实验二钢的淬火回火工艺及组织与性能

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Deposition,CVD,):,利用气态,的,的先驱反,应,应物,通,过,过原子、,分,分子间化,学,学反应的,途,途径生成,固,固态薄膜,的,的技术。,气体输入,强制对流,自然对流,气相扩散,表面吸附,表面反应,表面脱附,薄膜形成,气体传输与气相反应,气相沉积,化学气相,沉,沉积过程,中,中的各个,动,动力学环,节,节,:,()气,体,体放电:,.,直流辉,光,光放电等,离,离子体化,学,学气相沉,积,积,:,直流气体,放,放电体系,模,模型,()气,体,体放电的,伏,伏安特性,曲,曲线:,阴阳极之间的电位降主要发生在负辉光区之前,维持辉光放电所必须的电离大部分发生在阴极暗区,这也是薄膜沉积过程中最感兴趣的两个区域。,()等,离,离子体增,强,强化学气,相,相沉积(,PECVD,):,在低压化,学,学气相沉,积,积过程的,同,同时,利,用,用气体放,电,电产生等,离,离子体,并,并对沉积,过,过程施加,影,影响的薄,膜,膜制备技,术,术。,()等,离,离子体产,生,生方法:,微波辅助,PECVD,、,射频辉光,放,放电,PECVD,、,直流辉光,放,放电,PECVD,()直,流,流辉光放,电,电,PECVD,沉积原理,:,:,直流电源,气体,石英玻璃,活性基团,衬底,抽气,直流电源,.,类金刚,石,石薄膜介,绍,绍:,()碳,原,原子杂化,方,方式:,金刚石结构,石墨结构,碳原子有,sp,3,、,sp,2,、,sp,1,三种键合,方,方式。,sp,3,态:金刚,石,石结构。,sp,2,态:石墨,结,结构。,(,2,),类,类,金,金,刚,刚,石,石,薄,薄,膜,膜,结,结,构,构,:,:,类,金,金,刚,刚,石,石,薄,薄,膜,膜,中,中,同,同,时,时,含,含,有,有,sp,3,、,sp,2,和,sp,1,杂,化,化,碳,碳,。,。,其,其,中,中,sp,2,杂,化,化,碳,碳,和,和,sp,3,杂,化,化,碳,碳,含,含,量,量,较,较,多,多,,,,,sp,1,杂,化,化,碳,碳,含,含,量,量,非,非,常,常,少,少,,,,,可,可,忽,忽,略,略,。,。,t-aC,sp,2,H,sp,3,a-C:H,No film,diamond,graphite,Polymer-like,Graphitic,t-aC:H,sp,3,、,sp,2,和,H,成分组成的三元相图,性能,金刚石,类金刚石,石墨,Density(g/cm,3,),3.51,1.8 3.6,2.26,Atomic Number Density(Mole/cm,3,),0.3,0.2 0.3,0.2,Hardness(Kgf/mm,2,),10000,2000-8000,500,Friction Coeff.,0.05,0.03 0.2,0.1,Refractive Index,2.42,1.8 2.6,2.15 1.8,Transparency,UV-VIS-IR,VIS-IR,Opaque,Resistivity(,W,cm),10,16,10,10,-10,13,0.2 0.4,类,金,金,刚,刚,石,石,薄,薄,膜,膜,具,具,有,有,高,高,硬,硬,度,度,、,、,低,低,摩,摩,擦,擦,系,系,数,数,、,、,高,高,电,电,绝,绝,缘,缘,性,性,能,能,、,、,高,高,耐,耐,磨,磨,耐,耐,蚀,蚀,性,性,、,、,高,高,热,热,导,导,率,率,、,、,在,在,可,可,见,见,到,到,紫,紫,外,外,光,光,范,范,围,围,内,内,透,透,明,明,、,、,良,良,好,好,的,的,绝,绝,缘,缘,性,性,和,和,化,化,学,学,稳,稳,定,定,性,性,、,、,优,优,异,异,的,的,生,生,物,物,兼,兼,容,容,性,性,等,等,,,,,受,受,到,到,越,越,来,来,越,越,多,多,人,人,的,的,关,关,注,注,。,。,(,),),类,类,金,金,刚,刚,石,石,薄,薄,膜,膜,的,的,性,性,能,能,与,与,应,应,用,用,:,:,性,能,能,:,:,VCR Head Drum,Wrist Pin,Hard Disk&Slider,CD/DVD Mold,Spacer Tool,Form Die,DigitalVCRTape,Razor Blade,应,用,用,:,:,五,、,、,实,实,验,验,方,方,法,法,和,和,步,步,骤,骤,(,1,),根,根,据,据,实,实,验,验,目,目,的,的,,,,,设,设,定,定,工,工,艺,艺,参,参,数,数,。,。,(,2,),用,用,超,超,声,声,波,波,清,清,洗,洗,器,器,清,清,洗,洗,玻,玻,璃,璃,基,基,片,片,和,和,单,单,晶,晶,硅,硅,基,基,片,片,15,分,钟,钟,,,,,清,清,洗,洗,时,时,加,加,入,入,丙,丙,酮,酮,或,或,酒,酒,精,精,,,,,清,清,洗,洗,后,后,用,用,氮,氮,气,气,吹,吹,干,干,。,。,(,3,),将,将,清,清,洗,洗,好,好,的,的,基,基,片,片,放,放,入,入,沉,沉,积,积,室,室,里,里,面,面,的,的,样,样,品,品,台,台,上,上,,,,,然,然,后,后,关,关,好,好,真,真,空,空,室,室,门,门,。,。,(,4,)仔细检查,水,水源、气源,和,和电源正常,后,后,打开冷,却,却循环水。,(,5,),抽真空,。首先用机,械,械泵抽真空,,,,开启真空,泵,泵,打开机,械,械泵的真空,阀,阀门,一段,时,时间后(约,10,分钟)打开,热,热偶真空计,测,测量真空度,,,,待真空室,内,内气压达到,1Pa,左右,然后,开,开启分子泵,及,及分子泵的,阀,阀门,用分,子,子泵与机械,泵,泵一起抽真,空,空,一段时,间,间后(约,30,分钟)打开,电,电离真空计,测,测量真空,度,度,待室内,气,气压达到需,要,要的本底真,空,空度(约,110,-3,Pa,),然后关,闭,闭电离真空,计,计。,(,6,)真空度达,到,到所需要的,本,本底真空度,后,后,关闭分,子,子泵,机械,泵,泵仍然工作,。,。打开气瓶,,,,开始通入,Ar,和,CH,4,或,C,2,H,2,气体,通过,质,质量流量控,制,制器控制,Ar/CH,4,或,Ar/C,2,H,2,的比例。,(,7,)根据实验,条,条件设定工,作,作气压,打,开,开直流电源,,,,施加预设,的,的功率,产,生,生等离子体,,,,观察等离,子,子体产生,的,的过程及颜,色,色等。,(,8,)设定基片,温,温度,打开,偏,偏压电源并,在,在基片上施,加,加预设的负,偏,偏压。,(,9,)根据工艺,参,参数沉积类,金,金刚石薄膜,20,分钟,然后,结,结束镀膜,,之,之后关闭电,源,源和气体。,(,10,)薄膜在真,空,空状态下搁,置,置一段时间,。,。待冷却后,,,,关机械泵,。,。打开充气,阀,阀对真空室,充,充气后,打,开,开真空室门,,,,取出薄膜,进,进行观察。,(,11,)合上真空,室,室门,将真,空,空室内抽到,一,一定真空后,,,,然后关掉,机,机械泵,关,掉,掉总电源,,切,切断冷却水,。,。,六、实验报,告,告要求,(,1,)描述实验,过,过程中观察,到,到的各种现,象,象,并给出,合,合理的解释,。,。,(,2,)实验装置,中,中各主要部,分,分的用途。,(,3,)阐述等离,子,子体的产生,原,原理。,(,4,)详细记录,实,实验过程、,工,工艺参数及,实,实验步骤,,写,写出类金刚,石,石薄膜制备,实,实验报告。,七、实验注,意,意事项,(,1,)实验之前,须,须认真阅读,有,有关仪器的,使,使用说明,,理,理解仪器操,作,作规程及其,先,先后操作步,骤,骤的关系;,(,2,)在开启直流,辉,辉光放电等,离,离子体增强,化,化学气相沉,积,积系统之前,,,,需要确保,冷,冷却水已经,打,打开;,(,3,)实验结束,后,后关闭水、,电,电和气体。,八、思考题,(,1,)注意分子,泵,泵的开启时,机,机,为什么,刚,刚开始抽真,空,空不能直接,开,开动分子泵,?,?在对真空,室,室进行通气,时,时为何要关,闭,闭分子泵?,(,2,)热偶规管,和,和电离规管,的,的工作原理,是,是什么?它,们,们
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