薄膜电容器知识ppt课件

,单击此处编辑母版样式,单击此处编辑幻灯片母版样式,第二层,第三层,第四层,第五层,*,技术中心,*,电容器基础知识讲座,技术中心,1,技术中心,电容器基础知识讲座技术中心1技术中心,培训内容,电容器基础知识,电容器的应用,电容器的标准与测试,电容器材料,电容器工艺,产品分析报告,薄膜电容器的发展动态,2,技术中心,培训内容 电容器基础知识2技术中心,第一讲,电容器基础知识（一）,概念,电容器的分类,电容器的结构,电容器的发展,3,技术中心,第一讲 电容器基础知识（一）概念3技术中心,概念,电容器是储存电荷,或存储电量（电势能）的容器。是电工及电子设备中广泛应用的电路基本元件,，通常由电介质（绝缘材料）隔离的两块导电极板组成。,任何绝缘材料都可能成为电容器的电介质，如纸、玻璃、云母、油、空气等等，目前主要产品有陶瓷电容器、塑料薄膜电容器、电解电容器三大类。,薄膜电容器：指以（电工级）塑料薄膜为电介质的电容器。与陶瓷和电解电容器相比具有产品性能好、可靠性高的优点，但容量/体积比小，价格高。,4,技术中心,概念 电容器是储存电荷或存储电量（电势能）的容器。是电工及电,概念,电容器的符号,电容器的标志：,电容量、等级、额定电压、型号、生产日期、商标、认证标志,+,5,技术中心,概念电容器的符号+5技术中心,概念,电容量的,单位,：F、F、nF、pF。,1F=10,6,F=10,9,nF=10,12,pF,1F=10,3,nF=10,6,pF,1nF=10,3,pF,三位数表示法：ABC=AB10,C,pF。,如:104、223,符号法：4p7、3n3、15n、68,6,技术中心,概念电容量的单位：F、F、nF、pF。6技术中心,概念,额定电压：,直流：dc、-、或不标,交流：ac、,额定电压的符号法：,（JIS）,生产日期：直标法：05.2；年号：S、T；,周：符号等等。,2A,100,3B,1250,1C,16,2D,200,2E,250,2F,315,2G,400,1H,50,1J,63,2K,800,7,技术中心,概念额定电压：2A1003B12501C162D2002E2,电容器的分类,按介质分类：,有机介质电容器,塑料薄膜,、纸介、漆膜、复合介质,PET、OPP、PEN、PPS、PS、PC,无机介质电容器,瓷介,、云母、玻璃膜及玻璃釉,高频瓷、铁电瓷、半导体瓷,电解电容器,铝电解,、钽电解、铌电解,液体铝电解、固体铝电解、无极性电解,8,技术中心,电容器的分类按介质分类：8技术中心,电容器的型号命名（GB2470-81）,C（第一位C，,第四位为序号,）,D,铝电解,A,钽电解,N,铌电解,G,合金电解,E,电解,C,高频瓷,T,低频瓷,Y,云母,V,云母纸,I,玻璃釉,O,玻璃膜,B,聚苯乙烯,非极性薄膜,L,聚酯,极性薄膜,H,纸膜复合,J,金属化纸,Z,纸,Q,漆膜,第三位,1,2,3,4,5,6,7,8,9,薄膜,非密封,密封,穿心,高压,特殊,电解,箔式,烧结粉,无极性,特殊,瓷介,圆形,管型,叠片,独石,穿心,支柱,高压,9,技术中心,电容器的型号命名（GB2470-81）C（第一位C，第,几种电容器的特性对比,材料,PET,PEN,PPS,NPO,X7R,Tan,工作温度(),-55/105,-55/125,-55/140,-55/125,-55/125,-55/125,电容量随温度变化C/C(%),5,5,1.5,1,15,10,DC电压系数(%),可忽略,可忽略,可忽略,可忽略,-20,可忽略,寿命期容量变化（%/h,十年）,可忽略,可忽略,可忽略,可忽略,2,损耗(%)1kHz,10kHz,100kHz,0.8,1.5,3.0,0.8,1.5,3.0,0.20,0.25,0.50,0.10,0.10,0.10,2.5,8,ESR,低,低,很低,低,中至高,高,R,I,(s)25 85,10000,1000,10000,1000,10000,1000,10000,1000,1000,500,100,10,10,技术中心,几种电容器的特性对比材料PETPENPPSNPOX7RTan,几种电容器的特性对比,材料,PET,PEN,PPS,NPO,X7R,Tan,电容量范围,102/106,102/475,101/105,100/473,101/475,104/108,容器允许偏差,J,K,M,J,K,M,J,K,M,J,K,K,M,K,M,自愈性,有,有,有,无,无,无,典型失效模式,(寿命终止时),开路,开路,开路,短路,短路,短路,可靠性,高,高,高,高,中,低,压电效应,无,无,无,有,有,有,抗热 机械冲击,高,高,高,中至低,中至低,低,非线形失真,非常低,非常低,非常低,低,高,极性,无,无,无,无,无,有,11,技术中心,几种电容器的特性对比材料PETPENPPSNPOX7RTan,薄膜电容器的结构（介质）,聚丙烯膜,高频损耗极低，电容量稳定性很高，负温度系数较小，绝缘电阻极高，介质吸收系数极低，自愈性好，介电强度高，吸水率低。,聚酯膜,工作温度范围宽，介电常数高，电容量稳定性高，正温度系数，绝缘电阻高，自愈性好，薄膜厚度可达0.9,m,容积比高。,12,技术中心,薄膜电容器的结构（介质）聚丙烯膜高频损耗极低，电容量稳定性很,（塑料）薄膜电容器的分类,通用,用于以直流分量为主的电路场合。,如：耦合、旁路、滤波.,交流与脉冲,用于以交流或脉冲电压分量为主的电路场合，可以承受较大的交流或脉冲电流。,如：行逆程高压、S校正、尖峰吸收.,抑制电源,电磁干扰,用于电源电路，抑制电磁干扰，提高整机的CE特性。,跨线：X1,X2,X3；接地：Y1,Y2,Y3Y4,精 密,用于要求电容量精确、稳定、温度系数小的场合。如：定时、振荡、积分。,交 流,工作于交流电源。,如：电机起动、功率因数补偿.,13,技术中心,（塑料）薄膜电容器的分类通用用于以直流分量为主的电路场合。交,薄膜电容器的结构（电极）,金属箔,铝箔,（5、6、6.5m）,工艺流程短，成本低，耐电流冲击。,没有自愈性，击穿后短路，可靠性差，工作场强低，体积大，不适合做高压。,锡箔,（7、14m）,金属化,铝金属化,高/低方阻，加厚边，安全膜，波浪边，双面,有自愈性，可靠性高，工作场强高，体积小，开路失效模式，适合做高压产品。,耐电流差，成本高，工艺流程长,锌铝金属化,加厚边，安全膜，波浪边,膜箔式,金属箔作外电极,金属化作内电极,兼顾金属箔和金属化的优点，适合做高压大电流产品。,主要为内串式结构。,14,技术中心,薄膜电容器的结构（电极）金属箔铝箔工艺流程短，成本低，耐电流,薄膜电容器的结构（芯子结构）,卷绕式,金属箔式,有感式,引出线点焊,旗箔式,无感式,露箔点焊，预焊,金属化,无感式,喷金,叠片式,叠片式,喷金,表面安装,喷金/（涂浆料）/上锡,焊片式,内串式,2/3/4/5串,喷金,膜箔式,有感式,旗箔式,无感式,预焊，喷金,15,技术中心,薄膜电容器的结构（芯子结构）卷绕式金属箔式有感式引出线点焊无,薄膜电容器的结构（外部结构）,封装,浸渍型,液体/粉末/简装,设计灵活,盒 式,塑料外壳,金属外壳,外观一致性好,插件直通率高,裸装,浸树脂,加套管,体积小,引出方式,径 向,成型,编带,易插件,排版密度高,轴 向,圆柱形,扁平型,结构稳定,节省高度空间,16,技术中心,薄膜电容器的结构（外部结构）封装浸渍型液体/粉末/简装设计灵,薄膜电容器的选用,1.根据用途或电路原理确定电容器的类型：,1.1直流回路：选用通用类薄膜电容器。,低电压：盒式、高性能：CL23B、CL23/,大间距,浸渍型、小型化：CL21X,廉价：CL11,容量稳定：CBB21、CBB13、CH11,高精密：CBB71、CBB72、CBB70,表面安装：CLN51、CBS52,中高压：体积小：CL21、CL20,容量稳定：CBB21、CBB81,表面安装：CLN51、,17,技术中心,薄膜电容器的选用1.根据用途或电路原理确定电容器的类型：17,薄膜电容器的选用,1.2交流脉冲回路（S校正电路、行逆程电路、尖峰吸收回路、灯具）：选用脉冲类电容器,行逆程电路：CBB81、CBB81B、CBB81A,S校正电路：CBB21、CBB21B、CBB21A、CBB13,电子镇流器：MKP21、MKP81、,MMKP82、MMKP84,节能灯：CL11、CBB11、CL21、CL23B、,CL25、CBB21,18,技术中心,薄膜电容器的选用1.2交流脉冲回路（S校正电路、行逆程电路、,薄膜电容器的选用,1.3,安规电容器的选用：,电源跨线（抑制差模干扰）：X类,X2类：CBB62（CQC）,MKP61、MKP62（CQC、UL、ENEC）,X1类：MKP63（CQC、UL、ENEC）,电源对地（抑制共模干扰）：Y类,Y2类:MKP63（CQC、UL、ENEC）,19,技术中心,薄膜电容器的选用1.3安规电容器的选用：19技术中心,薄膜电容器的选用,1.4,精密电容器的选用：,我公司的精密电容器有五种型号。,CBB70为金属化轴向引出方式，电容量范围较宽。,CBB71A为箔式结构，温度系数较小（-15070ppm）。,6.3,115塑壳封装，容量较小。,CBB71B为箔式结构，温度系数较小（-15070ppm）。,方型塑壳封装引线呈对角线引出，容量比A型的大。,CBB72A为金属化结构，温度系数为（-200100ppm）。,6.3,115塑壳封装，容量较小。,CBB72B为金属化结构，温度系数为（-200100ppm）。,方型塑壳封装引线呈对角线引出，容量比A型的大。,20,技术中心,薄膜电容器的选用1.4精密电容器的选用：20技术中心,薄膜电容器的寿命,影响薄膜电容器寿命的因数主要是环境温度和电应力。下图给出环境温度与电应力对产品失效的影响：,21,技术中心,薄膜电容器的寿命 影响薄膜电容器寿命的因数主要是环境温度,薄膜电容器的发展方向,介质材料的发展趋势：,PAPER,PETPC PS,PET,PENPPSPET,丙烯酸树脂,聚对二甲苯,成膜技术,22,技术中心,薄膜电容器的发展方向介质材料的发展趋势：PAPERPETPE,薄膜电容器的发展方向,通用类电容器的发展趋势：,低成本、小型化、表面安装。,通用类电容器主要竞争对手是陶瓷和电解，目前是以电气性能优异、高可靠取胜，如果在价格、体积和表面安装等方面不能突破的话，市场份额将会萎缩。,有引出线,无引出线,卷绕式,叠片式,金属箔式,金属化,有感式,无感式,叠片式,表面安装,23,技术中心,薄膜电容器的发展方向通用类电容器的发展趋势：有引出线 无引出,薄膜电容器的发展方向,脉冲类的发展趋势：,一是向高频率、高电压、大功率方向发展。,二是专用化，根据用途进行专门设计，如节能灯、电子镇流器、汽车电容器等等。,安规电容器的发展趋势-小型化。,采用安全膜可以提高容积比，但成本较高，目前更倾向于提高薄膜的介电强度和改善工艺来减薄介质厚度。UL1414标准-第六版的修订。,精密类的发展趋势是提高电容器的性能，使电容器更精密、更稳定、更可靠。,24,技术中心,薄膜电容器的发展方向脉冲类的发展趋势：24技术中心,薄膜电容器的发展方向,交流类电容器是与直流电容器并列的大类产品，是薄膜电容器的优势产品，是其他介质电容器无法取代的是。,我公司交流电容器的市场份额还较小，因此发展空间还很大，必须抓住机遇，走高端、专用、冷门的路线，做大做强交流电容器。,25,技术中心,薄膜电容器的发展方向 交流类电容器是与直流电容器并列的,薄膜电容器的发展方向,总之，薄膜电容器的发展方向是低成本，小型化，片式化，超高压，大功率，高精密，高可靠。,随着新材料、新工艺技术的应用与开发，薄膜电容器将产生重大变革。,随着整机设备的发展，对薄膜电容器的应用将带来机遇和挑战。,26,技术中心,薄膜电容器的发展方向 总之，薄膜电容器的发展方向是低成,