第三章 场效应晶体管及其放大电路4

Click to edit Master title style,Click to edit Master text styles,Second level,Third level,Fourth level,Fifth level,*,*,上页,下页,返回,模拟电子技术基础,3.3 场效应管放大电路,3.3.1 场效应管的偏置及其电路的静态分析,1自给偏压,场效应管常用的偏置方式,自给偏压,分压式偏置,I,DQ,U,SQ,=,I,DQ,R,S,U,GSQ,=,I,DQ,R,S,(1)电路,(2)自给偏压原理,+,_,+,_,(3)静态分析,a.方法一：图解法,(a)列写输出回路方程,(c)作图,(b)列写输入回路方程,+,_,+,_,a,b,c,d,e,a,b,c,d,e,I,DQ,M,N,Q,o,U,DSQ,Q,i,U,GSQ,作输出回路直流负载线,作控制特性,作输入回路直流负载线,O,O,b.方法二：估算法,输入回路方程,当管子工作于放大区时,两式联立可求得,I,DQ,由此可得,+,_,+,_,例 在图示电路中，,V,DD,=18V，,R,D,=3k，,R,S,=1k、,R,G,=1M，FET的,I,DSS,=7mA、,U,GS(off),=8V。试求,U,GSQ,、,I,DQ,和,U,DSQ,。,+,_,+,_,解,当管子工作于放大区时,将有关数据代入上式，得,U,GSQ,=2.9 V,I,DQ,=2.9 mA,联立求解，得,2分压式偏置,图中,(1)电路,(2)静态分析,+,_,+,_,+,_,_,+,故,分压式偏置:增强型、耗尽型,两种偏置电路适用的FET,自给偏压：耗尽型,+,_,+,_,+,_,_,+,3信号的输入和输出,常用的耦合方式,阻容耦合,变压器耦合,直接耦合,一种典型的阻容耦合共源极放大电路,+,_,+,+,+,_,+,3.3.2 场效应管的微变等效电路,由场效应管工作原理知,i,D,=,f,(,u,GS,，,u,DS,),i,G,=,0,对,i,D,全微分,FET,g,d,s,为跨导,式中,r,ds,为,FET,共源极输出电阻,故,或者,FET,g,d,s,FET的微变等效电路,简化的微变等效电路,FET的微变等效电路,FET的高频模型,3.3.3 场效应管组成的三种基本放大电路,1共源极放大电路,微变等效电路,+,_,+,+,+,_,+,由图可知,故,式中,a.求电压放大倍数,由图可知,b.求输入电阻,R,i,根据输出电阻的定义,由图可知,画出求输出电阻的等效电路,c.,求输出电阻,R,o,2.共漏极放大电路,微变等效电路,_,+,+,+,+,_,由图可知,故,式中,a.求电压放大倍数,输入电阻,b.求输入电阻,R,i,c.,求输出电阻,R,o,求,R,o,的等效电路,由图可知,故电路的输出电阻,3.共栅极放大电路,+,_,T,+,_,+,+,+,微变等效电路,+,_,_,+,g,s,d,_,+,+,_,T,+,_,+,+,+,由图可知,a.求电压放大倍数,+,_,_,+,g,s,d,_,+,故,由于,+,_,_,+,g,s,d,_,+,b.求输入电阻,R,i,故,c.求输出电阻,R,o,画出求,R,o,的等效电路,+,_,_,+,g,s,d,_,+,+,_,_,+,g,s,d,_,+,由于,u,gs,=,u,i,=0,1.比较共源极场效应管放大电路和共发射极晶体管,放大电路，在电路结构上有何相似之处？在性能,上各有何特点？,2.增强型绝缘栅场效应管放大电路的直流偏置能否,采用自给偏压方式？为什么？,思 考 题,