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,单击此处编辑母版,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,新能源纳米材料,1,新能源纳米材料1,上节回顾,1,、气相法(,VLS,)、液相法(,SLS,)法生长纳米线的原理,2,、纳米薄膜的分类,3,、真空蒸发法、溅射法原理,4,、气相法制备纳米薄膜,薄膜的气相生长机理,三种长大方式,5,、液相法制备纳米薄膜:溶胶,-,凝胶法、电化学沉积法,2,上节回顾2,3,气相基元,(B),(,原子、离子、分子及其团簇,),和含量较少的,金属催化剂基元,(A),通过,碰撞、集聚形成合金团簇,,达到一定尺寸后形成液相合金,合金液滴的存在使得气相基元,(B),不断溶入其中,当熔体达到过饱和状态时,合金液滴中即析出晶体,(B),。析出晶体后的液滴成分又回到欠饱和状态,通过继续吸收气相基元,(B),可使晶体再析出生长。如此反复,,在液滴的约束下,可形成一维结构的晶体,(B),纳米线。,1,、气液固(,VLS),生长纳米线,3气相基元(B)(原子、离子、分子及其团簇)和含量较少的金属,被,PVP,覆盖的某些晶面其生长速率将会大大减小,如此导致,Ag,纳米晶的高度各向异性生长,使纳米,Ag,颗粒逐渐生长,Ag,纳米线。如果,PVP,的浓度太高,,Ag,纳米粒子的所有晶面都可能被,PVP,覆盖,这样就会丧失各向异性生长,得到的主要产物将是,Ag,纳米颗粒,而不是一维,Ag,纳米线。,2,、液相法,-,“毒化”晶面控制生长,4,被PVP覆盖的某些晶面其生长速率将会大大减小,如此导致Ag,InP,纳,米线,SLS,生长机制:,在低温加热条件下,溶液中的,前驱物,,会,热分解产生金属,In,液滴,,作为纳米线生长的液态核心;,与此同时,化学反应产物,InP,会不断溶入,In,液滴中,,当溶至,过饱和,后,,就会析出固相,InP,这样又会导致,In,液滴欠饱和,,再,继续溶入,反应产物,InP,又导致过饱和析出,如此反复,就可在,In,液滴的约束下,长成一维纳米线,。,3,、液相法,-,溶液液相固相法(,SLS),5,InP纳米线SLS生长机制:3、液相法-溶液液相固相,其原理为:当源物质的温度升高,其饱和,蒸汽气向四周散发,,此时蒸发原子在各个方向的能量并不相等。将,基片放在蒸气源的上方阻挡蒸气流,,蒸气则在基片上,凝固形成薄膜,。蒸发源不断供给蒸气,薄膜的,厚度随之增加,。也可以采用这种方法制备纳米颗粒材料。,6,4,、真空蒸发法,纳米薄膜,纯度相对较高,,薄膜,结晶形状难以控制,,,附着力低,其原理为:当源物质的温度升高,其饱和蒸汽气向四周散发,溅射法的原理示意图,原理:将要靶材料放在阴极,然后在真空室中充入低压惰性气体,Ar,。在阴阳极之间数千伏的高电压的作用下,产生,辉光放电,现象,形成溅射所需要的粒子。粒子在电场作用下,轰击靶材,得到所需要的原子或分子。,7,5,、溅射法,溅射法的原理示意图 原理:将要靶材料放在阴极,然后,8,6,、气相法,气相物质的产生,气相,物质,输运,沉积成膜,(a),岛状生长模式,(b),层状生长模式,(c),层状,岛状生长模式,86、气相法气相物质的产生气相物质输运沉积成膜(a)岛状生长,1,、溶液的配制主要是将个组份按,化学计量数之比,,在同一种溶剂中进行反应,,得到均匀的混合溶液,。,2,、溶液中的化合物通过,加水分解、聚合等反应,形成溶胶,3,、将溶胶均匀涂覆于基板上。主要有,旋涂法、提拉法、刷涂法,。,4,、溶胶在基板上反应,形成凝胶,,这时在基板上会,形成一层湿膜,。随着溶剂的蒸发和反应,薄膜变干(,薄膜的厚度与开裂,)。,5,、焙烧热处理。,9,7,、溶胶,-,凝胶法(,sol-gel,),1、溶液的配制主要是将个组份按化学计量数之比,在同一种溶剂中,1,、,复合材料,是由,两种或两种以上,性质不同的材料,通过各种工艺手段组合而成的复合体,2,、纳米材料的四大效应(,量子尺寸效应,)、(,表面效应,)、,(,小尺寸效应,)、(,宏观量子隧道效应),3,、,纳米结构组装体系:,人工纳米结构组装体系,、,纳米结构自组 装体系,10,1、复合材料是由两种或两种以上性质不同的材料,通过各种工艺手,第二章 纳米材料的检测分析技术,教学目的,:讲授纳米微粒的检测分析技术。,重点内容,:,X,射线衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜、扫描隧道显微镜(,STM,)和原子力显微镜。,11,第二章 纳米材料的检测分析技术教学目的:讲授纳米微粒的检测分,纳米颗粒的表征,(),X,射线衍射(,XRD,)可以鉴定物质晶相的尺寸和大小,并根据特征峰的位置鉴定,样品的物相,。,()透射电子显微镜(,TEM,) 可以最直观地给出纳米材料颗粒的,大小、形状、粒度分布,等参数。,TEM,的分辨率大约为,1nm,。,()扫描电子显微镜(,SEM,) 利用电子与物质的相互作用进行成像,主要用于观察,纳米粒子的形貌,。,SEM,的分辨率小于,6nm,。,12,纳米颗粒的表征()X射线衍射(XRD)可以鉴定物质晶相的,2.1 X-,射线的性质,肉眼不能观察到,但可使照相底片感光、荧光板发光和使气体电离;,能透过可见光不能透过的物体;,这种射线沿直线传播,在电场与磁场中不偏转,在通过物体时不发生反射、折射现象,通过普通光栅亦不引起衍射;,这种射线对生物有很厉害的生理作用。,13,2.1 X-射线的性质 肉眼不能观察到,但可使照相底片感光,XRD,定性分析,是利用,XRD,衍射角位置以及强度,来鉴定未知样品的物相组成。各衍射峰的角度及其相对强度是由物质本身的内部结构决定的。目前可用粉末衍射卡片(,PDF,)直接比对。,XRD,定量分析,是利用衍射线的强度来确定物相含量。,14,XRD定性分析是利用XRD衍射角位置以及强度来鉴定未知样品的,15,15,16,16,17,17,18,18,19,19,单物相定性分析,-,多晶,Si,的,XRD,图谱,20,单物相定性分析-多晶Si的XRD图谱20,多相混合物的定性分析,晶体对,X,射线的衍射效应是取决于它的晶体结构的,不同种类的晶体将给出不同的衍射花样。假如一个样品内包含了几种不同的物相,则各个物相仍然保持各自特征的衍射花样不变。而整个样品的衍射花样则相当于它们的迭合,。,除非两物相衍射线刚好重迭在一起,二者一般之间不会产生干扰。这就为我们鉴别这些混合物样品中的各个物相提供了可能。,关键是如何将这几套衍射线分开。这也是多相分析的难点所在。可以想象,一个样品中相的数目越多,重迭的可能性也越大。鉴别起来也越困难。实际上当一个样品中的相数多于,3,个以上时,就很难鉴别了。,21,多相混合物的定性分析晶体对X射线的衍射效应是取决于它的晶体结,多物相定性分析,多相物质的衍射花样是各相衍射花样的机械叠加。,22,多物相定性分析多相物质的衍射花样是各相衍射花样的机械叠加。2,2.1.3,晶粒尺寸的测定,晶粒尺寸是材料形态结构的指标之一。,材料中晶粒尺寸小于,10nm,时,将导致多晶衍射实验的衍射峰显著增宽,。,故根据衍射峰的增宽可以测定其晶粒尺寸。,多晶材料中,晶粒数目庞大,,且,形状不规则,,衍射法所测得的“晶粒尺寸”是,大量晶粒个别尺寸的一种统计平均,。这里所谓“个别”尺寸是指各晶粒在规定的某一面网族的法线方向上的线性尺寸。因此,对应所规定的不同面网族,同一样品会有不同的晶粒尺寸。故要明确所得尺寸对应的面网族。,23,2.1.3 晶粒尺寸的测定晶粒尺寸是材料形态结构的指标之一。,在不考虑晶体点阵畸变的影响条件下,无应力微晶尺寸可以由谢乐公式计算 :,D,:晶粒尺寸(,nm,),:为衍射角,:衍射峰的半高宽,在计算的过程中,需转化为弧度(,rad,),:单色入射,X,射线波长,(,单位:,nm),K,:为,Scherrer,常数,当,为峰的半高宽时,k=0.89,24,在不考虑晶体点阵畸变的影响条件下,无应力微晶尺寸可以由谢,可以求出晶粒的平均尺寸。使用谢乐公式测定晶粒度大小的适用范围,5-300nm,,,晶粒过小,时,晶粒内的重复周期太少,衍射峰过于弥散,使半峰宽测定的准确度下降。,晶粒度大于,300nm,时,,实测的衍射峰宽与仪器变宽十分接近,也会使测定结果的准确度下降。另外,利用,XRD,测得的是晶粒的大小,和晶粒之间是否发生紧密团聚无关。,晶粒度的测定,25,可以求出晶粒的平均尺寸。使用谢乐公式测定晶粒度大小的,500,度:,出现了微弱的衍射峰,无完善的晶体结构,600,度:,几个尖锐的衍射峰,与,PDF,对照,来源于钙钛矿相结构,温度升高,,衍射峰信号增强,并有些峰出现分裂,,钙钛矿晶相结构更完美。,1h,:,形成无定形中间体存在,时间增加:,峰逐渐消失,衍射峰变尖锐。,煅烧温度对晶体状态影响大于时间。,26,500度:出现了微弱的衍射峰,无完善的晶体结构1h:形成无定,500,度,1% SO2,气体中毒,5h,,样品转化为非晶态物质,其,钙钛矿晶体结构被破坏。,700,度中毒,5h,,重新出现晶态,出现新的物质。,500,度中毒反应后,,S,的侵入破坏了原,钙钛矿结构;由于温度较低,不能形成新的晶相,,700,度中毒形成新的晶相物种。,27,500度1% SO2气体中毒5h,样品转化为非晶态物质,其钙,一束电子射到试样上,电子与物质相互作用,当电子的运动方向被改变,称为,散射,。,散射,弹性散射,非弹性散射,电子只改变运动方向而电子的能量不发生变化,电子的运动方向和能量都发生变化,电子显微镜(三代显微镜),2.2,透射电镜(,TEM),28,一束电子射到试样上,电子与物质相互作用,当电子的运动,29,29,透射电子,直接透射电子,以弹性或非弹性散射的透射电子用于透射电镜(,TEM),的成像和衍射,二次电子,如果,入射电子撞击样品表面原子的外层电子,,把它激发出来,就形成低能量的二次电子,在电场的作用下它可呈曲线运动,翻越障碍进入检测器,,使表面凹凸的各个部分都能清晰成像,。,二次电子的强度主要与,样品表面形貌相关,。,二次电子和背景散射电子,共同用于扫描电镜,(,SEM),的成像。,30,透射电子 直接透射电子,以弹性或非弹性散射的透射电子用,特征,X,射线,如果入射电子把样品表面原子的,内层电子撞出,,被激发的,空穴由高能级电子填充,时,能量以,电磁辐射,的形式放出,就产生特征,X,射线,可用于元素分析。,俄歇(,Auger),电子,如果入射电子把,外层电子打进内层,,,原子被激发了,为释放能量而电离出次外层电子,叫俄歇电子。,主要用于轻元素和超轻元素(除,H,和,He),的分析,称为俄歇电子能谱仪,31,特征X射线 如果入射电子把样品表面原子的内层电子撞出,,背景散射电子,入射电子穿达到,离核很近的地方被反射,,,没有能量损失,;反射角的大小取决于离核的距离和原来的能量,实际上任何方向都有散射,即形成背景散射,阴极荧光,如果入射电子使试样的,原子内电子发生电离,,高能级的电子向低能级跃迁时发出的光波长较长(在可见光或紫外区),称为阴极荧光,可用作光谱分析,但它通常非常微弱,32,背景散射电子 入射电子穿达到离核很近的地方被反射,没有,2.2.1,透射电镜(,TEM),基本原理,透射电镜基本构造与光学显微镜相似,主要由,光源、物镜和投影镜,三部分组成,只不过用,电子束代替光束,,用,磁透镜代替玻璃透镜,。光源由电子枪和一或两个聚光镜组成,其作用是得到具有确定能量的高亮度的聚焦电子束。,电子透镜系统,真空系统,供电系统,Transmissim Electnonic Microscopy,透射电镜的构造,33,2.2.1 透射电镜(TEM)基本原理 透射电镜基本,34,34,原理是:由电子枪发射出来的,电子,,在阳极加速,电压,的作用下,,经过聚光镜,会聚为,电子束照明样品,。电子的穿透能力很弱(比,X-,射线弱很多),样品必须很薄(其厚度与样品成分、加速电压等有关,一般约小于200,nm)。,穿过样品的电子携带了样品本身的结构信息,经物镜、中间镜和投影镜的接力聚焦放大最终以图像或衍射谱的形式显示于荧光屏上。,透射电子显微镜由照明系统、成像系统、记录系统、真空系统和电器系统组成。,35,2.2.1,透射电镜(,TEM),基本原理,原理是:由电子枪发射出来的电子,在阳极加速电压的作用下,经过,36,2.2.2,透射电镜的应用,362.2.2 透射电镜的应用,当一电子束照射在单晶体薄膜上时,,透射束穿过薄膜到达感光相纸上形成中间亮斑,;衍射束则偏离透射束形成有规则的,衍射斑点,。,对于多晶体而言,由于,晶粒数目极大且,晶面位向,在空间任意分布,多晶体的倒易点阵,在相纸上的投影将成为一个个同心圆。,电子衍射结果,实际上是得到了,被测晶体的倒易点阵花样,,,对它们进行倒易变换,从理论上讲,就可知道其正点阵的情况,-,电子衍射花样的标定。,2.2.3,电子衍射,37,当一电子束照射在单晶体薄膜上时,透射束穿过薄膜到达感光相纸上,电子衍射与,X,射线的衍射相比的优点:,1,)电子衍射能在同一试样上将,形貌观察与结构分析,结合起来。,2,)物质对电子散射主要是核散射,因此,散射强,约为,X,射线一万倍,曝光时间短。,摄取电子衍射花样的时间只需几秒钟,而,X,射线衍射则需几分钟到数小时。,3,),衍射角很小,,一般为,1-2,度。,38,电子衍射与X射线的衍射相比的优点:38,不足之处:,电子衍射强度,有时几乎与透射束相当,以致两者产生交互作用,使,电子衍射花样,特别是强度分析变得复杂,,不能象,X,射线那样从测量衍射强度来广泛的测定结构。,此外,,散射强度高,导致电子透射能力有限,要求试样薄,这就使试样制备工作较,X,射线复杂;,在精度方面也远比,X,射线低,。,39,不足之处:39,电子衍射花样特征,单晶,就是具有完整晶体外形,(,晶棱,晶面完备,),的单个颗粒,,颗粒内部的晶格是周期排列,从任意晶带轴投射,得到的必然是二维衍射点,。,多晶,,就是一个颗粒里面有多个晶粒,每个晶粒的晶格都是周期性排列的,但这些晶粒的取向都是随意的,一个晶粒产生一些衍射点,出现在晶格对应的,d,值为半径的圆上,,多个晶粒有,不同取向,,,就会形成多个点连成的一个圆,。如果是纯相,测量每个环对应的半径,得到,d,值。,40,电子衍射花样特征40,总之,,电子衍射花样特征,单晶体: 一般为斑点花样;,多晶体: 同心圆环状花样;,无定形试样(准晶、非晶):弥散环。,41,总之,41,A,B,C,A,非晶,B,单晶,C,多晶,42,ABCA非晶42,衍射斑点规则排列,43,衍射斑点规则排列43,锐利的衍射环,44,锐利的衍射环44,弥散的一个衍射环,45,弥散的一个衍射环45,1,制样要求,1,负载的铜网上,铜网直径,2-3 mm,。,2,样品必须薄,电子束可以穿透,在,100 kV,时,厚度不超过,100 nm,,一般在,50nm,。粉体、涂膜、切片、染色,3,样品必须清洁,防尘,无挥发性物质。,4,有足够的强度和稳定性,耐高温、辐射,不易挥发、升华、分解。,(,注意辐射损伤),2.2.4 TEM,测量纳米材料尺寸,a.,方孔,b.,圆孔,46,1制样要求2.2.4 TEM测量纳米材料尺寸a.方孔b.圆,2,基本步骤,1,将样品用超声波振荡分散,除去软团聚。,2,用覆盖有碳膜或其它高分子膜的铜网悬浮液中,捞取或用滴管滴在碳膜上,用滤纸吸干或晾干后,放入样品台。,3,在有代表性且尺寸分布窄的地方,分散好的地方照像。,47,2基本步骤47,3,TEM,法测纳米样品的优缺点,优点:,分辨率高,,1-3,,,放大倍数可达几百万倍,,亮度高,,可靠性和直观性强,是颗粒度测定的绝对方法。,48,3TEM法测纳米样品的优缺点48,缺点:,缺乏统计性,立体感差,制样难,不能观察活体,可观察范围小,从几个微米到几个埃。,1,取样,时,样品少,,可能不具代表性。,2,铜网,捞取的样品少,。,3,观察范围小,,铜网几平方毫米就是,10,12,平方纳米。,4,粒子,团聚严重,时,,观察不到,粒子真实尺寸。,49,缺点:49,50,50,SEM,与,TEM,的主要区别,在原理上,,SEM,不是用透射电子成像,而是用二次电子加背景散射电子成像。,在仪器构造上,除了光源、真空系统相似外,检测系统完全不同。,2.3,扫描电镜(,SEM,),51,SEM与TEM的主要区别在原理上,SEM不是用透射电子成像,2,、样品制备,扫描电镜样品可以是,块状,,也可以是,粉末,,样品直径和厚度一般从,几毫米至几厘米,,根据不同仪器的试样架大小而定。,样品或样品表面要求有良好的导电性,对于绝缘体或导电性差的材料来说,则需要预先在分析表面上蒸镀一层厚度约,10,20 nm,的导电层。否则,形成电子堆积,阻挡入射电子束进入和样品内电子射出样品表面。,导电层一般是二次电子发射系数比较高的金、银、碳和铝等真空蒸镀层。,用导电胶将试样粘到样品台上。,52,2、样品制备52,SEM,样品制备大致步骤:,1.,从大的样品上确定取样部位;,2.,根据需要,确定采用切割还是自由断裂得到表界面;,3.,清洗;,4.,包埋打磨、刻蚀、喷金处理。,53,SEM样品制备大致步骤:53,54,54,Magnification,Scale Bar,55,MagnificationScale Bar55,举例:,1.,反应参数的影响,2024/8/23,页面,56,实验方案:,1.,Ni,丝在,1 M HCl,溶液里进行超声清洗,2.,1 mmol NiCl,2,+2 mmol CoCl,2,+15 mmol NH,4,F+6 mmol CO(NH2)2+30 mL DI 120,度,+10h,3.,反应结束,冷却后取出,Ni,丝,,300,度,+3h,,空气中煅烧。,4.,对所得样品进行,XRD,测试,,SEM,表征等,举例:1. 反应参数的影响2023/8/31页面 56实验方,57,57,新能源纳米材料课件,实验方案:,1.,泡沫镍在,1 M HCl,溶液里进行超声清洗,2.,0.474 g NiCl,2,+0.948 g CoCl,2,+1.08 g CO(NH2)2+30 mL DI 120,度,+6 h,3.,反应结束,冷却后取出泡沫镍,,300,度,+3h,,空气中煅烧。,4.,对所得样品进行,XRD,测试,,SEM,表征等,实验方案:,a. pH=5.5 b. pH=6.1 c. pH=6.8,a. pH=5.5 b. pH=6.1 c.,实验方案:,1.,CNT,纱线在,1 M HCl,溶液里进行超声清洗,2.,1 mmol NiCl,2,+2 mmol CoCl,2,+15 mmol NH,4,F+6 mmol CO(NH2)2+30 mL DI 120,度,+5h,3.,反应结束,冷却后取出,CNT,纱线,,,300,度,+3h,,空气中煅烧。,4.,对所得样品进行,XRD,测试,,SEM,表征等,实验方案:,a-b. 0.5 h, c-d. 1.5 h, e-f. 2.5 h, g-h. 5 h,a-b. 0.5 h, c-d. 1.5 h, e-f. 2,新能源纳米材料课件,SEM,分析样品的优缺点,优点:,1),仪器,分辨本领较高,,通过二次电子像能够观察试样表面,30 ,左右的细节。,2),放大倍数变化范围大,(,一般为,l0800000,倍,),,且能近续可调。,3),观察试样的,景深大,,图像富有立体感。可用于观察,粗糙表面,,如金属断口、催化剂等。,4),样品制备简单,。,缺点:,不导电的样品,需喷金,(Pt,、,Au),处理,,价格高,,分辨率比,TEM,低,64,SEM分析样品的优缺点64,STM,装置图,2.4,扫描隧道电镜(,STM,),65,STM 装置图2.4 扫描隧道电镜(STM)65,扫描隧道电子显微镜的原理不同于传统意义上的电子显微镜它是利用,电子在原子间的量子隧穿效应,。,2.4,扫描隧道电镜(,STM,),基本原理及功能,通过移动着的,探针与物质表面的相互作用,,,表面与针尖间,的隧穿电流反馈出表面某个原子间电子的跃迁,由此可以确定出物质表面的单一原子及它们的排列状态。,66,扫描隧道电子显微镜的原理不同于传统意义上的电子,STM,有两种工作模式,恒电流模式和恒高度模式,(a) (b),图,STM,扫描模式示意图,(a),恒电流模式;,(b),恒高度模式,67,STM有两种工作模式,恒电流模式和恒高度模式图 STM扫描,恒电流模式,是在,STM,图像扫描时始终保持,隧道电流恒定,,,并取出扫描过程中针尖和样品之间,距离变化,的信息,(,该信息也反映样品表面的起伏,),,就可以得到样品表面的原子图像。,68,特点:,STM,的针尖是随着样品表面形貌的起伏而上下移动,针尖不会因为表面形貌起伏太大而碰撞到样品的表面,可用于,观察表面形貌起伏较大的样品,。恒电流模式是一种最常用的扫描模式。,恒电流模式是在STM图像扫描时始终保持隧道电流恒定,,恒高度模式,则是,始终控制针尖的高度不变,,并取出扫描过程中针尖和样品之间,电流变化,的信息,(,该信息也反映样品表面的起伏,),,来绘制样品表面的原子图像。,特点,:,由于在恒高度模式的扫描过程中,针尖的高度恒定不变,当表面形貌起伏较大时,针尖就很容易碰撞到样品。所以,恒高度模式只能用于观察表面形貌起伏不大的样品,。,69,恒高度模式则是始终控制针尖的高度不变,并取出扫描,0,2,4,6,8,10,m,m,STM,技术在,Si(111),面上形成的“中国”字样。最邻近硅原子间的距离为,0.4nm,。,70,0246810mmSTM 技术在Si(111)面上形成的“中,STM,与,AFM,在应用上的主要区别:,扫描隧道电子显微镜主要用于导体的研究,而原子力电子显微镜不仅用于导体的研究,也可用于非导体的研究。在制造原理上,两者的基础是相同的。,原子力电子显微镜是在扫描隧道电子显微镜制造技术的基础上发展起来的。它是利用移动,探针与原子间产生的相互作用力,,将其在三维空间的分布状态转换成图像信息,从而得到物质表面原子及它们的排列状态 。,71,2.5,原子力显微镜(,AFM,),STM与AFM在应用上的主要区别: 原子力电子显,一个对力非常敏感的微悬臂,其尖端有一个微小的探针,当探针轻微地接触样品表面时,由于探针尖端的原子与样品表面的原子之间产生极其微弱的相互作用力而使微悬臂弯曲。将微悬臂弯曲的形变信号转换成光电信号并进行放大,就可以得到原子之间力的微弱变化的信号。,从这里可以看出,原子力显微镜设计的高明之处在于利用微悬臂间接地感受和放大原子之间的作用力,从而达到检测的目的。,72,2.5 AFM,工作原理,一个对力非常敏感的微悬臂,其尖端有一个微小的探针,当,扫描隧道和原子力电子显微镜,一般扫描电子显微镜放大倍数为几十万倍透射电子显微镜的放大倍数可达百万倍以上,扫描隧道电子显微镜的放大倍数通常可达几千万倍,用,STM,测量高定向热解石墨,应用举例,73,扫描隧道和原子力电子显微镜一般扫描电子显微镜放大倍数为几十万,小 结,1,、掌握,XRD,图像分析方法,2,、掌握,TEM,单晶、多晶及非晶的判断方法,3,、掌握利用,SEM,对图像形貌的简单分析,4,、扫描隧道电子显微镜的工作原理、工作模式,5,、原子力电子显微镜工作原理,74,小 结1、掌握XRD图像分析方法74,
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