薄膜电池发展二课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,Sharp,硅片生产新工艺,类似,AstroPower?,多晶硅薄膜太阳电池产业化,CSG Solar,公司，,2004,年建于德国,Thalheim,致力于发展以玻璃为衬底的多晶硅太阳电池,技术来源：,Matin Green,和,Paul Basore,等领导下的,10,年的研究成果（,SiH4),产品：,1.4m2,超过,100W,10MW/,年，,2006,年投产,CEO Mr D.Hogg,（公司创建人）,CTO Dr Paul Basore,（公司创建人）,CFO Ms Dawn Mills,（公司创建人）,COO Mr Franz Leibl,多晶硅薄膜太阳电池产业化,Unaxis Solar,2003,成立，借鉴平板显示器工业的薄膜工艺，结合硅太阳电池工艺，致力于发展硅薄膜太阳电池的生产设备，正在寻求合作伙伴,(),技术来源：瑞士,Neuchatel,大学微技术研究所,(IMT),和,Lausanne,联邦技术研究所,(EPFL),发展计划：,-2004,年可以生产,1.4m2,非晶硅太阳电池组件,-2005,年发展非晶硅,/,多晶硅双结太阳电池组件,-2005,年建成第一条规模生产线,铜铟锡太阳电池,同质或和异质结电池,n-CdS/p-CuInSe2,pin CdS/CuInSe2,(ZnCd)/CuInSe2,制备工艺,效率,19%,安装在北威尔士St Asaph 的Welsh Development Agency光学中心 由CIS,太阳电池组件组成的85 kW光伏电站,1 MW CIS太阳电池厂，Wuerth Solar in Marbach,德国,碲化镉,/,镉化硫太阳电池,结构特点：CdTe是II-VI族化合物，闪锌矿结构，晶格常数a=0.16477nm；CdS是II-VI族化合物，纤锌矿结构,光学性能：直接带隙半导体材料，1.5eV,光谱响应与太阳光谱非常吻合，1,m厚度的薄膜可吸收99%所对应的太阳光能量；CdS：直接带隙半导体材料，2.42eV,电学性能：薄膜组分、结构沉积条件、热处理过程对薄膜的电阻和导电类型有很大影响,CdTe/CdS薄膜太阳电池参数的理论值：,开路电压电压Voc=1.05mV；短路电流Jsc 30.8mA/cm2；填充因子FF=83.7%；转换效率约27%,尽管和相差10%，但他们能形成电性能优良的异质结,