氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法

上传人：lis****210 文档编号：199704268 上传时间：2023-04-12 格式：DOCX 页数：1 大小：7.87KB

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资源描述

(19 )中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请fr(10)申请公布号盈CN106119923A(43 )申请公布日2016.11.16(21 )申请号 CN201610735705.7(22 )申请日 2016.08.26(71 )申请人天津梦龙新能源技术有限公司地址300270天津市滨海新区(大港)中塘镇薛卫台村社区服务中心(天津中塘工业区内)115-1室(72 )发明人张志敏(74 )专利代理机构代理人(51) Int.CIC25D9/04;权利要求说明书说明书幅图(54 )发明名称氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法(57)摘要本发明公开了一种氧化亚铜半导体薄膜材料的制备方法，用于解决现有的方法制备出的 Cu2O禁带宽度大的技术问题。技术方案是超声清洗柔性ITO衬底，称量CuSO4和柠檬酸，配成溶液，在磁力搅拌器上搅拌得到均匀的电解液；在电化学工作站上进行电化学沉积，柔性ITO衬底为工作电极，铂片为对电极，Ag/AgCl为参比电

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