半导体器件答辩

半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄 D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。A.不变B.变宽C.变窄 D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流I将增大，是因为此时PN结内部的（）sA. 多数载流子浓度增大B.少数载流子浓度增大C.多数载流子浓度减小D.少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、 在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中（） 载流子。A.有B.没有C.少数D.多数6、 集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。A.减小温漂B.增大放大倍数C.提高输入电阻D,减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A、光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。A.发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C.发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在（），A.正向导通区B.反向截止区C.反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。A.差放 B.正弦 C.数字 D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。A. NPN型硅管B.NPN型错管C.PNP型硅管D.PNP型错管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。A. P沟道增强型MOS管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（）。A-输入电阻高B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、 如右图所示复合管，已知叫的P1 = 30，V2的P2 = 50，则复合后的P约为（）。A. 1500B.80C.50D.3015、 发光二极管发光时，工作在（）。A.正向导通区 B.反向截止区 C.反向击穿区D.不确定16、当温度升高时，二极管反向饱和电流将（）A.增大B.减小C.不变D.等于零17、 场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（）。A.非饱和区B.饱和区 C.截止区D.击穿区18、 稳压二极管稳压时，其工作在（）。A.正向导通区B.反向截止区 C.反向击穿区 D.饱和区19、 集成运放电路采用直接耦合方式是因为（）A.可获得较高增益B.可使温漂变小C.在集成工艺中难于制造大电容D.可以增大输入电阻20、测得BJT各电极对地电压为：Vb=4.7V, Vc=4.3V, Ve=4V,则该BJTX作在（）状态。A.截止 B.饱和C.放大D.无法确定21、 ？是（）控制器件。A.电流 B.电压C.电场D.磁场22、通常要求运算放大器带负载能力强，在这里，负载的大小是指负载（）。A.电阻大 B.功率大 C.电压高D.功率小23、二极管的电流方程是（）。D I evTSD.磁场）。B.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏uuA. I eu B. I evTc. I （evT 1）24、 ？是（）控制器件。A.电流 B.电压 C.电场25、三极管工作在饱和状态的条件是（A.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏26、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V, -0.2V, -3V,则1、2、3脚对应的三个极是（）。A. ebcB. ecbC. cbe D.bec27、稳压二极管是利用PN结的（）。A.单向导电性B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性28、测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V, -0.2V, -3V,则1、2、3脚对应的三个极是（）。A. ebcB. ecbC. cbeD.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态30、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（）A.集电极最大允许功耗PB.集电极最大允许电流IC.集一基极反向击穿电压廿D. U ECM31、若用万用表测二极管的正、反向）电阻的方法来判1断二极管的好坏，好的管子应为（）。A.正、反向电阻相等C. 反向电阻比正向电阻大很多倍D.B. 正向电阻大，反向电阻小 正、反向电阻都等于无穷大32、电路如图1所示，设二极管di的正向压降忽略不计，则输出电压）。uo=(A . -2VB.,D3D2,图1）。33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的（）来改变导电沟道的电阻。35、A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压场效应管是属于（）控制型器件。D.正向电流A.电压 B.电流 C.电感 D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）。A.反向偏置击穿状态B.反向偏置未击穿状态C.正向偏置导通状态D.正向偏置未导通状态37、测量某硅BJT各电极的对地电压值为UC = 6V，UB = 2V，UE = 1.3V，该管子工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.无法判断38、如图1所示复合管，已知V1的P1 = 30，V2的p2 = 50，则复合后的。约为（）。图1A. 1500B.80C.50D.3039、共模抑制比kcm越大，表明电路（）。A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.抑制温漂能力越强。.输入信号的差模成分越大二、填空题：40、 根据是否掺入杂质，半导体可分为 半导体和 半导体两大类。41、 N沟道场效应管中的载流子是，P沟道场效应管中的载流子是42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a、b两区分别是PN结的区、区。ab5. TT5V图L43、PN结是靠多数载流子的 运动和少数载流子的 运动形成的。44、PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。45、 二极管的特性是，场效应管是 控制型器件。46、 集成运放是多级 耦合放大器。47、BJT工作在放大区时，其发射结处于偏置，集电结处于偏置。48、 集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它 的主要缺点是 ，为了克服这一缺点，输入级一般采用 电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多 用 ；为了提高功率，输出级常采用互补对称电路。49、BJT是 控制器件，FET是 控制器件。50、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为8,则此二 极管;若两次读数都接近零，则此二极管;若读数一次很大， 一次读数小，则此二极管。51、设如图3电路中,d1为硅二极管,d2为错二极管，则D,处于 状态,D2处于 状态，输出电压Uo为 伏。52、 BJT工作在截止区时，其发射结处于 偏图3置，集电结处于 偏置。53、 结型场效应管输入回路PN结处于 状态，因此它的输入电阻比双极型三 极管的输入电阻、 ;，集电结54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区，即: 要使三极管工作在放大区必须给发射结加55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位U1,U2,U3分别为，U1= 6V, U 2= 11.3V, U 3 = 12V ,则此管是 型三极管，材料为 。56、 理想运放有“虚短”即指 和“虚断”即指 两个重要特性，“虚地”是 的特殊情况。57、 二极管最主要的特性是。58、 .在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、。59、在室温下，某三极管的Icbo=8 A=70，穿透电流为 mA。另一只三极 管的 电流值：I广 20|iA 时 IC = 1.18mA、IB= 80|iA 时 IC = 4.78mA，该管的0 = 。60、整流二极管的整流作用是利用PN结的 特性，稳压管的稳压作用是利用PN结的 特性。三、判断题：61、运放的输入失调电压UIO是两输入端电位之差。（）62、因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）63、本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。（）64、P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。（）65、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）66、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）67、 P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）68、BJT的0值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是0值越大越好。（）69、发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。（）70、BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使 用。（）71、BJT的输入电阻r是对交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。be（）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（）73、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）74、处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。（）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控 制器件。（）76、在运放电路中，闭环增益Af是指广义的放大倍数。（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）80、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两端压降也增加1倍。（）81、双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（）82、处于线性工作状态的实际集成运放，在实现信号运算时，两个输入端对地的直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。（）四、分析作图题:83、画出图中各电路的u0波形。设Ui=10sint（V）,且二极管具有理想特性。84、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压U=3V, R的取值合适，u的 波形如图（c）所示。试分别画出uoi和uo2的波形。Z1分析作图题答案:83、84、解：解题要点：（1） Uz=（03V时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以Uj0V, Uz3V 时，稳压管反向击穿，工作在稳压状态，它的阴极比阳极高出3V电压。如下图所示。（2）U = （03V）时，稳压管反向偏置，但没有击穿，所以U=U，U3V时，稳压、/ Z 、， 7 V J _1- P=T I -J |/|U I . 7 I I J * 1 1 ， I / 、 o z 7 zPll /_-