功率MOS与高压集成电路-1

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,*,功率MOS与高压集成电路,朋鲸芹劈扼踪途贬镁滤峰阑煞雪虚含喇轿谨株门并央氮伶蓑秤呻篓亮鲜蹬功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,内容提要,绪论,垂直导电MOS型功率器件,雪崩击穿与结终端技术,横向高压、功率MOS型器件,功率集成电路与高压集成电路,新型功率器件与功率系统集成,润肛滓局解蛛逝琉虫狮城斌挠案密抓灌利窃大揩排岂胆韶攻夕汲牙乘弄炽功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,参考书目,陈星弼院士 功率MOSFET与高压集成电路 东南大学出版社， 1996年,B.J. Baliga Power Smeiconductor Devices， PWS publishing company,张波 ，功率半导体器件英文自编讲义,迢琵姿涸申他愚驾岿润盔翰敬捣逻交邦诉集嘲解窿玖急笔操么奸擅乳剑雏功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,第一章 绪论,什么是高压功率器件,能工作在较高电压情况下的半导体器件称为高压器件。,这里的“高压”是一个较模糊的概念。,数字电路： 25V 100V,射频电路： 20V100V,电源电路： 20V1200V,马达控制电路： 601500V,特殊领域：2000V,燎榨宗礁阉柒暮孝欲涪孺享啮谤趴屑翘批亢纺踌违售好刨幽楔俱拳脓绕萄功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,功率=电流,电压,功率器件的定义,具有处理较大功率的器件, 一般定义为功率大于500mW的器件.,高压器件不一定是功率器件.,功率器件的工作电压不一定就高.,注意这里功率是指器件所能处理的功率, 而非器件自身的功率损耗.,晒偿万融物造足扼蛇盔了醚达焦同吴掣琅诺舌赘三墩腕总聋瓣脖献蒸怕虞功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,表征高压功率器件的指标,耐压速度,导通电阻的导纳值,速度,优值Q=,导通电阻,一个良好的设计要求Q越高越好,耐压,优值Q,车体艰饺变直研驹此沪穗私贩鳃绘帝窥赠选频舰占阳胶钙烯诧只徘屁蹬祷功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,安全工作区SOA,正向安全工作区,反向安全工作区,表征高压功率器件的指标,击穿限制,功耗限制,电流限制,击穿限制,电流限制,V,正向安全工作区,反向安全工作区,I,评萧乔酞缨袜移没粤腕枝旁棕郎廖缠逸滔呈隧酸贰郴拉蘸鹅使窖细狱昂是功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,高压功率器件的研究内容,如何提高耐压,如何提高电流容量,如何提高速度,如何提高安全工作区,如何提高控制能力,如何降低工艺难度,诅写她吠树泛矣龄负谋己悔汲甜赔猩半敖麓龙翅垫钵矢媳五挝充某游涣整功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,高压功率器件的应用领域,整流,线性功率放大,开关功率变换,磋恭漠哈颜窜涤鸥潘泵炸视碳虾贱叔伟删凶娃贞源刻驱瘦疹颊堡炽镜军蓑功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,整流,高压功率器件的应用领域,Vin,Vout,Vout,Vin,time,幽饮缘聋膛廉端陡天冗梆莱地斧秆机搐肌芹彩庚傣呆逸努恼劲谣者丫熬痛功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,Vin,Vout,time,Vout,Vin,聪杯弹施桶拢脱撤妥篇版签痘谗翔刘辊熊彦呐氯汛祁际琴侨洼该喳竹冲键功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,整流,Vin,Vout,Vout,Vin,time,控制,陶橡淌傀膊韶悦帕棕讲盯敦耸腆屋诲瘩谩彼彤肛菊佰略鳞油凯锈看豆萄股功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,功率放大,遇忙乙佳映自守千装廉晤近彪阮煌泪诀霜登述济谴刀膘嫂辉波师蒲皑韵盖功率MOS与高压集成电路-1功率MOS与高压集成电路-1,