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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,3.3第二级,第三级,第四级,第五级,黄君凯 教授,黄君凯 教授,3.2,氧化过程中杂质再分布,3.2.1,影响的因素,（,1,）杂质在 界面附近的,分凝系数,（,2,）杂质在氧化硅中的扩散系数：,快扩散,与,慢扩散,（,3,）氧化过程中 界面的,推进速率,黄君凯 教授,3.2.2,再分布过程,:,在硅衬底深处的杂质平衡浓度,;:,在 附近的杂质平衡浓度,结论,硅中的杂质再分布影响着工艺和性能,（界面陷阱特性、阈值电压、接触电阻等）,图,3-10,热氧化引起的杂质再分布过程,氧化物吸收杂质,氧化物吸收杂质,氧化物析出杂质,氧化物析出杂质,黄君凯 教授,3.3,二氧化硅掩模特性,3.3.1,氧化硅膜特性,栅氧化膜：,MOS,器件（,520 nm,）,选择性掩模：阻挡高温下杂质离子的扩散（,0.51.0 mm,）,3.3.2,掩模特性（温度和时间）,表,3-1,中的扩散常数,快扩散,黄君凯 教授,图,3-12,最小氧化硅掩模厚度,图,3-11,杂质在 中的扩散系数,黄君凯 教授,3.4,氧化层质量,:,晶向为,晶向为,:,晶向为,晶向为,:,氧化中加氯能固定钠离子而减少污染,图,3-13,热氧化硅中电荷,黄君凯 教授,3.5,氧化层厚度表征,3.5.1,比色法,根据颜色表比照晶片颜色确定厚度。,3.5.2,轮廓法,通过轮廓仪拖动精细探针滑过薄膜层，由信号变化记 录膜厚度。,3.5.3,椭圆偏光法,通过光偏振状态差别测出膜厚度及折射率。,
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