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,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,3.,1,突变反型异质结能带图,3.1.1 pN异质结能带图,根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于Anderson模型的pN异质结能带图通常分为4种情况：,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,（1）第一种情况,3.1 突变反型异质结能带图根据两种半导体材料的电子亲和能,第一种情况能带图的伏安特性关系式为：,其中，,第一种情况能带图的伏安特性关系式为：其中，,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,（2）第二种情况,其中，,qVD1Eg1EcqVD2Eg2（2）第二种情况其中，,（3）第三种情况,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,（3）第三种情况qVD1Eg1EcqVD2Eg2,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,若,则,qVD1Eg1EcqVD2Eg2若则,（4）第四种情况,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,与第三种情况,qV,D1,E,C,时,伏安特性关系式相同,（4）第四种情况qVD1Eg1EcqVD2Eg2与第三种情,qV,D1,E,g1,E,c,qV,D2,E,g2,与第三种情况,qV,D1,E,C,时,伏安特性关系式相同,qVD1Eg1EcqVD2Eg2与第三种情况qVD1E,文献报道中的pN异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如：,pN-Ge/Si,pN-Ge/GaAs,pN-Ge/ZnSe,pN-Si/GaAs,pN-Si/ZnS,pN-GaAs/GaP,pN-PbS/Ge,pN-PbS/Cds,第二种情况主要有：,pN-Si/CdSe,pN-Si/CdS,pN-GaAs/ZnSe,pN-ZnTe/ZnSe,pN-ZnTe/Cd,第三种情况主要有：,pN-PbS/GaAs,第四种情况主要有：,pN-GaSbAs/InGaAs,文献报道中的pN异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如：,3.,1.2,nP,异质结能带图,基于,Anderson,模型的,nP,能带图也分为,4,种情况：,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,（1）第一种情况,3.1.2 nP异质结能带图基于Anderson 模型的n,第一种情况能带图的伏安特性关系式为：,第二种情况能带图的伏安特性关系式为：,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,（,2,）第二种情况,第一种情况能带图的伏安特性关系式为：第二种情况能带图的伏安特,（,3,）第三种情况,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,第三种情况能带图的伏安特性关系式为：,当正向偏压使能带图中的,负尖峰势垒（对空穴而言）,即,q,(,V,D1,-,V,1,),E,V,时，相应,的伏安特性关系式为：,（3）第三种情况qVD1Eg1EVqVD2Eg2第三种情况,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,（,3,）第三种情况,此种情况伏安特性关系式为：,当反向偏压使能带图中的负尖峰势垒（对空穴而言）即,q,(,V,D1,+,V,1,),E,c,时的伏安特性关系式相同,（4）第四种情况qVD1Eg1EVqVD2Eg2此种情况与,qV,D1,E,g1,E,V,qV,D2,E,g2,（,4,）第四种情况,此种情况与第三种情况能带图,qV,D1,E,c,时的伏安特性关系式相同,qVD1Eg1EVqVD2Eg2（4）第四种情况此种情况与,文献报道中的,nP,异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如：,nP-Ge/GaAs,nP-Si/GaP,nP-InSb/Si,nP-InAs/ZnTe,nP-GaAs/GaP,第二种情况主要有：,nP-CdSe/ZnTe,nP-CdSe/Se,第一种情况和第四种情况很少在文献中出现,文献报道中的nP异质结能带图大多数都属于第三种情况，例如：,3.,2,突变同型异质结能带图,根据两种半导体材料的电子亲和能、禁带宽度和功函数的不同，基于Anderson模型的nN异质结能带图通常分为4种情况：,（1）第一种情况,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D1,3.2 突变同型异质结能带图根据两种半导体材料的电子亲和,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D1,伏安特性关系式为：,qVD1Eg1ECEg2qVD1伏安特性关系式为：,（2）第二种情况,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,正向偏压的方向由材料2指向材料1,（2）第二种情况qVD1Eg1ECEg2qVD2伏安特性关,（3）第三种情况,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,当,q,（,V,D2,-,V,2）,E,C,时，相应的伏安特性关系式为：,（3）第三种情况qVD1Eg1ECEg2qVD2伏安特性关,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,正向偏压的方向由材料2指向材料1,qVD1Eg1ECEg2qVD2伏安特性关系式为：正向偏压,（4）第四种情况,qV,D1,E,g1,E,C,E,g2,qV,D2,第四种情况能带图的伏安特性关系式与第一种 情况,qV,D1,E,C,能带图的伏安特性关系式相同,（4）第四种情况qVD1Eg1ECEg2qVD2第四种情况,文献报道中的,n,N,异质结能带图属于第一种情况的有：,n,N,-Ge/,Si,n,N,-,Ge,/Ga,As,n,N,-,Si,/,GaAs,n,N,-,Si,/Zn,S,属于第三种情况的主要有：,n,N,-,Si/,CdSe,n,N,-,GaAs,/,Zn,Se,，nN-CdTe/CdS,文献报道中的nN异质结能带图属于第一种情况的有：,3.,2,.2 pP异质结能带图,由于大多数半导体材料的空穴迁移率都很低，pP异质结的研究开展的很少，但作为一个类别有必要讨论pP异质结能带图，以保证体系的完整性。基于Anderson模型的pP能带图也分为4种情况：,qV,D1,E,g1,E,V,E,g2,qV,D2,（1）第一种情况,伏安特性关系式为：,3.2.2 pP异质结能带图由于大多数半导体材料的空穴迁,（2）第二种情况,qV,D1,E,g1,E,V,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,正向偏压的方向由材料1指向材料2,（2）第二种情况qVD1Eg1EVEg2qVD2伏安特性关,（3）第三种情况,qV,D1,E,g1,E,V,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,正向偏压的方向由材料1指向材料2,当,q,（,V,D2,-,V,2,）,E,V,时，相应的伏安特性关系式为：,（3）第三种情况qVD1Eg1EVEg2qVD2伏安特性关,qV,D1,E,g1,E,V,E,g2,qV,D2,伏安特性关系式为：,正向偏压的方向由材料1指向材料2,qVD1Eg1EVEg2qVD2伏安特性关系式为：正向偏压,（3）第三种情况,qV,D1,E,g1,E,V,E,g2,qV,D2,其伏安特性和第一种情况能带图的伏安特性关系式相同,文献报道中的pP异质结能带图属于第一种情况的有：,pP,-Ge/Ga,As,pP,-,Si,/Ga,P,pP,-,GaSb,/,ZnTe,pP,-,PbS,/,Ge,（3）第三种情况qVD1Eg1EVEg2qVD2其伏安特性,
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