须给以清除。微粒清除方法见下图。,脱水烘焙,经过清洁处理后的晶园表面可能会含有一定的水分（亲水性表面），所以必须脱水烘焙使其达到清洁干燥（憎水性表面），以便增加光刻胶和晶园表面的黏附能力。,保持憎水性表面通常通过下面两种方法：,一是保持室内温度在,50,以下，并且在晶园完成前一步工艺之后尽可能快的进行涂胶。,另一种方法是把晶园存储在用干燥并且干净的氮气净化过的干燥器中。,除此之外，一个加热的操作也可以使晶园表面恢复到憎水表面。有三种温度范围：,150,200,（低温），此时晶园表面会被蒸发,到了,400,（中温）时，与晶园表面结合较松的水分子会离开。当超过,750,（高温）时，晶园表面从化学性质上讲恢复到了憎水性条件。通常采用低温烘焙，原因是操作简单。,涂底胶,涂底胶的目的是进一步保证光刻胶和晶园表面的粘结能力。底胶的选择必须保证一个很好的黏附和平滑的表面。,底胶的作用是从化学上把晶园表面的水分子系在一起，因此增加了表面的黏附能力。,方法有：,沉浸式 旋转式 蒸汽式,各有优缺点，使用时根据具体情况选择。,10,涂光刻胶,目的是在晶园表面建立,薄而均匀并且没有缺陷,的光刻胶膜。要做到这一点必须用精良的设备和严格的工艺控制才能达到。,厚度：,0.5,1.5m,，均匀性：,0.01m,常用方法：旋转涂胶法,分手动，半自动，全自动,静态涂胶工艺,首先把光刻胶通过管道堆积在晶园的中心，堆积量由晶园大小和光刻胶的类型决定，堆积量非常关键，量少了会导致涂胶不均匀，量大了会导致晶园边缘光刻胶的堆积甚至流到背面，如图所示。,静态旋转工艺,光刻胶膜的最终厚度是由光刻胶的粘度、旋转速度、表面张力和国光刻胶的干燥性来决定的。,光刻胶覆盖,动态喷洒,随着晶园直径越来越大，静态涂胶已不能满足要求，动态喷洒是晶园以,500rpm,的速度低速旋转，其目的是帮助光刻胶最初的扩散，用这种方法可以用较少量的光刻胶而达到更均匀的光刻胶膜。待扩散后旋转器加速完成最终要求薄而均匀的光刻胶膜。,自动旋转器,自动系统如图所示，包含了晶园表面处理、涂底胶,和涂光刻胶,的全部过程，,标准的系统,配置就是一,条流水线。,11,软烘焙,因为光刻胶是一种粘稠体，所以涂胶结束后并不能直接进行曝光，必须经过烘焙，使光刻胶中的溶剂蒸发。烘焙后的光刻胶仍然保持“软”状态。但和晶园的粘结更加牢固。,时间和温度,是软烘焙的参数，,不完全的烘焙在曝光过程中造成图像形成不完整和在刻蚀过程中造成多余的光刻胶漂移；过分烘焙会造成光刻胶中的聚合物产生聚合反应，并且不与曝光射线反应。,负胶必须在氮气中进行烘焙，而正胶可以在空气中烘焙。,烘焙方式参见第,11.1,11.6,节。下表总结了不同的烘焙方式。,12,对准和曝光,对准是把所需图形在晶园表面上定位或对准。而曝光是通过曝光灯或其他辐射源将图形转移到光刻胶涂层上。如果说光刻胶是光刻工艺的“材料”核心，那么对准和曝光则是该工艺的“设备”核心。图形的准确对准是保证器件和电路正常工作的决定性因素之一。,对准系统的性能表现,对准和曝光包括两个系统：一个是要把图形在晶园表面上准确定位（不同的对准机类型的对准系统各不相同）；另一个是曝光系统（包括一个曝光光源和一个将辐射光线导向到晶园表面上的机械装置）。,对准机的性能指标：,分辨率：,机器产生特定尺寸的能力，分辨率越高越好，机器的性能越好。,套准能力：,图形准确定位的能力,其他标准如图所示,对准与曝光系统,最初曝光设备是接触式光刻机和接近式光刻机，而今，光刻机已发展成两大类型，即光学光刻机和非光学光刻机，,如图所示。光学,光刻机采用紫外,线作为光源，而,非光学光刻机的,光源则来自电磁,光谱的其他成分。,曝光光源,普通光源光的波长范围大，图形边缘衍射现象严重，满足不了特征尺寸的要求。所以作为晶园生产用的曝光光源必须是,某一单一波长的光源；,另外光源还必须通过,反射镜和透镜,，使光源发出的光转化成一束平行光，这样才能保证特征尺寸的要求。,最广泛使用的曝光光源是,高压汞灯,，它所产生的光为紫外光（,UV,），为获得更高的清晰度，光刻胶被设计成只与汞灯光谱中很窄一段波长的光（称为深紫外区或,DUV,）反应。,除自之外，现今用的光源还有：,准分子激光器、,X,射线和电子束,。,对准法则,第一次光刻只是把掩膜版上的,Y,轴与晶园上的平边成,90,，如图所示。,接下来的掩膜版都用对准,标记与上一层带有图形的,掩膜对准。对准标记是一,个特殊的图形（见图），,分布在每个芯片图形的边,缘。经过光刻工艺对准标,记就永远留在芯片表面，同时