放大电路的频率特性分析

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,电子电路基础,第五讲,放大电路的频率特性分析,（1）,2,主要内容,3.1 频率特性分析基础,3.2 三极管的高频等效模型,（1）三极管的,PN,结电容效应及其等效,（2）共射混合,模型,（3）简化单向混和,模型,高频结构,3,一、频率特性分析基础,影响频率特性的因素,阻容耦合电路中的耦合电容,晶体三极管极间电容,频率上升，三极管等效 下降，过高的频率,会引起放大倍数下降，产生相移,耦合电容影响可等效为高通电路来描述,极间电容影响可等效为低通电路来描述,4,1、低通电路,电压传输系数,上限截止频率,幅频特性,相频特性,5,低通电路频率特性,幅频特性,相频特性,6,2、高通电路,相频特性,电压传递函数,下限截止频率,幅频特性,7,高通电路频率特性,幅频特性,相频特性,通频带,8,3、波特图,采用对数坐标系画出电路的幅频特性曲线,和,相频特性曲线称为波特图,低通电路频率特性的波特图,对数幅频特性,对数相频特性,9,低通电路的近似波特图,幅频特性以,f,H,为拐点，,用两段直线近似,相频特性曲线用三段,直线来近似,10,高通电路的对数幅频和相频特性,低通电路频率特性的波特图,对数幅频特性,对数相频特性,11,高通电路的近似波特图,幅频特性以,f,L,为拐点，,用两段直线近似,相频特性用三段直线来近似,12,频率响应的特点,电路的截止频率取决于电容所在回路的,时间常数。,放大电路的增益下降,3dB,，且产生 相移,当信号频率等于下限频率 或上限频率,近似分析中，可以用折线化的近似波特图,表示放大电路的频率特性,13,二、三极管的高频等效模型,空穴-电子对,势垒电容：由,PN,结两边存储的电荷形成,这些变化与电容充放电特性一致,扩散电容：正偏压，,PN,结两边多子扩散形成,势垒和扩散电容合成为,PN,结电容。,14,三极管的,PN,结高频等效结构,C,E,B,B,集电极区体电阻,发射极区体电阻,基区体电阻,发射结电阻,集电结电阻,发射结电容,跨导,集射间电阻,集电结电容,15,三极管的,PN,结高频等效结构,值很小可忽略,R,ce,远大于外接负载，视为开路,集电结等效电阻,r,b,c,远大于,C,b,c,的容抗，,可认为,r,b,c,开路；,C,E,B,B,C,E,B,B,16,三极管的,PN,结高频等效结构,C,E,B,B,17,g,m,只与静态工作点有关,三极管的,PN,结高频等效结构,信号频率较低时，,C,b,e、,C,b,c,作用可忽略，,退化为,h,参数等效模型,18,简化单向化混合,模型,等效方法,19,单向化,模型,C,b,c,等效到输入回路仍是一个电容,C,M,(,密勒电容),电路等效,电容,C,b,c,等效到输出回路仍是一个电容，大小与,C,b,c,相等,与负载,R,L,的作用相比可忽略,20,单向化,模型,C,b,c,等效到输入回路仍是一个电容,C,M,(,密勒电容),电路等效,电容,C,b,c,等效到输出回路仍是一个电容，大小与,C,b,c,相等,与负载,R,L,的作用相比可忽略,21,作业,3.6(1)(2),