信号转换I模拟开关采样保持电路.ppt

上传人:sh****n 文档编号:11520079 上传时间:2020-04-27 格式:PPT 页数:47 大小:989KB
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资源描述
1,第六章信号转换电路,从信息形态变化的观点将各种转换分为三种:从自然界物理量到电量的转换(传感器)电量之间的转换从电量到物理量的转换,信号转换电路用途:将各类型的信号进行相互转换,使具有不同输入、输出的器件可以联用。,2,3,便携式摄相机电子框图,4,5,第一节采样保持电路电路,采样保持电路具有采集某一瞬间的模拟输入信号,根据需要保持并输出采集的电压数值的功能。,采样:电路的输出跟踪输入模拟信号;保持:电路输出保持采样结束时刻的瞬时模拟输入信号,直至下一次采样状态为止。,6,一、基本理论,7,采样:采集器必须与输入信号相连接,且不影响输入信号;采样的信号是被采信号的“拷贝”。保持:能储存信号(信号的存在是以能量来刻画)能够存储能量的元件:电感和电容,如何实现采样和保持?,通常电感体积大,价格高,在集成电路中制造较困难,同时,电流的信号也很难处理,故较少使用。通过分析,我们用一个开关和电容就可实现信号的采样和保持。,8,简单的采样保持电路,9,如何实现采样和保持?,1、新的问题:信号如何保持住?要求信号能够输出且能保持住,电容不应形成放电回路。对电容的负载,必须是高阻!,2、新的问题:如何可以不影响输入信号?放大器跟随器可实现信号跟踪而不影响输入信号。,10,采样保持电路的基本性质组成:模拟开关模拟信号存储电容输入/输出缓冲放大器,输入信号加跟随器的作用?减小负载影响,提高充电电流。,11,1、满足采样定理2、精度和速度为提高实际电路的精度和速度,可从元件和电路两方面着手解决。,对采样保持电路的主要要求:,12,1、采样定理:,输入信号频谱,采样信号频谱,c)S/H电路输出信号频谱,13,2、元件性能的影响和要求:,输入输出缓冲器:提高负载能力和减小负载对信号源的影响;,特别需注意的参数:输入偏置电流以及带宽,上升速率和最大输出电流等性能参数。,14,电子开关:,开关的状态受电压的控制。在数据采集中,常用来控制信号的接通或关断,模拟开关是构成采样保持电路(S/H)、模数转换器(D/A)、函数发生器、斩波放大器、开关电源等的主要元件。,二、模拟开关,15,电子开关相对于机械开关:优点:切换速率快、无抖动、耗电省、体积小、工作可靠且容易控制等。缺点:导通电阻较大,输入电流容量有限,动态范围小等。因而集成模拟开关主要使用在高速切换、要求系统体积小的场合。,结型FET开关,MOSFET开关,双极性结型晶体管开关(BJT),16,理想开关及其I-V特性,开关SW的闭合或断开由控制信号C/O决定:当SW闭合时,无论电流多少,它的电压为零;当开关断开时,无论电压是多少,它的电流为零。,17,(一)、双极性结型晶体管(BJT)开关:,BJT三个工作区域:放大区(线性区)、截止区和饱和区(非线性区);当发射结和集电结都反向偏置时,BJT截止;当发射结正向偏置而集电结反向偏置,BJT工作在放大区;当发射结和集电结都正向偏置时,BJT饱和。,双极性结型晶体管又称为晶体三极管或晶体管,因为其工作过程中两种载流子都参与导电,所以称其为双极性。,BJT模拟开关用到的是BJT的非线性区BJT截止时:集电极与发射极间漏电流很小,认为断开;BJT饱和时:集电极与发射极间压降很小,认为短接;,18,BJT构成的模拟开关1:,当控制信号Vc为正时,V饱和导通,集电极和发射极间的电压Vce0,输出与地短接,Vo0;,当控制信号Vc为负时,V截止,所以输出信号跟随输入信号,VoVi,19,BJT构成的模拟开关2:,当控制信号Vc为负时,V截止,电阻R上没有压降,Vo0;,当控制信号Vc为正时,V饱和导通,集电极和发射极间的电压Vce0,所以输出信号跟随输入信号,VoVi,20,(二)、场效应晶体管(FET)模拟开关:,场效应晶体管也称场效应管,它是利用电场来控制半导体载流子运动。在场效应管中,参与导电的只有一种载流子,所以称为单极性晶体管。,FET分类:结型场效应晶体管(JFET)模拟开关和绝缘栅型场效应管(IGFET),最常用的绝缘栅型场效应管是金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET),与BJT相比优点:场效应管不仅体积小、重量轻、寿命长,而且具有动态范围大、热稳定性好、制造工艺简单和便于集成的优点。FET非常小的导通电阻、非常大的截止电阻及具有高的通断电阻比的特性,非常适合用来做模拟开关,21,JFET开关-n沟道,A、结型场效应晶体管(JFET)模拟开关:,22,结型场效应管开关(JFETN),假设输入电压的范围为V2到V1,且V1V2。右图JFET作为一串联开关。(1)如果VGS=0,JFET导通;(2)如果VGV2-VP,JFET关闭。,JFET模拟开关,由于源级电位的变化,VGS=0不易实现,23,结型场效应管开关(JFET-N),导通状态,JFET受二级管保护,二极管反相偏置:如果VC比输入信号正的最大值还大的时候,使G与VC断开,VGS=0得到实现,24,例子:若输入信号范围为-10VVi10V,且Vp=6V.右图开关的控制电压Vc应为多少?,(1)使JFET关闭:VGToff,理想模拟开关时Ton0,Toff0,35,元件性能的影响和要求,为了得到高质量的采样保持电路,场效应模拟开关的速度应快,极间电容,夹断电压或开启电压,导通电阻和反向漏电流等参数都应小。,实际的场效应模拟开关模型1当闭合时,相当一个小电阻(如DG403,RONVP1,V1关闭,VD2反偏,VG23=VS1,VG23S1=0,V导通;当VC=VS1时,VS2=VS1=VG23,VG23S2=0,V2导通,(二)、带补偿电容的S/H电路,43,当Uc低电平,VD1反偏,VS1=VG1,VG1S1=0,V1导通;V2和V关闭,44,电容校正方法的矛盾精度-速度,45,减少反馈回路中的时间常数数目来提高速度,(三)、高速S/H电路,46,总结从元件上考虑,模拟开关:要求模拟开关的导通电阻小,漏电流小,极间电容小和切换速度快。存储电容:要选用介质吸附效应小的和泄漏电阻大的电容。运算放大器:选用输入偏置电流小、带宽宽及转换速率(上升速率)大的运算放大器;输入运放还应具有大的输出电流,47,总结从线路上考虑,1模拟开关漏电流的旁路2电容校正法3通过减小反馈回路中的时间常数数目来提高速度,
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