倒入黑色聚乙烯片架中

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,光刻根本操作,一、认真核对随工单，检查随工单上的工步与片子数是否与实际相符，假设正确，将其倒入黑盒中，用倒边器检查片子是否有崩边，假设有则查对随工单上是否有标明，假设无，退回上步工序。确定无误后，依据随工单上的要求制作。,二、光刻的主要步骤：,匀胶、前烘、曝光、显影、显影后检查,匀胶：,目的：在硅片外表均匀涂上一层厚度肯定的,光刻胶,预备工作：、泡胶嘴、擦胶嘴、走陪片,、检查胶瓶内光刻胶胶液面,距瓶底5厘米，准时更换新,胶，并填写“换胶记录表”, 、按随工单加工工步、匀胶程序,确定表，选择正确的匀胶程序,留意：在匀胶过程中，如发 生不明缘由的报警应,通知设备人员；停用5分钟以上应先匀3个,陪片，方可进展正式片的匀胶,所有胶类型,加工步类型,程序号,负胶,氧化层及氮化硅层,用,5#,（,0.8um1.1um,）,铝层及钝化层,用,4#,（,1.3um1.6um,）,正胶,氧化层及氮化硅层,用,1#,（,0.9um1.2um,）,铝层及钝化层,用,3#,（,2.2um2.5um,）,前烘,目的：将涂在硅片外表的胶內溶剂充分挥发，,增加抗显影力量,主要步骤：、将匀完胶的硅片从黑色的片架,中倒入白色的四氟片架中,、将硅片放入烘箱中，负胶烘15,分钟，正胶25分钟,、将烘好的硅片取出，倒入黑色,聚乙烯片架中,留意：操作时必需带上手套操作,曝光,目的：将掩膜版上的图形复印到硅片上,主要步骤：,、检查光刻版：将光刻版放在UV灯下检查，,照射反面检查是否有颗粒，假设有用氮气吹,掉，切忌不要吹正面,、装版：将版盒翻开，开口方向背对自己，,将光刻版正面朝下，箭头朝左下方，扣上,版盒，预备曝光,、上版与对版：,RTLDRCHG/N,FILE NAME = C,：,MK609-,RETICLE NAME = M2,EXECUTE,？,X,Y,、 曝光操作：,FEXPPRNT/IO,。,。,PARAMETER CHECK COMPLETE (YOR N)=_N_,找到 EXP. TIME= 按“空格”修改曝光时间见下页“曝光时间确定表”,HOW MANY WAFERS = _1_,待片子上到载片台后，手动对准标记进展,曝光，显影，检验，确认无误后，对硅片连续,进展曝光,一次曝光为,NEXP,所用胶类型,加工步类型,曝光时间,负胶,氧化层,湿法腐蚀片,200ms500ms,带胶注入片,200ms500ms,氧化硅层（孔）,200ms500ms,铝层,100ms300ms,钝化层（压点）,200ms400ms,正胶,氧化层,湿法腐蚀片,200ms400ms,带胶注入片,200ms460ms,氧化硅层（孔）,200ms400ms,铝层,500ms700ms,钝化层（压点）,500ms1000ms,曝光时间确定表,目的：将未感光局部的负性光刻胶溶除，留下感光局部的胶膜；将感光局部的正性光刻胶 除，留下未感光局部的胶膜,留意事项：、检查N2压力不低于22PSI，真空,压力必需大于22或23Hg/cm2,显,影液压力调制15PSI,、检查显影液是否够，假设不够，要,准时添加,、机器假设消失故障，准时通知班长,或技术员,显影,光刻胶性质,加工步骤,显影程序号,热板程序号,负胶,氧化层，氮化硅层，铝，压点,1#,1#,光刻后带胶注入,1#,2#,正胶,铝层,2#,1#,氧化层，氮化硅层,1#,1#,PI,钝化层,手动,20,秒,留意：氧化层光刻后带胶注入的片子一,定要走热盘,目的：确定光刻胶成像状况及外表状况是否符,合要求，以确定能否进展下道工序,根本步骤：、UV灯下检查光刻胶是否有划,伤、沾污或掩盖不完全的状况,、显微镜下检查是否没有光刻胶,图形、重复曝光、浮胶、图形,套偏错行，错位、接触不,良、曝光不适度、光刻胶掩盖,不完全、显影不彻底、连条、,沾污、缺口、毛刺等现象,显影后检查,思考题,1、匀正式片之前为什么要泡胶嘴、走陪片？,2、曝光时先曝光一片进展试片，你认为是否,有必要，为什么？,3、光刻后带胶注入的片子为什么要走热盘？,