EBSD背散射电子衍射的原理

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,背散射电子衍射的原理,E,lectron,B,ack-,S,catter(ed),D,iffraction,（,EBSD,）,1,背散射电子衍射原理,背散射电子衍射技术原理,背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法,背散射电子衍射花样的采集与标定,背散射电子衍射分析基本原理,2,背散射电子衍射仪的工作原理图,背散射电子衍射技术原理,控制方式,电子束控制,样品台控制,3,散射电子强度随散射角的变化,EBSD,样品相对于入射束的放置,背散射电子衍射技术原理,O,Beam,4,菊池衍射花样的产生,背散射电子衍射技术原理,S,5,菊池衍射花样的接收,背散射电子衍射技术原理,6,10,10,100,100,1000,1000,FEGSEM,W-SEM,Resolution (nm),Probe current (nA),100,200,300,400,500,0.5,0,1.0,1.5,Angular accuracy,q,95,(,o,),Probe current (nA),20 keV, Al,20 keV, Al,higher keV,higher keV,背散射电子衍射技术原理,背散射电子衍射的空间分辨率,7,70,倾斜,0, 无倾斜,背散射电子衍射技术原理,背散射电子衍射的空间分辨率,8,（a）平行于转轴，（b）垂直于转轴,背散射电子衍射技术原理,EBSD,空间分辨率的测定,9,背散射电子衍射分析对样品的要求及制备方法,对样品的要求,样品能产生计算机可以识别且能正确标定的菊池衍射花样,要求样品表面平整，无较大的应变,样品的制备方法,金属样品：电解抛光,陶瓷样品：机械抛光,金属基复合材料：离子束刻蚀,实验需要的样品信息,样品中各相的晶体结构，原子在单胞中的位置坐标,10,菊池花样,背散射电子衍射花样的采集与标定,定点,选择菊池线,Hough空间,花样标定,标定校正,晶体取向,11,hough,变换,背散射电子衍射花样的采集与标定,利用hough变换，将菊池衍射花样中的菊池线变换为hough空间（r，,）中的点,12,取向分析基本原理,晶体取向的表示方法,米勒指数：,欧拉角：,取向矩阵：,轴角对：,四元数法：,13,反映晶体转动过程中取向变化的取向矩阵,取向分析基本原理,晶体转动对应的欧拉角,14,晶体坐标系,取向分析基本原理,样品坐标系的选择,晶体坐标系,a,1,，,a,2,，,a,3,样品坐标系,RD,，,TD,，,ND,样品坐标系与晶体坐标系的相对关系,15,晶体取向分析基本原理,晶体坐标系和样品坐标系的变换,设 和 是同一方向分别用晶体坐标系,和样品坐标系表示的指数，则它们可用下式变换,其中M为取向变换矩阵，与欧拉角,1,，,2,有关,16,1,2,欧拉角,取向分析基本原理,欧拉角,17,欧拉角（,1,，,2,）,绕,OZ,轴旋转,1,角；,绕,OX,1,轴旋转角，,OZ,轴到达,OZ,轴位置；,绕,OZ,轴旋转,2,角，,（,XYZ,）坐标系与,（,X Y Z,） 坐标系,重合,取向分析基本原理,欧拉角的形成,x,1,y,1,y,2,1,1,2,2,18,背散射电子衍射取向成像（,OIM,）原理,19,背散射电子衍射取向成像（,OIM,）原理,取向成像（,OIM,）示意图,20,背散射电子衍射取向成像（,OIM,）原理,取向成像图配色,21,多晶硅的取向图（a）采集10min；（b）采集1h,数据采集时间对取向成像图质量的影响,a）,b）,背散射电子衍射取向成像（,OIM,）原理,22,Ni,S,NiS,斜方,Ni,x,S,y,六角,Ni,x,S,y,立方,Ni,x,S,y,正交,Ni,x,S,y,单斜,背散射电子衍射相分析原理,23,Acquire EBSP,Phase Identified!,Index,背散射电子衍射相分析原理,24,