第四节-晶体三极管的伏安特性曲线课件

,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2019年5月24,感谢你的观看,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2019年5月24,感谢你的观看,*,第四节 晶体三极管,的伏安特性曲线,1,感谢你的观看,2019年5月24,第四节 晶体三极管 的伏安特性曲线,晶体三极管的,理论伏安特性曲线,，可以根据埃伯尔斯莫尔方程直接画出来。,理论伏安特性曲线：,是不考虑中性区所固有的,体电阻,、制造工艺上的,离散性,以及其它的,寄生影响,等因素。,如果考虑到这些影响，则,实际的伏安特性曲线,将偏离理论伏安特性曲线。一般都采用,实验方法,逐点描绘出来或用,晶体三极管测试仪,直接侧得。,2,感谢你的观看,2019年5月24,晶体三极管的理论伏安特性曲线，可以根据埃伯尔,双口网络,V,1,I,2,I,1,V,2,共基极,V,EB,I,C,I,E,V,CB,C,E,B,3,感谢你的观看,2019年5月24,双口网络V1I2I1V2共基极VEBICIEVCBCEB3感,共发射极,共集电极,V,BC,I,E,I,B,V,BC,E,B,C,V,CE,I,C,I,B,V,BE,B,C,E,4,感谢你的观看,2019年5月24,共发射极共集电极VBCIEIBVBCEBCVCEICIBVB,以共发射极为例：,根据电路可知：,有四个变量,I,B,、V,BE,、I,C,、V,CE,输入特性曲线族,输出特性曲线族,或,V,CE,I,C,I,B,V,BE,E,C,B,5,感谢你的观看,2019年5月24,以共发射极为例：根据电路可知：有四个变量 IB 、V,在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线，这些特性曲线都可以从上述的输入和输出特性曲线转换得到。,例如：,转移特性曲线族,电流放大特性曲线族,6,感谢你的观看,2019年5月24,在某些应用场合下，还需要其它形式的特性曲线,一、输入特性曲线族：,实际测量得到的输入特性曲线族。,0,I,EBO,+I,CBO,V,(BR)BEO,I,B,/,A,V,CE,=10V,V,CE,=0.3V,V,CE,=0,0.7,0.6,0.5,V,BE,/V,0.8,7,感谢你的观看,2019年5月24,一、输入特性曲线族：实际测量得到的输入特性曲线族。0I,基区宽度调制效应：,W,B,V,CE,W,BO,I,B,N,P,N,W,BO,8,感谢你的观看,2019年5月24,基区宽度调制效应：WBVCEWBOIBNPNWB,二、输出特性曲线族：,实际测量得到的输出特性曲线族。,放,大,区,击,穿,区,饱和区,截止区,I,C,/mA,I,B,=-I,CBO,(I,E,=0),V,(BR)CBO,V,(BR)CEO,I,C,=I,CBO,I,C,=I,CEO,V,CE,/V,10,A,I,B,=0,40,A,30,A,20,A,9,感谢你的观看,2019年5月24,二、输出特性曲线族：实际测量得到的输出特性曲线族。放击饱,根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四个区，即放大区、截止区、饱和区、击穿区。,1、,放大区：,晶体三极管工作在,放大模式,，即,发射结正偏，集电结反偏,。,I,C,与,I,B,之间满足直流传输方程，即,特点：,（1）、若设 为常数，当,I,B,等量增加时，输出特性曲线也将等间隔的平行上移。由于基区宽度调制效应，当,V,CE,增大时，基区复合减小，导致 和相应的 略有增大。,10,感谢你的观看,2019年5月24,根据外加电压大小的不同，整个曲线族可划分为四,因此，每一条以,I,B,为参变量的曲线都随,V,CE,增大而略有上翘。,（2）、若取,V,BE,为参变量，作特性曲线,I,C,V,BE4,V,BE3,V,BE2,V,BE1,V,CE,0,A,V,A,V,A,称为,厄尔利电压,，其值的大小可用来表示输出特性曲线得上翘程度。,V,A,越大，上翘程度就越小。,11,感谢你的观看,2019年5月24,因此，每一条以 IB 为参变量的曲线都随VCE 增大而略有上,考虑厄尔利电压的影响，则,应该加以修正为,0,V,CE,I,C,I,C,I,C2,I,C1,12,感谢你的观看,2019年5月24,考虑厄尔利电压的影响，则应该加以修正为 0VCEIC IC,2、,截止区,：,晶体三极管工作在,截止模式,，即,发射结反偏，集电结反偏,。,从输出特性曲线上看，工程上，可规定,I,B,=0（,相应地,I,C,=I,CEO,）,以下的区域称为截止区。,特点：,（1）、,V,CE,很大，其值接近偏置电压。,（2）、严格的说，截止区应该是,I,E,=0,以下的区域。,当,I,E,=0,时,I,C,=I,CBO,，I,B,=-I,CBO,13,感谢你的观看,2019年5月24,2、截止区：晶体三极管工作在截止模式，即 发射结反偏，集,3、,饱和区,：,晶体三极管工作在,饱和模式,，即,发射结正偏，集电结正偏,。,特点：,（1）、,V,CE,很小，其值小于0.3,V。（,仅适合小功率管）,（2）、,I,C,与,I,B,之间不满足直流传输方程，并且有,I,C,V,(BR)CEO,当基极开路，即,I,B,=0，I,C,=I,CBO,时，击穿电压为,V,(BR)CEO,。,当,I,E,=0，,即,I,C,=I,CBO,，I,B,=-I,CBO,时，击穿电压最大用,V,(BR)CBO,表示。,17,感谢你的观看,2019年5月24,V(BR)CBO V(BR)CEO 当基极开路，即 I,三、极限参数：,P,CM,V,CE,0,V,(BR)CEO,I,CM,I,C,安,全,区,I,CM,最大允许集电极电流。,V,(BR)CEO,集电极反向击穿电压。,P,CM,最大允许集电极耗散功率。,18,感谢你的观看,2019年5月24,三、极限参数：PCM VCE0V(BR)CEOICM,