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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,放大器噪声,与温度有关(,K,为玻尔兹曼常数),实际,R,无噪,R,或,无噪,R,电阻热噪声：,噪声,(,功率,),谱密度：电阻,R,在单位频带内产生热噪声电压方均值。,S(,f,),在很宽频域内为恒值,(,均匀分布,),-白噪声。,故 频带内电阻热噪声电压均方值为：,设某系统电压传递函数为,复功率：,表现功率：,则功率传函：,噪声带宽,噪声带宽 按功率等效（即几何面积相等）定义：,例 求输出端 、,R,C,a,b,无噪,R,C,方法一,方法二,注,：半,功率点带宽,对于高阶电路，噪声带宽与半功率点带宽几乎相同！,电抗元件不消耗功率，亦不产生热噪。,二极管噪声,热噪声：结电阻，引线电阻产生，取决于环境温度,散粒噪声：取决于工作电流,噪声,(,功率,),谱密度：正向平均电流,I,D,流过二极管时产生散粒噪声电流方均值为：,频带内散粒噪声电流均方值：,二极管噪声,I,D,双极型晶体管噪声,1、电阻热噪声，其中 热噪声影响最大：,2、散粒噪声：,正向,E,结噪声：,反向,C,结噪声：,3、分配噪声：由基区内载流子复合的随机性引起，有色噪声。,噪声电流功率密度：,其中：,4、噪声（闪烁噪声）：低频段较显著，与半导体材料有关，有色噪声。,总结：,中频段：热噪声+散粒噪声=白噪声,低频段：叠加 噪声,高频段：叠加分配噪声,S(,f,),3,dB/10,倍频,6,dB/10,倍频,白噪声,1KHz,f,CB,噪声模型,CB,噪声微变等效电路（没考虑 噪声）：,e,c,b,b,场效应管噪声,1、沟道噪声：由沟道电阻产生的热噪声。,结型：,MOS：,短沟道,长沟道,2 3（一般取2.5）,1（恒流区)、（可变电阻区）,2、噪声：主要影响,f 0 dB,3、标准信号源：仅含有 产生的白噪声,4、若功率增益,即：噪声系数与信号功率无关，仅与功率增益、输入输出噪声有关。,5、若网络内每个有噪元件噪声功率在输出端的贡献为,则输出噪声功率 =输入噪声(通过网络)在输出端产生的功率,+网络附加的噪声功率,低噪放大器（,LAN）,MOS,构成,LAN,时的阻抗匹配措施：,场效应管具有输入高阻抗、低噪声、热稳定、抗辐射等特点，,与结型管相比，,MOS,管输入电阻更高，温度稳定性更好，且集成工艺简单。,低噪放大器(,LAN),的阻抗匹配：,信号源内阻 有一个最佳值，,使放大器噪声系数 最小。,但放大器输入阻抗不一定正好与最佳值匹配，,因此,LAN,往往以牺牲增益来保证低噪。,放大器最佳工作状态一般由实验方法确定。,常用,MOS,构成,LAN,的输入级：,C,L,R,取串联谐振电阻 时与信号源功率匹配(串联最佳匹配)。,D,S,G,匹配电感,通过 、调节放大器输入电阻，,与最佳 匹配。,、确定最佳 使 最小；,、由 确定 与 间关系；,、由 确定谐振频率：,只能在窄带条件下实现与信号源匹配，,在此，串联谐振电阻 既不产生热噪也不消耗功率。,
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