模电(李国立)2章习题答案.doc

2 半导体三极管自我检测题一选择和填空1. 三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。（A正向偏置，B反向偏置，C零偏置）2. NPN和PNP型三极管的区别取决于 D 。（A半导体材料硅和锗的不同，B掺杂元素的不同，C掺杂浓度的不同，DP区和N区的位置不同）3. 三极管的共射交流电流放大系数b定义为IC 变化量（或IC）与IB 变化量（或IB）之比，共基交流电流放大系数a定义为IC 变化量（或IC）与IE 变化量（或IE）之比。已知某三极管的a0.99，那么该管的b 99 。4. 三极管的ICBO是指_发射_极开路时，集电_极与 基 极间的反向饱和电流；ICEO是指基 极开路时，_集电_极与_发射_极之间的穿透电流。5. 随着温度升高，三极管的电流放大系数b_A_，穿透电流_A_，在IB不变的情况下b-e结电压VBE_ B_。（ A增大，B减小，C不变）6对于同一个三极管来说， A ； B 。（A小于， B大于，C等于）7. 随着温度升高，三极管的共射正向输入特性曲线将 C ，输出特性曲线将 A ，输出特性曲线的间隔将 E 。（A上移， B下移，C左移，D右移，E增大，F减小，G不变）8. 已知某三极管的PCM800mW，ICM500mA,，30V。若该管子在电路中工作电压VCE 10V，则工作电流IC不应超过 80 mA；若VCE1V，则IC不应超过 500 mA。若管子的工作电流IC10mA，则工作电压VCE不应超过 30 V；若IC200mA，则VCE不应超过 4 V。二判断题（正确的在括号内画，错误的画）1NPN型和PNP型三极管都有三个电极、两个PN结，正常工作时外加电压的要求相同。 （ ）2三极管工作在放大状态时，集电极电流是由多子漂移形成的。 （ ）3三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。（ ）4. 三极管的外部电流关系是，这是一个线性方程，所以三极管是线性器件。（ ）5三极管工作于哪个区域与外加电压的情况有关。 （ ）6测出某三极管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。 （ ）7由于三极管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。 （ ）8. 只要是硅三极管，无论是NPN还是PNP型，正常工作时，发射结的工作电压都为0.7V左右。 （ ）9. 三极管的共射电流放大系数和共基直流电流放大系数之间的关系为。 （ ）10三极管的ICEO大约为ICBO的（1+b）倍。 （ ）习题2.1在三极管放大电路中，测得三个三极管的各个电极的对地静态电位如图题2.1所示，试判断各三极管的类型（NPN、PNP、硅、锗），并注明电极e、b、c的位置。图题2.1解：（a）图为NPN型硅三极管，左起e、b、c；（b）图为PNP型硅三极管，左起 c、b、e；（c）图为PNP型锗三极管，左起 c、e、b。2.2用直流电压表测得电路中三极管各电极的对地静态电位如图题2.2所示，试判断这些三级管分别处于什么状态。图题2.2解：（1）NPN管，发射结正偏置，集电结反偏置，放大（2）PNP管，发射结正偏置，集电结反偏置，放大（3）NPN管，发射结反偏置，截止（4）NPN管，发射结电压过高，损坏（5PNP管，发射结正偏置，集电结正偏置，饱和2.3在某放大电路中有两只三极管。测得每个三极管的两个电极中的电流大小和方向如图题2.3（a）、（b）所示。（1）标出另一个电极中的电流大小和方向；（2）判断管子类型（NPN、PNP），表明电极e、b、c的位置；（3）估算管子的值。图题2.3解：（a）由KCL得另一电极的电流为（5-0.1）=4.9mA，流入，管子类型为NPN，对应于e、c、b，。（b）由KCL得另一电极的电流为6.1-6=0.1mA，流出，管子类型为PNP，对应于 c、b、e，。2.4某大功率三极管的输出特性如图题2.4所示，试求出该管子的b、ICEO、VBR(CEO)和PCM。图题2.4解： ICEO5VBR(CEO)65VPCM150=50W