10.2存储器外部电路

*,*,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,半导体,集成电路,10/3/2024,存储器外围电路,10/3/2024,TEE8502,的总体结构,10/3/2024,10/3/2024,10/3/2024,10/3/2024,10/3/2024,10/3/2024,10/3/2024,外围电路,内层外围电路：功能电路，它是直接控制存储矩阵工作的功能块。,外层外围电路：工作模式控制电路，它把把外部信号转换成若干内部控制信号，对内层外围电路进行控制。,10/3/2024,1.,内层外围电路,地址缓冲器,地址译码器,位写入电路,灵敏读放电路,存储管控制栅电平,V,CG,产生电路,存储管源电平,V,S,产生电路,10/3/2024,（,1,）地址缓冲器,10/3/2024,地址缓冲器的功能,把,TTL,电平转换成,MOS,电平，并使输出具有驱动大量地址译码器的能力。,执行工作模式控制,10/3/2024,（,2,）地址译码器,行译码器,列译码器,10/3/2024,（,3,）位写入电路,引脚,I/O,是共用的，因此数据线,D,和,I/O,间是双向信息通路。读出工作时，位读出电路工作；字节擦写模式时，位写入电路工作。,10/3/2024,（,4,）灵敏读放电路,灵敏放大器的作用一方面要限制,D,的摆幅，另一方面要具有较大的放大系数，在较小负载电容的输出点上得到合适的电平和足够的电压摆幅，驱动输出缓冲器。,灵敏放大器是影响读出速度的关键。,10/3/2024,（,5,）存储管控制栅电平,V,CG,产生电路,根据,TEE8502,存储矩阵工作原理，擦操作时,V,CG,应接近,21V,，写操作时,V,CG,应接近,0V,，读操作时,V,CG,应接近,3V,左右。,10/3/2024,（,6,）存储管源电平,V,S,产生电路,在写的时候，,PLOTOX,存储管源接,+5V,，非写情况下接地，因此,V,S,产生电路是由,WRT,信号控制的推挽电路。,10/3/2024,2.,外层外围电路,控制信号缓冲器,电平鉴别电路,片擦信号发生器,字节擦写信号发生器,写禁止,/,写信号发生器,擦除信号发生器,字节操作信号发生器,读信号发生器,擦写信号发生器,10/3/2024,