CMOS集成电路制造工艺教材课件

第6章 CMOS集成电路制造工艺第6章 CMOS集成电路制造工艺1第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺6.2 CMOS版图设计6.3 封装技术第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺2木版年画画稿刻版套色印刷3木版年画画稿3半导体芯片制作过程4半导体芯片制作过程4硅片（wafer）的制作5硅片（wafer）的制作5掩模版（mask,reticle）的制作6掩模版（mask,reticle）的制作6外延衬底的制作7外延衬底的制作7集成电路加工的基本操作1、形成薄膜（二氧化硅、多晶硅、金属等薄层）2、形成图形（器件和互连线）3、掺杂（调整器件特性）8集成电路加工的基本操作1、形成薄膜（二氧化硅、多晶硅、金属等1、形成图形半导体加工过程：将设计者提供的集成电路版图图形复制到硅片上光刻与刻蚀：半导体加工水平决定于光刻和刻蚀所形成的线条宽度91、形成图形半导体加工过程：将设计者提供的集成电路版图图形复光刻（photolithography）10光刻（photolithography）10曝光（exposure）11曝光（exposure）11刻蚀（etch）12刻蚀（etch）12光刻的基本原理13光刻的基本原理13正胶和负胶的差别14正胶和负胶的差别142、薄膜形成：淀积152、薄膜形成：淀积152、薄膜形成：氧化162、薄膜形成：氧化163、掺杂：扩散和注入173、掺杂：扩散和注入17从器件到电路：通孔18从器件到电路：通孔18从器件到电路：互连线19从器件到电路：互连线19从器件到电路：多层互连20从器件到电路：多层互连20从器件到电路：多层互连21从器件到电路：多层互连21从硅片到芯片：加工后端22从硅片到芯片：加工后端22从硅片到芯片：加工后端23从硅片到芯片：加工后端23从硅片到芯片：加工后端24从硅片到芯片：加工后端246.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤6.1.2 n阱CMOS工艺流程6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应6.1.4 先进的CMOS工艺6.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤256.1.1 基本工艺步骤(1)氧化CMOS集成电路中SiO2层的主要作用：做MOS晶体管的栅绝缘介质；做杂质扩散和离子注入的掩蔽层和阻挡层；做MOS晶体管之间的隔离介质；做多晶硅、金属等互连层之间的绝缘介质；做芯片表面的钝化层。热氧化法：干氧、湿氧、干氧-湿氧-干氧交替氧化6.1.1 基本工艺步骤(1)氧化266.1.1 基本工艺步骤(2)淀积通过物理或化学的方法把另一种物质淀积在硅片表面形成薄膜(低温)。物理气相淀积(Physical Vapor Deposition，PVD)蒸发溅射化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition，CVD)6.1.1 基本工艺步骤(2)淀积276.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀把掩膜版上的图形转移到硅片。生长一层SiO2薄膜；在硅表面均匀涂抹一层光刻胶(以负胶为例)；盖上掩膜版进行光照，使掩膜版上亮的(Clear)区域对应的光刻胶被曝光，而掩膜版上暗的(Dark)区域对应的光刻胶不能被曝光。6.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀286.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀 把未被曝光的胶去掉，显影后掩膜版上的图形转移到光刻胶上；采用湿法刻蚀或干法刻蚀去除没有光刻胶保护的SiO2；去除残留在硅片上的所有光刻胶，完成版图图形到硅片图形的转移。6.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀296.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀光刻胶负胶：曝光前可溶于某种溶液而曝光后变为不可溶；正胶：曝光前不溶于某种溶液而曝光后变为可溶；通常正胶的分辨率高于负胶。6.1.1 基本工艺步骤(3)光刻和刻蚀306.1.1 基本工艺步骤(4)扩散和离子注入在硅衬底中掺入杂质原子，以改变半导体电学性质，形成pn结、电阻、欧姆接触等结构。扩散：杂质原子在高温下克服阻力进入半导体，并缓慢运动。替位式扩散、间隙式扩散离子注入：将具有很高能量的带电杂质离子射入硅衬底中。需高温退火6.1.1 基本工艺步骤(4)扩散和离子注入离子注入：将具316.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤6.1.2 n阱CMOS工艺流程6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应6.1.4 先进的CMOS工艺6.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤326.1.2 n阱CMOS工艺流程两种器件需要两种导电类型的衬底。在n型衬底上形成p阱，把NMOS管做在p阱里；或在p型衬底上形成n阱，把PMOS管做在n阱里。6.1.2 n阱CMOS工艺流程两种器件需要两种导电类型的衬336.1.2 n阱CMOS工艺流程 准备硅片材料p型晶向硅片 形成n阱热氧化，形成掩蔽层光刻和刻蚀，开出n阱区窗口离子注入并高温退火，形成n阱6.1.2 n阱CMOS工艺流程 准备硅片材料346.1.2 n阱CMOS工艺流程 场区隔离局部氧化(Local Oxidation of Silicon，LOCOS)工艺利用有源区掩膜版进行光刻和刻蚀，露出场区场区注入去除光刻胶，场区热生长一层厚的氧化层去除有源区上的保护层场区和有源区的氧化层台阶降低，平整度提高。6.1.2 n阱CMOS工艺流程 场区隔离356.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成多晶硅栅热氧化生长栅氧化层CVD淀积多晶硅并离子注入光刻和刻蚀 源漏区n+/p+注入利用同一n+掩膜版，采用负胶和正胶进行两次光刻和刻蚀，分别进行n+注入和p+注入。6.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成多晶硅栅366.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成接触孔CVD淀积绝缘层光刻和刻蚀形成接触孔 形成金属互连淀积金属层光刻和刻蚀形成金属互连6.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成接触孔376.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成钝化层淀积Si3N4或磷硅玻璃光刻和刻蚀，形成钝化图形铝栅工艺：源(或漏)区与栅之间形成缺口，无法形成连续的沟道。硅栅工艺：“自对准”6.1.2 n阱CMOS工艺流程 形成钝化层铝栅工艺：386.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤6.1.2 n阱CMOS工艺流程6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应6.1.4 先进的CMOS工艺6.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤396.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应寄生晶体管Q1、Q2，寄生电阻Rnw、Rsub构成等效电路Q1和Q2交叉耦合形成正反馈回路电流在Q1和Q2之间循环放大VDD和GND之间形成极大的电流，电源和地之间锁定在一个很低的电压(维持电压Vh)6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应寄生晶体管Q1、Q2，寄406.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应发生闩锁效应后VDD和GND之间的电流-电压特性防止闩锁效应的方法：提高阱区和衬底掺杂浓度；加n+和p+保护环；采用p-外延工艺；采用SOI(Silicon On Insulator)CMOS工艺。6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应发生闩锁效应后VDD和G41体硅体硅CMOSCMOS中的闩锁效应中的闩锁效应42体硅CMOS中的闩锁效应42闩锁效应闩锁效应:等效电路等效电路Q1Q2Q3Q4VoutVoutRwRs43闩锁效应:等效电路Q1Q2Q3Q4VoutVoutRwRs4防止闩锁效应防止闩锁效应的措施的措施1.减小阱区和衬底的寄生电阻减小阱区和衬底的寄生电阻 2.降低寄生双极晶体管的增益降低寄生双极晶体管的增益 3.使衬底加反向偏压使衬底加反向偏压 4.加保护环加保护环5.用外延衬底用外延衬底6.采用采用SOICMOS技术技术 44防止闩锁效应的措施减小阱区和衬底的寄生电阻 44抑制闩锁效应：抑制闩锁效应：n1、减小寄生电阻、减小寄生电阻n2、降低寄生晶体管增益、降低寄生晶体管增益n3、衬底加反向偏压、衬底加反向偏压45抑制闩锁效应：1、减小寄生电阻454 4、保护环、保护环464、保护环465 5、外延衬底、外延衬底475、外延衬底476.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤6.1.2 n阱CMOS工艺流程6.1.3 硅基CMOS中的闩锁效应6.1.4 先进的CMOS工艺6.1 CMOS工艺6.1.1 基本工艺步骤48深亚微米深亚微米CMOSCMOS结构和工艺结构和工艺49深亚微米CMOS结构和工艺49 深亚微米深亚微米CMOSCMOS工艺的主要改进工艺的主要改进浅沟槽隔离浅沟槽隔离双阱工双阱工艺非均匀沟道非均匀沟道掺杂 n+/p+两种硅两种硅栅极浅的源漏延伸区极浅的源漏延伸区硅化物自硅化物自对准准栅-源源-漏漏结构构多多层铜互互连50 深亚微米CMOS工艺的主要改进浅沟槽隔离501、浅沟槽隔离、浅沟槽隔离 常常规CMOSCMOS工工艺中的中的LOCOSLOCOS隔离的缺点隔离的缺点表面有表面有较大的不平整度大的不平整度 鸟嘴使嘴使实际有源区面有源区面积减小减小 高温氧化高温氧化热应力也会力也会对硅片造成硅片造成损伤和和变形形浅沟槽隔离的浅沟槽隔离的优势占用的面占用的面积小，有利于提高集成密度小，有利于提高集成密度 不会形成不会形成鸟嘴嘴 用用CVDCVD淀淀积绝缘层从而减少了高温从而减少了高温过程程 511、浅沟槽隔离 常规CMOS工艺中的LOCOS隔离的缺点51浅沟槽隔离（浅沟槽隔离（STISTI）光刻胶氮化硅（a）（b）（c）（d）52浅沟槽隔离（STI）光刻胶氮化硅（a）（b）（c）（d）52STI抑制抑制窄沟效应窄沟效应53STI抑制窄沟效应532、外延双阱工艺、外延双阱工艺 常常规单阱阱CMOS工工艺，阱区，阱区浓度度较高，使阱内的高，使阱内的器件有器件有较大的大的衬偏系数和源、漏区偏系数和源、漏区pn结电容容采用外延双阱工采用外延双阱工艺的好的好处由于外延由于外延层电阻率很高，可以分阻率很高，可以分别根据根据NMOS和和PMOS性能性能优化要求化要求选择适当的适当的n阱和阱和p阱阱浓度度 做在阱内的器件可以减少受到做在阱内的器件可以减少受到粒子粒子辐射的影响射的影响 外延外延衬底有助于抑制体硅底有助于抑制体硅CMOS中的寄生中的寄生闩锁效效应542、外延双阱工艺 常规单阱CMOS工艺，阱区浓度较高，使阱内 3 3 沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构n沟道掺杂原子数的随机涨落引起器件阈值电压参数起伏，因此希望沟道表面低掺杂；体内需要高掺杂抑制穿通电流n逆向掺杂技术利用纵向非均匀衬底掺杂，抑制短沟穿通电流n环绕掺杂技术利用横向非均匀掺杂，在源漏区形成局部高掺杂区55 3 沟道区的逆向掺杂和环绕掺杂结构沟道掺杂原子数的随机涨逆向掺杂逆向掺杂n逆向掺杂杂质分布n0.25um工艺100个NMOS器件阈值电压统计结果n器件阈值分布的标准差减小56逆向掺杂逆向掺杂杂质分布56逆向掺杂：逆向掺杂：DeltaDelta沟道技沟道技术术nPMOS沟道区As离子注入nNMOS注硼，硼的氧化增强扩散效应影响杂质分布nDelta沟道技术可以获得较陡峭的纵向低高掺杂分布57逆向掺杂：Delta沟道技术PMOS沟道区As离子注入57横向沟道工程：横向沟道工程：HALOHALO掺杂结构掺杂结构n横向高掺杂区可以抑制源漏pn结耗尽区向沟道内的扩展，减小短沟效应nHalo结构可以利用大角度注入实现58横向沟道工程：HALO掺杂结构横向高掺杂区可以抑制源漏pn结横向沟道工程：横向沟道工程：POCKETPOCKET掺杂结构掺杂结构59横向沟道工程：POCKET掺杂结构594 4、n n、p p两种硅栅两种硅栅 在在CMOS电路中希望路中希望NMOS和和PMOS的性能的性能对称称，这样有有利于利于获得最佳得最佳电路性能路性能 使使NMOS和和PMOS性能性能对称很重要的一点是使它称很重要的一点是使它们的的阈值电压绝对值基本相同基本相同 在同在同样条件下，如果条件下，如果NMOS和和PMOS都都选用用n+硅硅栅，则PMOS的的负阈值电压绝对值要比要比NMOS的的阈值电压大很多大很多 PMOS采用采用p硅硅栅减小其减小其阈值电压的的绝对值，从而，从而获得得和和NMOS采用采用n硅硅栅对称的性能称的性能 604、n、p两种硅栅 在CMOS电路中希望NMOS和PMO5 5、SDESDE结构结构 减小源漏区减小源漏区结深有利于抑制短深有利于抑制短沟效沟效应。问题：问题：简单地减小源、漏区地减小源、漏区结深将使源、漏区寄生深将使源、漏区寄生电阻增大阻增大造成造成MOS晶体管性能退化晶体管性能退化!解决办法：解决办法：使用使用SDE结构，在构，在沟道两端形成极浅的源、漏延沟道两端形成极浅的源、漏延伸区伸区。615、SDE结构 61SDESDE结深减小趋势结深减小趋势62SDE结深减小趋势626、硅化物自对准结构、硅化物自对准结构 在在栅极两极两侧形成一定厚形成一定厚度的氧化硅或氮化硅度的氧化硅或氮化硅侧墙，然后淀，然后淀积难熔金属熔金属并和硅反并和硅反应形成硅化物形成硅化物作用：作用：减小多晶硅减小多晶硅线和和源、漏区的寄生源、漏区的寄生电阻；阻；减小金属减小金属连线与源、漏与源、漏区引区引线孔的接触孔的接触电阻阻硅化物同时淀积在栅电极上和暴露的源、漏区上，因此是自对准结构636、硅化物自对准结构 在栅极两侧形成一定厚度的氧化硅或氮化硅7、铜互连、铜互连 铜比比铝的的电阻率低阻率低40左右。用左右。用铜互互连代替代替铝互互连可以可以显著减小互著减小互连线的寄生的寄生电阻从而减小互阻从而减小互连线的的RC延延迟 铜易于易于扩散到硅中，会影响器件性能；散到硅中，会影响器件性能；铜还会会对加工加工设备造成造成污染，因此染，因此铜互互连不能用常不能用常规的淀的淀积和干法刻和干法刻蚀方法方法形成形成 铜互互连技技术特点：特点：显著减小互著减小互连线的寄生的寄生电阻阻与低与低k介介质材料材料结合减小寄生合减小寄生电容，提高容，提高电路性能路性能需要特殊的工需要特殊的工艺技技术：“镶嵌嵌”（大（大马士革）技士革）技术和化和化学机械抛光技学机械抛光技术647、铜互连 铜比铝的电阻率低40左右。用铜互连代替铝互连可常规互连和镶嵌工艺比较常规互连和镶嵌工艺比较 氧化层光刻胶金属65常规互连和镶嵌工艺比较 氧化层光刻胶金属65采用铜互连可以减少连线层采用铜互连可以减少连线层数数66采用铜互连可以减少连线层数66 先进深亚微米先进深亚微米CMOSCMOS工工艺过程艺过程 67 先进深亚微米CMOS工艺过程 67 先进深亚微米先进深亚微米CMOSCMOS工艺过工艺过程（续）程（续）68 先进深亚微米CMOS工艺过程（续）6890nm CMOS90nm CMOS技术平台的主要技术平台的主要指标指标 参数参数一般器件一般器件低功耗器件低功耗器件低低阈值常常规阈值低低阈值常常规阈值电源电压VDD(V)1.01.01.21.2LG7090Tox(nm)1.62.1NMOS Ion(uA/um)640520540415NMOS Ioff(nA/um)1010.40.01NMOS JG(A/cm2)20.005PMOS Ion(uA/um)280215250170PMOS Ioff(nA/um)1010.40.01PMOS JG(A/cm2)10.0026990nm CMOS技术平台的主要指标 参数一般器件低功耗器件第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺6.2 CMOS版图设计6.3 SOI工艺第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺70违背版图设计规则的结违背版图设计规则的结果果71违背版图设计规则的结果716.2 CMOS版图设计版图设计规则代表了一种容差要求，这种容差要求可保证最高的成品率。(1)以为单位的设计规则版图设计中各种几何尺寸限制约定为的倍数；根据不同的工艺分辨率，给出相容的值；版图设计可以独立于工艺和实际尺寸。图形形层次次设计规则内容内容几何尺寸要求几何尺寸要求n阱NW1最小宽度10NW2.1等电位n阱最小间距6NW2.2不等电位n阱最小间距9有源区AA1最小宽度3AA2最小间距3AA3n阱内p+有源区到n阱边界最小间距5AA4n阱外n+有源区与n阱最小间距56.2 CMOS版图设计版图设计规则代表了一种容差要求，这种726.2 CMOS版图设计(1)以为单位的设计规则图形形层次次设计规则内容内容几何尺寸要求几何尺寸要求多晶硅GT1最小宽度2GT2最小间距2GT3伸出有源区外的最小长度2GT4硅栅到有源区边界的最小距离3GT5与有源区的最小外间距1注入框SN1最小宽度5SN2最小间距2SN3对有源区的最小覆盖2接触孔CT1CT1最小接触孔面积22CT2最小间距2CT3有源区或多晶硅对接触孔的最小覆盖1.5CT4有源区接触孔到多晶硅栅的最小间距2CT5多晶硅接触孔到有源区的最小间距2CT6金属对接触孔的最小覆盖1金属M1最小线宽3M2最小间距36.2 CMOS版图设计(1)以为单位的设计规则图形层次736.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则每个尺寸之间没有必然的比例关系，各尺寸之间可以独立选择；灵活性大，针对性强；通用性差。图形形层次次设计规则内容内容几何尺寸要求几何尺寸要求n阱NW1最小宽度0.6mNW2等电位n阱最小间距0.6mNW3不等电位n阱最小间距1.2m有源区AA1最小宽度0.15mAA2最小间距0.2mAA3n阱内p+有源区到阱边界最小间距0.3mAA4n阱外n+有源区与阱最小间距0.3mAA5n阱至阱外p+区的最小间隔0.3mAA6n阱至阱外n+区的最小间隔0.3m6.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则图形层746.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则图形形层次次设计规则内容内容几何尺寸要求几何尺寸要求多晶硅GT1最小宽度0.13mGT2最小间距0.18mGT3伸出有源区外的最小长度0.18mGT4有源区外多晶硅与有源区边界的最小距离0.25mGT5有源区上多晶硅与有源区边界的最小距离0.20mGT6与有源区的最小外间距0.07m注入框SN1最小宽度0.3mSN2最小间距0.3mSN3对有源区的最小覆盖0.18m接触孔CT1CT1最小面积0.16m0.16mCT2最小间距0.18mCT3有源区或多晶硅对接触孔的最小覆盖0.07mCT4有源区接触孔到多晶硅栅的最小间距0.1mCT5多晶硅接触孔到有源区的最小间距0.15mCT6金属对接触孔的最小覆盖0.05m6.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则图形层756.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则图形形层次次设计规则内容内容几何尺寸要求几何尺寸要求金属Mn1最小线宽0.16mMn2最小间距0.18m通孔Vn1Vn1最小面积0.18m0.18mVn2最小间距0.2mVn3金属对通孔的最小覆盖0.05m压焊块PA1最小面积60m60mPA2最小间距90m6.2 CMOS版图设计(2)以微米为单位的设计规则图形层766.2 CMOS版图设计6.2 CMOS版图设计776.2 CMOS版图设计四输入与门版图与版图设计规则所对应的相关尺寸版图设计完成后，需要进行设计规则检查(Design Rule Check，DRC)。6.2 CMOS版图设计四输入与门版图与版图设计规则所对应的78第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺6.2 CMOS版图设计6.3 SOI工艺第6章 CMOS集成电路制造工艺6.1 CMOS工艺792.3.2 SOI CMOS2.3.2 SOI CMOS基本工艺基本工艺SOI结构构SOI工工艺SOI优点点802.3.2 SOI CMOS基本工艺SOI结构80SOI CMOSSOI CMOS结构结构 1.体区和衬底隔离。体电位是浮空会引起浮体效应。需专门设计体区和衬底隔离。体电位是浮空会引起浮体效应。需专门设计体区的引出端。体区的引出端。2.2.衬底相对沟道区也相当于一个衬底相对沟道区也相当于一个MOSMOS结构，因此也把结构，因此也把SOI MOSFET SOI MOSFET 的衬底又叫做背栅的衬底又叫做背栅,是五端器件是五端器件 。81SOI CMOS结构 1.体区和衬底隔离。体电位是浮空会引SOI MOSFETSOI MOSFET的性能的性能 厚膜器件厚膜器件tsi2xdm。背。背栅对MOSFET性能基本没有影响，性能基本没有影响，和体硅和体硅MOS器件基本相同器件基本相同 薄膜器件薄膜器件 tsixdm。在栅电压的作用下可以使顶层硅膜全部耗尽。在栅电压的作用下可以使顶层硅膜全部耗尽 可以通过减薄硅膜抑制短沟道效应可以通过减薄硅膜抑制短沟道效应 82SOI MOSFET的性能 厚膜器件82形成形成SOI SOI 硅片的基本工艺硅片的基本工艺 (1)(1)注氧隔离技术（注氧隔离技术（SIMOX）通过高能量、大剂量注氧在硅中形成埋氧化层.O+的剂量在1.81018cm-2左右；能量200kev 埋氧化层把原始硅片分成2部分，上面的薄层硅用来做器件，下面是硅衬底 83形成SOI 硅片的基本工艺(1)注氧隔离技术（SIMOX形成形成SOI SOI 硅片的基本工艺硅片的基本工艺 (2)(2)键合减薄技术（键合减薄技术（BE）把2个生长了氧化层的硅片键合在一起，两个氧化层通过键合粘在一起成为埋氧化层 其中一个硅片腐蚀抛光减薄成为做器件的薄硅膜，另一个硅片作为支撑的衬底 84形成SOI 硅片的基本工艺(2)键合减薄技术（BE）8形成形成SOI SOI 硅片的基本工艺硅片的基本工艺 (3)(3)智能剥离技智能剥离技术（smart cut）解决了如何用键合技术形成薄膜SOI材料 可以形成高质量的薄硅膜SOI材料 85形成SOI 硅片的基本工艺(3)智能剥离技术（smart8686 基于台面隔离的基于台面隔离的SOI CMOSSOI CMOS基本工艺流程基本工艺流程 87 基于台面隔离的SOI CMOS基本工艺流程 878888SOI CMOSSOI CMOS的优越性的优越性 1.1.每个器件都被氧化每个器件都被氧化层包包围，完全与周，完全与周围的器件隔离，从根本的器件隔离，从根本上消除了上消除了闩锁效效应；2.2.减小了减小了pn结电容和互容和互连线寄生寄生电容容 3.3.不用做阱，不用做阱，简化工化工艺，减小面，减小面积4.4.极大减小了源、漏区极大减小了源、漏区pn结面面积，从而减小了，从而减小了pn结泄漏泄漏电流流 5.5.有利于抑制短沟效有利于抑制短沟效应；6.6.有很好的抗幅照性能；有很好的抗幅照性能；7.7.实现三三维立体集成。立体集成。89SOI CMOS的优越性 每个器件都被氧化层包围，完全与周围SOISOI技技术实现术实现三维立三维立体集成体集成 90SOI技术实现三维立体集成 90SOI CMOSSOI CMOS反相器结构反相器结构91SOI CMOS反相器结构91 SOI SOI 与体硅与体硅CMOSCMOS性能比较性能比较92 SOI 与体硅CMOS性能比较9211、人生的某些障碍，你是逃不掉的。与其费尽周折绕过去，不如勇敢地攀登，或许这会铸就你人生的高点。12、有些压力总是得自己扛过去，说出来就成了充满负能量的抱怨。寻求安慰也无济于事，还徒增了别人的烦恼。13、认识到我们的所见所闻都是假象，认识到此生都是虚幻，我们才能真正认识到佛法的真相。钱多了会压死你，你承受得了吗?带，带不走，放，放不下。时时刻刻发悲心，饶益众生为他人。14、梦想总是跑在我的前面。努力追寻它们，为了那一瞬间的同步，这就是动人的生命奇迹。15、懒惰不会让你一下子跌倒，但会在不知不觉中减少你的收获;勤奋也不会让你一夜成功，但会在不知不觉中积累你的成果。人生需要挑战，更需要坚持和勤奋!16、人生在世：可以缺钱，但不能缺德;可以失言，但不能失信;可以倒下，但不能跪下;可以求名，但不能盗名;可以低落，但不能堕落;可以放松，但不能放纵;可以虚荣，但不能虚伪;可以平凡，但不能平庸;可以浪漫，但不能浪荡;可以生气，但不能生事。17、人生没有笔直路，当你感到迷茫、失落时，找几部这种充满正能量的电影，坐下来静静欣赏，去发现生命中真正重要的东西。18、在人生的舞台上，当有人愿意在台下陪你度过无数个没有未来的夜时，你就更想展现精彩绝伦的自己。但愿每个被努力支撑的灵魂能吸引更多的人同行。19、积极的人在每一次忧患中都看到一个机会，而消极的人则在每个机会中看到了某种忧患。莫找借口失败，只找理由成功。20、每一个成就和长进，都蕴含着曾经受过的寂寞、洒过的汗水、流过的眼泪。许多时候不是看到希望才去坚持，而是坚持了才能看到希望。1、有时候，我们活得累，并非生活过于刻薄，而是我们太容易被外界的氛围所感染，被他人的情绪所左右。2、身材不好就去锻炼，没钱就努力去赚。别把窘境迁怒于别人，唯一可以抱怨的，只是不够努力的自己。3、大概是没有了当初那种毫无顾虑的勇气，才变成现在所谓成熟稳重的样子。4、世界上只有想不通的人，没有走不通的路。将帅的坚强意志，就像城市主要街道汇集点上的方尖碑一样，在军事艺术中占有十分突出的地位。5、世上最美好的事是：我已经长大，父母还未老;我有能力报答，父母仍然健康。6、没什么可怕的，大家都一样，在试探中不断前行。7、时间就像一张网，你撒在哪里，你的收获就在哪里。纽扣第一颗就扣错了，可你扣到最后一颗才发现。有些事一开始就是错的，可只有到最后才不得不承认。8、世上的事，只要肯用心去学，没有一件是太晚的。要始终保持敬畏之心，对阳光，对美，对痛楚。9、别再去抱怨身边人善变，多懂一些道理，明白一些事理，毕竟每个人都是越活越现实。10、山有封顶，还有彼岸，慢慢长途，终有回转，余味苦涩，终有回甘。11、失败不可怕，可怕的是从来没有努力过，还怡然自得地安慰自己，连一点点的懊悔都被麻木所掩盖下去。不能怕，没什么比自己背叛自己更可怕。12、跌倒了，一定要爬起来。不爬起来，别人会看不起你，你自己也会失去机会。在人前微笑，在人后落泪，可这是每个人都要学会的成长。13、要相信，这个世界上永远能够依靠的只有你自己。所以，管别人怎么看，坚持自己的坚持，直到坚持不下去为止。14、也许你想要的未来在别人眼里不值一提，也许你已经很努力了可还是有人不满意，也许你的理想离你的距离从来没有拉近过.但请你继续向前走，因为别人看不到你的努力，你却始终看得见自己。15、所有的辉煌和伟大，一定伴随着挫折和跌倒；所有的风光背后，一定都是一串串揉和着泪水和汗水的脚印。16、成功的反义词不是失败，而是从未行动。有一天你总会明白，遗憾比失败更让你难以面对。17、没有一件事情可以一下子把你打垮，也不会有一件事情可以让你一步登天，慢慢走，慢慢看，生命是一个慢慢累积的过程。18、努力也许不等于成功，可是那段追逐梦想的努力，会让你找到一个更好的自己，一个沉默努力充实安静的自己。19、你相信梦想，梦想才会相信你。有一种落差是，你配不上自己的野心，也辜负了所受的苦难。20、生活不会按你想要的方式进行，它会给你一段时间，让你孤独、迷茫又沉默忧郁。但如果靠这段时间跟自己独处，多看一本书，去做可以做的事，放下过去的人，等你度过低潮，那些独处的时光必定能照亮你的路，也是这些不堪陪你成熟。所以，现在没那么糟，看似生活对你的亏欠，其实都是祝愿。11、人生的某些障碍，你是逃不掉的。与其费尽周折绕过去，93