三极管的命名、参数及测试

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,書式設定,書式設定,第 2,第 3,第 4,第 5,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,三极管的命名和参数,1,半导体器件的命名方式,第一部分,数字,字母 字母(汉拼),数字,字母(汉拼),电极数,材料和极性 器件类型 序号 规格号,3,三极管,第二部分,第三部分,X 低频小功率管,G 高频小功率管,D 低频大功率管,A 高频大功率管,第四部分,第五部分,例：,3AX31 3DG12B 3DD6,PNP低频小功率锗三极管 NPN高频小功率硅三极管 NPN低频大功率硅三极管,3CG,3AD 3DK,PNP高频小功率硅三极管 PNP低频大功率锗三极管 NPN硅开关三极管,D 硅材料 NPN,C 硅材料 PNP,A 锗材料 PNP,B 锗材料 NPN,2,2.1.6 半导体三极管的型号,国家标准对半导体三极管的命名如下:,3,D,G,110,B,第二位,：A,锗PNP管、,B,锗NPN管、,C,硅PNP管、,D,硅NPN管,第三位,：X,低频小功率管、,D,低频大功率管、,G,高频小功率管、,A,高频大功率管、,K,开关管,用字母表示材料,用字母表示器件的种类,用数字表示同种器件型号的序号,用字母表示同一型号中的不同规格,三极管,3,1.电流放大系数 ，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态,(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为,静态电流(直流)放大,系数,当晶体管工作在动态,(有输入信号),时，基极电流的变化量为,I,B,，它引起集电极电流的变化量为,I,C,。,I,C,与,I,B,的比值称为,动态电流,(交流),放大系数,在输出特性曲线近于平行等距并且,I,CEO,较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(1)直流参数,4,极间反向电流,1.集电极基极间反向饱和电流,I,CBO,I,CBO,的下标CB代表集电极和基极，O是,Open的字头，代表第三个电极E开,路。它相当于,集电结的反向饱和电流。,指发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。一定温度下,I,CBO,是一个常数，所以又称为反向饱和电流。,E,C,I,CBO,5,2.集电极发射极间的反向饱和电流,I,CEO,I,CEO,和,I,CBO,有如下关系,I,CEO,=（1+）,I,CBO,相当基极开路时，集电极和发射极间的反向饱和电流，即输出特性曲线,I,B,=0那条曲线所对应的,Y,坐标的数值。如下图所示。,E,C,I,CEO,饱和区,截止区,I,C,/,mA,U,CE,/V,100 A,80 A,60 A,40 A,20 A,I,B,=0,O,3 6 9 12,4,3,2,1,2.3,1.5,放,大,区,6,1.集电极 基极反向饱和电流,I,CBO,。,反向饱和电流随,温度,增加而增加，是管子工作状态不稳定的主要因素。因此，常把它作为,判断管子性能,的重要依据。,硅,管,反向饱和电流,远,小,于,锗,管，在温度变化范围大的工作环境应选用硅管。,二、极间反向饱和电流,2.集电极 发射极反向饱和电流I,CEO,。,(2.1.7),7,1.电流放大系数 ，,当晶体管接成共发射极电路时，在静态,(无输入信号)时集电极电流与基极电流的比值称为,静态电流(直流)放大,系数,当晶体管工作在动态,(有输入信号),时，基极电流的变化量为,I,B,，它引起集电极电流的变化量为,I,C,。,I,C,与,I,B,的比值称为,动态电流,(交流),放大系数,在输出特性曲线近于平行等距并且,I,CEO,较小的情况下,可近似认为 ，但二者含义不同。,电流放大系数一般在10100之间。太小，放大能力弱，太大易使管子性能不稳定。一般取3080为宜。,(2)交流参数,8,1,f,T,f,1,2,7,3,4,5,返回,特征频率,f,T,三极管的,值不仅与工作电流有关，而且与,工作频率有关。由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的,将会下降。,当,下降到1时所对应的频率称为特征频率，用,f,T,表示。,(2)交流参数,9,当,值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流,I,CM,。,1.集电极最大允许电流,I,CM,(3)极限参数,10,基极开路时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集射反相击穿电压,U,(BR)CEO,。,2.,V,(BR)CE,O,发射极开路时的集电结击穿电压。,下标BR代表击穿之意，是Breakdown的字头，CB,代表集电极和基极，O代表第三个电极B开路。,管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。,2.集电极 发射极间反向击穿电压,V,(BR)CEO,11,当晶体管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率，称为集电极最大允许耗散功率,P,CM,。,I,C,I,CM,U,(BR)CEO,U,CE,P,CM,O,I,CEO,安,全,工,作,区,由,I,CM,、,U,(BR)CEO,、,P,CM,三者共同确定晶体管的安全工作区。,返回,正常工作时，,I,C,流过集电结要消耗功率，而使三极管发热，三极管达到一定温度后，性能变差或者损坏。使用时应该使集电极消耗的功率,P,C,P,CM,3.集电极最大允许耗散功率,P,CM,12,3.集电极最大允许功耗,P,CM,集电极电流,I,C,流过三极管，,所发出的焦耳,热为：,P,C,=,I,C,U,CE,必定导致结温,上升，所以,P,C,有限制。,P,C,P,CM,I,C,U,CE,I,C,U,CE,=,P,CM,I,CM,U,(BR)CEO,安全工作区,上一页,首 页,13,