多晶硅太阳电池培训

,bkbkb,*,多晶硅,太,太阳电,池,池培训,一期太,阳,阳电池,生,生产大,致,致分为,：,：,1,，制绒,2,，清洗,3,，扩散,4,，刻蚀,5,，,PECVD,6,，印刷,烧,烧结,7,，测试,分,分档,制绒,去除损,伤,伤层,形成减,反,反射绒,面,面（陷,光,光结构,）,）,目的：,多晶制,绒,绒,:,水洗槽,水洗槽,酸制绒机,制绒槽,烘干,扩散前清洗,原材料检验,碱洗槽,水洗槽,酸洗槽,SCHMID,大致构,造,造,“,一化一,水,水”，,硅,硅片每,经,经过一,次,次化学,品,品，都,会,会经过,一,一次水,喷,喷淋清,洗,洗。,上,片,刻蚀槽,HNO,3,/,HF,水,喷,淋,碱洗,槽,槽,KOH,水,喷,淋,去,PSG,槽,HF,水,喷,淋,下,片,风,刀,多晶,制,制绒,原,原理,：,：,在酸,性,性溶,液,液的,腐,腐蚀,作,作用,下,下硅,片,片表,面,面产,生,生蜂,窝,窝状,绒,绒面,，,，该,腐,腐蚀,现,现象,可,可以,用,用氧,化,化化,学,学腐,蚀,蚀的,理,理论,进,进行,解,解释,。,。化,学,学反,应,应方,程,程如,下,下：,硅被,HNO3,氧化,，,，反,应,应为,：,：,用,用,HF,去除,SiO2,层，,反,反应,为,为：,总反,应,应为,：,生产,规,规范,：,：,不允,许,许手,直,直接,接,接触,硅,硅片,，,，需,佩,佩戴,PVC,手套,。,。手,套,套污,染,染后,必,必需,更,更换,。,。,制绒后硅片上表面,:,颜色较亮,制绒后硅片下表面,:,颜色较暗（作为扩散面）,注意,事,事项,：,制绒,设,设备,运,运行,过,过程,中,中必,须,须确,保,保负,压,压排,风,风系,统,统运,行,行正,常,常。,制绒,设,设备,的,的观,察,察窗,在,在生,产,产过,程,程中,除,除维,修,修外,必,必须,关,关闭,，,，如,确,确实,需,需要,开,开启,，,，处,理,理完,问,问题,后,后必,须,须及,时,时关,闭,闭；,设,设备,运,运行,过,过程,中,中，,严,严禁,将,将身,体,体的,任,任何,部,部位,伸,伸入,设,设备,内,内，,任,任何,情,情况,下,下严,禁,禁单,独,独在,设,设备,内,内工,作,作。,在使,用,用腐,蚀,蚀性,化,化学,制,制品,时,时必,须,须做,好,好防,护,护工,作,作。,设备,使,使用,过,过程,中,中各,部,部位,必,必须,保,保持,清,清洁,，,，要,求,求定,期,期清,理,理碎,片,片和,清,清洗,槽,槽体,。,。,操作,人,人员,必,必须,按,按要,求,求佩,戴,戴好,防,防护,用,用品,，,，严,禁,禁裸,手,手接,触,触硅,片,片。,1,、腐,蚀,蚀深,度,度，,即,即硅,片,片减,少,少的,厚,厚度,（,（腐,蚀,蚀速,率,率）,工艺,关,关键,控,控制,点,点：,2,、溶,液,液配,比,比，,自,自动,补,补液,量,量,3,、温,度,度,(,制绒,槽,槽反,应,应的,温,温度,),4,、带,速,速，,制,制绒,槽,槽循,环,环流,速,速等,清洗,目的,：为,了,了保,证,证多,晶,晶电,池,池制,绒,绒后,，,，进,行,行扩,散,散工,序,序时,，,，硅,片,片表,面,面的,清,清洁,、,、干,燥,燥，,利,利用,盐,盐酸,、,、氢,氟,氟酸,和,和去,离,离子,水,水，,去,去除,硅,硅片,表,表面,残,残留,的,的溶,液,液和,杂,杂质,；,；利,用,用甩,干,干机,将,将硅,片,片表,面,面的,水,水甩,干,干。,生产,注,注意,点,点：,硅片,经,经清,洗,洗后,表,表面,脱,脱水,效,效果,良,良好,，,，甩,干,干后,表,表面,清,清洁,、,、干,燥,燥。,操作,要,要求,:,1,，要,求,求员,工,工生,产,产或,维,维修,等,等作,业,业时,，,，需,按,按要,求,求着,装,装，,佩,佩戴,干,干净,的,的手,套,套；,2,，要,求,求加,换,换液,操,操作,时,时，,需,需先,擦,擦拭,干,干净,化,化学,品,品瓶,的,的外,壁,壁，,换,换液,时,时需,对,对各,槽,槽进,行,行清,洗,洗并,取,取出,清,清洗,槽,槽中,残,残留,的,的碎,硅,硅片,。,。,3,，清,洗,洗机,槽,槽体,、,、进,出,出料,口,口需,保,保持,清,清洁,；,；,4,，甩,干,干机,内,内部,需,需保,持,持干,净,净；,5,，晶,片,片盒,，,，花,篮,篮等,按,按规,定,定区,域,域存,放,放，,避,避免,沾,沾污,引,引入,清,清洗,甩,甩干,过,过程,注意,事,事项,：,：,清洗,机,机的,酸,酸液,排,排放,量,量和,频,频次,需,需要,与,与外,围,围废,水,水处,理,理能,力,力相,适,适合,，,，避,免,免环,境,境事,故,故；,进行,加,加液,和,和换,液,液操,作,作时,，,，人,员,员需,按,按规,定,定佩,戴,戴劳,保,保用,品,品；,正常,生,生产,时,时，,清,清洗,机,机的,窗,窗口,需,需关,闭,闭，,保,保证,抽,抽风,效,效果,，,，避,免,免酸,雾,雾外,泄,泄；,遇到,酸,酸泄,露,露或,人,人员,接,接触,酸,酸液,后,后，,需,需按,照,照,MSDS,（化,学,学品,安,安全,说,说明,书,书）,的,的方,法,法进,行,行正,确,确处,理,理；,甩干,机,机运,转,转未,停,停止,时,时，,禁,禁止,开,开盖,；,；,正常,生,生产,时,时，,关,关闭,清,清洗,机,机的,照,照明,灯,灯,扩散,制作,太,太阳,电,电池,的,的硅,片,片导,电,电类,型,型是,P,型的,，,，也,就,就是,说,说在,制,制造,硅,硅片,时,时，,已,已经,掺,掺进,了,了一,定,定量,的,的硼,元,元素,，,，使,之,之成,为,为,P,型的,硅,硅片,。,。如,果,果我,们,们把,这,这种,硅,硅片,放,放在,一,一个,石,石英,容,容器,内,内，,同,同时,对,对此,石,石英,容,容器,内,内加,热,热到,一,一定,温,温度,，,，并,将,将含,磷,磷的,气,气体,通,通入,这,这个,石,石英,容,容器,内,内，,这,这时,施,施主,杂,杂质,磷,磷可,从,从化,合,合物,中,中分,解,解出,来,来，,在,在容,器,器内,充,充满,着,着含,磷,磷的,蒸,蒸汽,。,。磷,原,原子,能,能从,四,四周,进,进入,硅,硅片,的,的表,面,面层,，,，并,且,且通,过,过硅,原,原子,之,之间,的,的空,隙,隙向,硅,硅片,内,内部,渗,渗透,扩,扩散,。,。在,有,有磷,渗,渗透,的,的一,面,面就,形,形成,了,了,N,型，,在,在没,有,有渗,透,透的,一,一面,是,是原,始,始,P,型的,，,，,这,这样,就,就达,到,到了,在,在硅,片,片内,部,部形,成,成了,所,所要,的,的,PN,结。,-,这就,是,是所,说,说的,扩散,。,扩散,目,目的,：,：,在硅,片,片表,面,面，,通,通过,三,三氯,氧,氧磷,液,液态,源,源扩,散,散的,办,办法,形,形成,PN,结。,扩散,装,装置,示,示意,图,图,扩散,原,原理,POCl,3,在高,温,温下,（,（,600,）分,解,解生,成,成五,氯,氯化,磷,磷（,PCl,5,）和,五,五氧,化,化二,磷,磷（,P,2,O,5,），,有,有充,足,足的,氧,氧气,时,时，,其,其反,应,应式,如,如下,：,：,生成,的,的,P,2,O,5,在扩,散,散温,度,度下,与,与硅,反,反应,，,，生,成,成二,氧,氧化,硅,硅（,SiO,2,）和,磷,磷原,子,子，,其,其反,应,应式,如,如下,：,：,扩散,重,重要,衡,衡量,数,数据,方,方块,电,电阻,：,：,方块,电,电阻,：,：就,是,是表,面,面为,正,正方,形,形的,半,半导,体,体薄,层,层，,在,在电,流,流方,向,向所,呈,呈现,的,的电,阻,阻。,生产,规,规范,：,：,1,、扩,散,散上,、,、下,片,片时,，,，规,范,范操,作,作，,轻,轻拿,轻,轻放,，,，过,程,程中,硅,硅片,不,不得,撞,撞击,石,石英,舟,舟槽,、,、舟,杆,杆,舟壁,(,严禁,听,听到,硅,硅片,撞,撞击,石,石英,舟,舟的,声,声音,),2,、注,意,意工,艺,艺卫,生,生，,及,及时,更,更换,PVC,手套,，,，严,禁,禁手,直,直接,接,接触,硅,硅片,。,。,3,、工,作,作现,场,场禁,止,止进,食,食和,饮,饮水,。,。,生产,关,关注,点,点：,电阻,大,大小,控,控制,温度,曲,曲线,，,，工,艺,艺程,序,序运,行,行是,否,否正,常,常（,时,时间,，,，温,度,度）,炉门,密,密封,性,性,磷源（源,温,温，磷源,剩,剩余量，,漏,漏液）,极差控制,炉门密封,性,性,温度补偿,调整气流,配,配比,(N2,；,O2,；,LN2),少子寿命,控,控制,炉管以及,舟,舟的清洗,，,，饱和,操作规范,性,性，人为,污,污染,设备因素,中途跳闸,，,，中途降,温,温,温度、流,量,量异常,尾管不热,（,（尾管堵,塞,塞）,尾管热，,炉,炉内尾管,断,断裂,均流板,保温棉,偏磷酸污,染,染,操作因素,程序加载,错,错误,程序跳步,提前结束,提前运行,水痕，指,纹,纹等污染,导,导致的颜,色,色异常片,注意事项,：,：,注意扩散,炉,炉高温危,险,险。,保持扩散,炉,炉台面的,清,清洁。,保持生产,用,用具的清,洁,洁。,定期清洗,石,石英炉管,、,、石英舟,等,等物件。,按照净化,间,间要求着,装,装。,装、卸硅,片,片时，需,带,带棉布和,PVC,双层手套,，,，,刻蚀,目的：,经过,SCHMID,化学溶液,刻,刻蚀的处,理,理，将扩,散,散后硅片,的,的背面和,边,边缘进行,刻,刻蚀，去,除,除,PN,结（只保,留,留正面的,PN,结），同,时,时去除正,面,面的,PSG,（磷硅玻,璃,璃）。,水洗,SCHMID,刻蚀,镀膜,刻蚀,扩散,碱洗,HF,酸洗,水洗,吹干,水洗,刻蚀流程,：,：,刻蚀原理,：,：,同制绒原,理,理。,去,PSG,原理：,扩散过程,中,中在硅片,表,表面形成,一,一层含有,磷,磷元素的,SiO,2,，称之为,磷,磷硅玻璃,。,。,1,、腐蚀深,度,度，即硅,片,片减少的,厚,厚度（腐,蚀,蚀速率）,工艺关键,控,控制点：,2,、溶液配,比,比，自动,补,补液量,3,、温度,(,制绒槽反,应,应的温度,),4,、带速，,烘,烘干情况,等,等,刻蚀：通,过,过,HF-HNO3,溶液与硅,片,片的化学,反,反应去除,边,边缘及背,面,面的,P-N,结。,腐蚀深度,：,：通过称,量,量,SCHMID,刻蚀前后,硅,硅片的减,重,重量（,g,）计算出,的,的硅片单,面,面腐蚀厚,度,度（,um,）。,目的：降,低,低反射率,，,，对硅片,表,表面进行,钝,钝化。,等离子的,概,概念及其,优,优势：等,离,离子体,-,电子、正,离,离子和中,性,性粒子混,合,合组成的,一,一种形态,。,。,CVD(,化学气相,沉,沉积）通,常,常需要较,高,高温度，,等,等离子体,可,可以显著,降,降低反应,温,温度，降,低,低生产成,本,本。,PECVD,（等离子,增,增强化学,气,气相沉积,）,）,PECVD,技术原理,是,是利用低,温,温等离子,体,体作能量,源,源，样品,置,置于低气,压,压下辉光,放,放电的阴,极,极上，利,用,用辉光放,电,电（或另,加,加发热体,）,）使样品,升,升温到预,定,定的温度,，,，然后通,入,入适量的,反,反应气体,，,，气体经,一,一系列化,学,学反应和,等,等离子体,反,反应，在,样,样品表面,形,形成固态,薄,薄膜。,原理,：,按镀膜方,式,式分类：,直,直接法（,Centrotherm,），间接,法,法（,Roth&Rau,）,直接法,管式炉：,Centrotherm,。硅片直,接,接接触等,离,离子体