CMOS集成电路制造工艺

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,CMOS,集成电路制造工艺,形成N阱,初始氧化,淀积氮化硅层,光刻1版，定义出N阱,反应离子刻蚀氮化硅层,N阱离子注入，注磷,形成P阱,去掉光刻胶,在N阱区生长厚氧化层，其它区域被氮化硅层保护而不会被氧化,去掉氮化硅层,P阱离子注入，注硼,推阱,退火驱入,去掉N阱区的氧化层,形成场隔离区,生长一层薄氧化层,淀积一层氮化硅,光刻场隔离区，非隔离区被光刻胶保护起来,反应离子刻蚀氮化硅,场区离子注入,热生长厚的场氧化层,去掉氮化硅层,形成多晶硅栅,生长栅氧化层,淀积多晶硅,光刻多晶硅栅,刻蚀多晶硅栅,形成硅化物,淀积氧化层,反应离子刻蚀氧化层，形成侧壁氧化层,淀积难熔金属Ti或Co等,低温退火，形成C-47相的TiSi,2,或CoSi,去掉氧化层上的没有发生化学反应的Ti或Co,高温退火，形成低阻稳定的TiSi,2,或CoSi,2,形成N管源漏区,光刻，利用光刻胶将PMOS区保护起来,离子注入磷或砷，形成N管源漏区,形成P管源漏区,光刻，利用光刻胶将NMOS区保护起来,离子注入硼，形成P管源漏区,形成接触孔,化学气相淀积磷硅玻璃层,退火和致密,光刻接触孔版,反应离子刻蚀磷硅玻璃，形成接触孔,形成第一层金属,淀积金属钨(W)，形成钨塞,形成第一层金属,淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等,光刻第一层金属版，定义出连线图形,反应离子刻蚀金属层，形成互连图形,形成穿通接触孔,化学气相淀积PETEOS,通过化学机械抛光进行平坦化,光刻穿通接触孔版,反应离子刻蚀绝缘层，形成穿通接触孔,形成第二层金属,淀积金属层，如Al-Si、Al-Si-Cu合金等,光刻第二层金属版，定义出连线图形,反应离子刻蚀，形成第二层金属互连图形,合金,形成钝化层,在低温条件下(小于300)淀积氮化硅,光刻钝化版,刻蚀氮化硅，形成钝化图形,测试、封装，完成集成电路的制造工艺,CMOS集成电路一般采用(100)晶向的硅材料,AA,