半导体物理总复习

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,第一章,迄今大约有60种主要的器件以及100种与主要器件相关的变异器件。4种基本半导体器件结构。,金属-半导体接触（1874）：整流接触，欧姆接触。金半场效应晶体管（MESFET）：整流接触，栅极；欧姆接触，漏极、源极。微波器件。,p-n结：半导体器件的关键基础结构；p-n-p双极型晶体管（1947），p-n-p-n结构的可控硅器件。,异质结（1957）：由两种不同材料的半导体组成；快速器件、光电器件的关键构成。,金属-氧化物-半导体结构（MOS，1960）：MOS结构，栅极；p-n结，漏极、源极。可制作MOSFET。,第二章,立方晶系基本的晶体结构,简单的立方晶格,体心立方晶格,面心立方晶格,金刚石晶格结构（硅、锗）,闪锌矿晶格结构（GaAs）,密勒指数：界定一晶体中不同平面的方法。由下列步骤确定：,找出平面在三坐标轴上的截距值,r,、,s,、,t,（以晶格常数为单位）；,取这三个截距的倒数，并将其化简成最简单整数比，；,h,、,k,、,l,为互质的整数，以（,hkl,）来表示单一平面的密勒指数。,下图为砷化镓的动量-能量关系曲线，其价带顶与导带底发生在相同动量处（p=0）。因此，电子从价带转换到导带时，不需要动量转换。,直接带隙半导体：,能量/eV,对Si、Ge而言，其动量-能量曲线中价带顶在p=0，导带最低处则在p=p,C,。因此，电子从价带顶转换到导带最低处时，不仅需要能量转换(E,g,)，也需要动量转换(p,C,)。,间接带隙半导体：,能量/eV,0,p,c,用能带理论解释金属、半导体及绝缘体的电导率之间的巨大差异：电子在最高能带或最高两能带的占有率决定此固体的导电性。,价带,导带,填满的价带,空导带,部分填满的导带,E,g,E,g,9eV,金属,价带,导带,半导体,绝缘体,本征半导体：半导体中的杂质远小于由热产生的电子空穴。,热平衡状态：在恒温下的稳定状态，且并无任何外来干扰（如照光、压力或电场）。连续的热扰动造成电子从价带激发到导带，同时在价带留下等量的空穴。此状态下，载流子（导带电子和价带空穴）浓度不变。,统计力学，费米分布函数表示为,费米能级,E,F,是电子占有率为1/2时的能量。,F,(,E,)在费米能量,E,F,附近呈对称分布。,对于能量为,E,的能态被电子占据的概率，可近似为：,对于能量为,E,的能态被空穴占据的概率,导带的电子浓度为,其中，,N,C,是导带中的有效态密度。,同理，价带中的空穴浓度为,其中，,N,V,是价带中的有效态密度。,本征载流子浓度n,i,：本征半导体，导带中每单位体积的电子数与价带中每单位体积的空穴数相同，即n=p=n,i,，n,i,称为本征载流子浓度，,本征费米能级E,i,：本征半导体的费米能级E,F,。,室温下，本征半导体的费米能级E,i,相当靠近禁带的中央。,非本征半导体：当半导体被掺入杂质时，半导体变成非本征的，而且引入杂质能级。,施主、受主、杂质能级、,n,型半导体、,p,型半导体、多子、少子概念，以及施主、受主的实例，载流子（电子、空穴）。,非简并半导体：电子或空穴的浓度分别远低于导带或价带中有效态密度，即费米能级,E,F,至少比,E,V,高,3kT,，或比,E,C,低,3kT,的半导体。,室温下，完全电离，非本征半导体中多子浓度为杂质浓度。,施主浓度越高，费米能级往导带底部靠近。受主浓度越高，费米能级往价带顶端靠近近。,热平衡情况下，无论对于本征还是非本征半导体，该式都成立，称为质量作用定律。,只要满足近似条件（E,C,-E,F,3kT或E,F,-E,V,3kT），下式即可成立,只要满足近似条件，,np,的乘积为本征载流子浓度（和材料性质有关，与掺杂无关）的平方。,热平衡状态半导体的基本公式。,若施主与受主同时存在，则由较高浓度的杂质决定半导体传导类型。,费米能级调整以保持电中性，即总负电荷（包括导带电子和受主离子）必须等于总正电荷（包括价带空穴和施主离子）。,一般净杂质浓度|N,D,N,A,|比本征载流子浓度n,i,大，因此,下图显示施主浓度N,D,为10,15,cm,-3,时，硅的电子浓度对温度的函数关系图。,低温，晶体中热能不足以电离所有施主杂质。有些电子被冻结在施主能级，因此电子浓度小于施主浓度。,温度上升，完全电离的情形即可达到（即,n,n,=N,D,）。,温度继续上升，电子浓度基本上在一段长的温度范围内维持定值，此为非本征区。,温度进一步上升，达到某一值，此时本征载流子浓度可与施主浓度相比，超过此温度后，半导体便为本征的。,半导体变成本征时的温度由杂质浓度及禁带宽度值决定。,电子浓度n/cm,-3,最重要的两种散射机制：,影响迁移率的因素：,晶格散射：当晶体温度高于,0K,时，晶格原子的热振动随温度增加而增加；在高温下晶格散射变得显著，迁移率因此随着温度的增加而减少。,杂质散射：是一个带电载流子经过一个电离杂质所引起的。由于库仑力的交互作用，带电载流子的路径会偏移。,I,随着,T,3/2,/N,T,而变化，其中,N,T,为总杂质浓度。,散射机制,平均自由时间,迁移率,第三章,漂移运动：小电场,E,施加于半导体，每一个电子上受到-,qE,的作用力，且在各次碰撞之间，沿着电场的反向被加速。因此，一个额外的速度（漂移速度）成分将加到热运动的电子上。,n型半导体,p型半导体,电导率,爱因斯坦关系式,当浓度梯度与电场同时存在时，总电流密度即为漂移及扩散成分的总和，因此总传导电流密度为,适用：低电场状态。高电场时，,n,E,及,p,E,应以饱和速度,v,s,替代。,在热平衡下，,pn,=,n,i,2,。,如果有超量载流子导入半导体中，,pn,n,i,2,，称此状态为非平衡状态。,净复合率,俄歇复合：电子-空穴对复合所释放出的能量及动量转换至第三个粒子而发生的，此第三个粒子可能为电子或空穴。,半导体表面，假如载流子具有足够的能量，它们可能会被发射至真空能级，这称为热电子发射过程。,电子亲和力,q,为半导体中导带边缘与真空能级间的能量差；功函数,q,s,为半导体中费米能级与真空能级间的能量差。假如一个电子的能量超过,q,，它就可以被热电子式发射至真空能级。,连续性方程是描述半导体物质内当漂移、扩散及复合同时发生时的总和效应的方程式,。,第四章,p-n,结：由,p,型半导体和,n,型半导体接触形成的结。,整流性：只容许电流流经单一方向。,p-n结形成前,p,型和,n,型半导体材料分离。,费米能级在,p,型材料中接近价带边缘，在,n,型中则接近导带边缘。,p,型，空穴为多子，电子为少子；,n,型刚好相反。,p型和n型半导体结合,空穴离开,p,侧，结附近部分受主离子,N,A,-,未能够受到补偿，因受主被固定在半导体晶格。,结附近部分施主离子,N,D,+,，在电子离开,n,侧时未能得到补偿。,负空间电荷在接近结,p,侧形成，正空间电荷在接近结,n,侧形成。,空间电荷区域产生了一电场（内建电场）：由正空间电荷指向负空间电荷。,热平衡时，整个样品上的费米能级是常数（亦即与,x,无关）。,热平衡时，p型和n型中性区的总静电势差即为内建电势,V,bi,无外加偏压，横跨结的总静电势是,V,bi,。从p端到n端其对应的电势能差是,qV,bi,。,p端加一相对于n端的电压,V,F,，p-n结正偏。跨过结的总静电势减少,V,F,，即,V,bi,-,V,F,。因此，正偏降低耗尽区宽度。,在n端加上相对于p端的电压,V,R,，p-n结反偏，总静电势增加,V,R,，即,V,bi,+,V,R,。反向偏压会增加耗尽区宽度。,反偏，耗尽层势垒电容为主要结电容。正偏，对结电容会产生显著的附加电容（即扩散电容）。,pn结理想电流-电压特性的假设：耗尽区为突变边界，且假设在边界之外，半导体为电中性。边界的载流子浓度和跨过结的静电电势有关。小注入情况，亦即注入的少子浓度远小于多子浓度，即在中性区边界上，多子浓度因加上偏压而改变的量可忽略。耗尽区内无产生和复合电流，且电子和空穴电流在耗尽区内为常数，p-n结内的电流处处相等。,为n区空穴（少子）的扩散长度。,为p区电子（少子）扩散长度。,理想二极管方程式为：,反偏，耗尽区内主要考虑产生-复合中的产生电流；而正偏时，耗尽区内则主要考虑俘获过程。,第五章,双极型器件：电子与空穴皆参与导通，由两个相邻的互作用的,p-n,结组成，其结构可为,p-n-p,或,n-p-n,。,发射区的掺杂浓度远比集电区大；基区的浓度比发射区低，但高于集电区浓度。,当基区宽度足够小时，由发射区注入基区的空穴便能够扩散通过基区而到达集基结的耗尽区边缘，并在集基偏压的作用下通过集电区。,由邻近的射基结注射过来的空穴可在反偏集基结造成大电流，此为晶体管放大作用，且只有当此两,p-n,结足够接近时才会发生，因此此两结被称为交互,p-n,结。,为推导理想晶体管的电流、电压表示式，作下列五点假设：,（1）晶体管中各区域的浓度为均匀掺杂；,（2）基区中空穴漂移电流和,集基极反向饱和电流,可以忽略；,（3）载流子注入属于小注入；,（4）耗尽区中没有产生-复合电流；,（5）晶体管中无串联电阻。,晶体管三端点的电流主要是由基极中的少子分布来决定。,根据射基结与集基结上偏压的不同，双极型晶体管有四种工作模式。晶体管有四种工作模式。,共射组态下，当集电极和基极间的反向偏压增加时，基区宽度将会减少，导致基区中的少子浓度梯度增加，亦即使得扩散电流增加，因此,I,C,也会增加。这种电流变化称为厄雷效应，或基区宽度调制效应，将集电极电流往左方延伸，与,V,EC,轴相交，可得到交点，称为厄雷电压。,低频，共基电流增益是一固定值；频率升高至一关键点后，共基电流增益将会降低。,右图显示热平衡状态，两个半导体形成理想异质结的能带图。在此图中，假设此两不同半导体的界面没有陷阱或产生-复合中心。必须选择晶格常数很接近的材料来符合此假设。异质界面处的能带是不连续的。,右图为V=0，理想p型MOS二极管的能带图。,q,m,、,q,s,：功函数，,q,：电子亲和力，,q,B,：费米能级,E,F,与本征费米能级,E,i,差。,理想MOS二极管定义为：,(1)零偏压时，,q,ms,为零，即能带是平的（称为平带状况）。,(2)任意偏压下，二极管中的电荷仅位于半导体之中，且与邻近氧化层的金属表面电荷量大小相等、极性相反；,(3)直流偏压下，无载流子通过氧化层，氧化层电阻值无穷大。,第六章,理想MOS二极管偏压为正或负时，半导体表面出现三种状况,(1)p型半导体，施加负电压，接近半导体表面的能带向上弯曲。使,E,F,-,E,i,变大，提升空穴的浓度，氧化层与半导体的界面处产生空穴堆积，称为积累现象。理想MOS二极管，不论外加电压为多少，器件内部均无电流流动，半导体内部费米能级为一常数。,(2)外加小量正电压，靠近半导体表面的能带向下弯曲，,E,F,=,E,i,，多子空穴耗尽，称为耗尽现象。半导体中单位面积的空间电荷,Q,sc,值为,qN,A,W,，其中,W,为表面耗尽区的宽度。,起初，因电子浓度较小，表面处于一弱反型状态，当能带持续弯曲，使得,E,C,接近,E,F,。,当靠近,SiO,-Si,界面的电子浓度等于衬底的掺杂量时，开始产生强反型。,之后，大部分在半导体中额外的负电荷是由电子在很窄的,n,型反型层（,0,x,x,i,）中产生的电荷,Q,n,如右上图,所组成，其中,x,i,为反型层的宽度。,x,i,通常远小于表面耗尽区的宽度。,(3)外加一更大正电压，能带向下弯曲更严重。由于,E,F,-,E,i,0，半导体表面电子浓度大于,n,i,，而空穴浓度小于,n,i,，表面载流子呈现反型，称为反型现象。,类型,剖面图,输出特性,转移特性,),(,n,常闭,沟增强型,),(,n,常开,沟耗尽型,),(,p,常闭,沟增强型,),(,p,常开,沟耗尽型,+,G,+,n,+,n,p,+,D,D,I,沟道,n,G,+,n,+,n,p,+,D,D,I,+,-,-,