第7章-半-导-体-存-储-器课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,数字电子技术 Digital Electronics Technology,第七章,半 导 体 存 储 器,许昌学院电子技术课程组,（数字部分）,数字电子技术 Digital Electronics Tec,1,主要内容：,7.1,概述,7.2,只读存储器,7.3,随机存储器,7.4 存储容量的扩展,7.5 用存储器实现组合逻辑函数,教学内容及教学要求,主要内容：教学内容及教学要求,2,1.掌握ROM、RAM相关概念、分类、特点,2.掌握RAM的扩展方式,3.熟悉RAM的结构和操作过程,一.重点掌握的内容：,二.一般掌握的内容：,1.了解二极管、晶体管,ROM,的基本结构和存储单元结构；,2.会用,ROM,实现组合逻辑函数。,1.掌握ROM、RAM相关概念、分类、特点一.重点掌握的内容,3,7.1,概述,半导体存储器是一种能存储大量二值信息的半导体器件。,按存储功能分,只读存储器（ROM）,随机存储器（RAM）,按制造工艺分,双极性,MOS型,7.1 概述 半导体存储器是一种能存储大,4,7.2,只读存储器（,ROM,),优点：,电路结构简单，断电后数据不丢失，具有非易失性。,缺点：,只适用于存储固定数据的场合。,电路结构,Read Only Memory,7.2 只读存储器（ROM)优点：电路结构简单，断电后,5,只读存储器分类：,掩膜ROM：,出厂后内部存储的数据不能改动，只 能读出。,PROM：,可编程，只能写一次。,EPROM:,用紫外线擦除，擦除和编程时间较慢，次数也不宜多。,E,2,PROM:,电信号擦除，擦除和写入时需要加高电压脉冲，擦、写时间仍较长。,快闪存储器(Flash Memory)：,吸收了EPROM结构简单，编程可靠的优点，又保留了E,2,PROM用隧道效应擦除的快捷特性，集成度可作得很高。,只读存储器分类：掩膜ROM：出厂后内部存储的数据不能改动，只,6,例1,2位地址输入，4位地址输出，二极管存储器,如图所示。,7,例2,MOS管ROM结构如图所示,数据表为,例2 MOS管ROM结构如图所示,8,熔丝型PROM存储单元的原理图如图所示。,没使用前，全部数据为1,要存入0：,找到要输入0的单元地址，输入地址代码，使相应字线输出高电平,在相应位线上加高电压脉冲，使DZ导通，大电流使熔断丝熔断,熔丝型PROM存储单元的原理图如图所示。,9,7.3,随机存储器（,RAM,),优点：,读、写方便,使用灵活。,缺点：,一旦停电所存储的数据将随之丢失（易失性）。,基本结构：,地址译码器、存储矩阵和读写控制电路构成。,Random Access Memory,.,.,.,P368图7.3.2,作业：7.1 7.2,7.3 随机存储器（RAM)优点：读、写方便,使用灵活,10,1静态随机存储器SRAM,电路结构,SRAM主要由存储矩阵、地址译码器和读/写,控制电路三部分组成,1静态随机存储器SRAM电路结构,11,2114RAM（10244位）的结构框图,2114RAM（10244位）的结构框图,12,2. 动态随机存储器(DRAM),动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元,组成,下图是单管动态MOS存储单元，它只有一,个NMOS管和存储电容器,C,S,C,O是位线上的,分布电容(,C,O,C,S)。,2. 动态随机存储器(DRAM) 动态RAM的存储矩阵,13,7.4,存储容量的扩展,字线,位线,存储容量字数位数,存储容量2,2,444,地址输入端,数据输出端,7.4 存储容量的扩展字线位线存储容量字数位数存储容量,14,位扩展,8片10241位RAM接成10248位的RAM。,位扩展 8片10241位RAM接成10248位的RAM。,15,字扩展,4片2568位的RAM接成1024 8位的RAM。,字扩展 4片2568位的RAM接成1024 8位的RAM,16,7.5,用存储器实现组合逻辑函数,例7.5.2,试用ROM产生如下一组多输出逻辑函数,7.5 用存储器实现组合逻辑函数例7.5.2 试用RO,17,解：,化为最小项之和的形式：,解：化为最小项之和的形式：,18,第7章-半-导-体-存-储-器课件,19,作业：7.3 7.5 7.8,7.9 7.10,作业：7.3 7.5 7.8,20,