金属和半导体接触资料教学课件

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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,第八章金属和半导体的接触,8.1金属半导体接触及能级图,1.金属和半导体的功,金属中的电子绝大多数所处的能级都,低于体外能级。,金属功函数的定义:真空中静止电子的,能量E0与金属的E能量之差,即,Wn=Eo-(er),上式表示一个起始能量等于费米能级,的电子,由金属内部逸出到真空中所,需要的最小值,E,金属中的电子势阱,Wn越大,金属对电子的束缚越强,在半导体中,导带底EC和价带顶E,般都比Eo低几个电子伏特。,半导体功函数的定义:真空中静止电子的,能量E0与半导体的E能量之差,即,Eo-(EF,Ec,W与杂质浓度有关,电子的亲合能,X=Eo-Ec,半导体的功函数又写为,W=x+EC-(ER=x+E,2接触电势差,W、W,(EF),(a)接触前,Ev,-Vn)、金属表面负电,半导体表面正电,E,E,E,金属的电势,v:半导体的电势,(b)间隙很大(D原子间距),

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