三极管---第二讲课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,1三极管伏安特性曲线（以共发射极组态为例）,（1）三极管输入特性曲线。,反映输入电流,I,B,与输入电压,U,BE,之间的关系曲线称为输入特性曲线，它以输出电压,U,CE,一定值作参考量。当,U,CE, 1V之后，输入特性曲线基本重合。,通常，把三极管电流开始明显增长的发射结电压称为导通电压。,在室温下，硅管的导通电压约为0.6 0.7 V，锗管的导通电压约为0.2 0.3V。,三、三极管的特性曲线及主要参数,(b) 当,u,CE,1V时，,u,CB,=,u,CE,-,u,BE,0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，基区复合减少，同样的,u,BE,下,I,B,减小，特性曲线右移。,(a) 当,u,CE,=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。,u,CE,1V,i,B,(,A),u,BE,(V),20,40,60,80,0.4,0.8,工作压降： 硅管,U,BE,0.60.8V,锗管,U,BE,0.20.3V。,u,CE,=0V,u,CE,=0.5V,死区电压:硅管0.5-0.7V，锗管0.1-0.3V。,（2）三极管输出特性曲线。,反映输出电流 与输出电压,U,之间关系的曲线叫输出特性曲线，它以输入电流 一定值作参考量。,输出特性,I,C,(,m,A ),1,2,3,4,U,CE,(V),3,6,9,12,I,B,=0,20,A,40,A,60,A,80,A,100,A,当U,CE,大于一定的数值时，I,C,只与,I,B,有关，,I,C,=,I,B,。,此区域,称为线性放大区。,此区域中U,CE,U,BE,集电结正偏，I,B,I,C，,U,CE,0.3V称为饱和区。,此区域中 : I,B,=0 , I,C,=I,CEO, U,BE, 死区电压,，称为截止区。, 截止区：,= 0 的输出特性曲线以下的区域。这时各电极电流几乎全为零，三极管内部各极开路，即相当于开关断开。此时管压降,U,CE 近似等于电源电压。,U,BE,U,B,U,E；,有发射结电压U,BE,0.7V；对NPN型锗三极管，有U,BE,0.2V。,饱和区：,每条曲线拐点连线左侧的区域。此时 已不再受,控制，三极管没有电流放大作用。,发射结正偏，集电结正偏 ，即U,CE,U,BE,，,I,B,I,C，,U,CE,的值很小；称此时的电压U,CE,为三极管的饱和压降，用U,CES,表示。一般硅三极管的U,CES,约为0.3V，锗三极管的U,CES,约为0.1V；,三极管的集电极和发射极近似短接，三极管类似于一个开关导通,。,三极管作为开关使用时，通常工作在截止和饱和导通状态；作为放大元件使用时，一般要工作在放大状态。,试判断三极管的工作状态,（a）图中 ， 说明三极管导通。,再计算 ，说明三极管处于放大状态。,（b）图中 很大，说明三极管处于截止状态。,再计算 ，说明三极管处于饱和状态。,（c）图中 ， 说明三极管导通。,（3）温度对三极管伏安特性曲线的影响。,温度对半导体材料的导电性能影响很大，所以温度对三极管的性能也会产生影响。,温度对三极管输入特性的影响,温度升高1,o,C，U,BE,减小约2,2.5mV，具有负的温度系数。若U,BE,不变，则当温度升高时，i,B,将增大，正向特性将左移；反之亦然。,（1）对,的影响,温度对三极管输出特性的影响,温度升高，,I,C,增大，,增大。,温度每升高1,o,C,，,要增加 0.5% 1.0%,（2）对,的影响,温度上升时，输出特性曲线上移,2三极管主要参数,（1）电流放大系数。, 共发直流电流放大系数,。,它是反映三极管直流电流放大能力强弱的参数，它的定义是当,U,CE,为常数时, 共发交流电流放大系数,。,它是反映三极管交流电流放大能力强弱的参数，它的定义是当,U,CE,为常数时,（2）反向饱和电流。, 集,基反向饱和电流,I,CBO,。,它是指三极管发射极开路时，流过集电结的反向漏电电流。, 集,射反向饱和电流,I,CEO,。,它是指三极管基极开路时，集电极与发射极之间加上一定的电压时集电极的电流。,I,CEO,与,I,CBO,的关系为,I,CEO,= (1 +,),I,CBO,除以上参数外，还有一些三极管正常工作时所不能超越的极限参数。,精品课件,！,精品课件,！,