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单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,5.2,热敏电阻,1.,热敏电阻特点及分类,热敏电阻,:,依据某些材料吸收入射辐射,产生,升温而引起电阻改变。相对于一般的金属电阻，热敏电阻具备如下特点：,热敏电阻的温度系数大，灵敏度高，热敏电阻的温度系数常比一般金属电阻大,10,100,倍。,结构简单，体积小。,最小的珠状热敏电阻其直径仅为,0.2mm,，,可以测量近似几何点的温度。,电阻率高，热惯性小，适宜做动态测量。,阻值与温度的变化关系呈非线性。,稳定性好。商品化产品已有,30,多年历史，加之近年在材料与工艺上不断得到改进。据报道，在,0.01,的小温度范围内，其稳定性可达,0.0002,的精度。,(a),热敏电阻的特点,多数,半导体,热敏电阻具有,负的温度系数,，即当温度升高时，其电阻值下降，同时灵敏度也下降。由于这个原因，限制了它在高温情况下的使用。,半导体材料,：本征吸收和杂质吸收是直接产生光生载流子。晶格吸收和自由电子吸收等：,不直接产生载流子，将辐射能,不同程度地转变为热能，引起晶格振动的加剧，温度上升。,热敏电阻的种类很多，分类方法也不相同。,热敏电阻主要有：,半导体材料,和,金属材料,。,金属材料,：外层自由电子密度很大，光作用引起的自由电子密度相对变化可忽略不计。相反，吸收光以后，使晶格振动加剧，妨碍了自由电子作定向运动。因此，由金属材料组成的热敏电阻具有,正温度系数,。即当温度升高时，其电阻值上升。,金属材料热敏电阻耐高温，多用于温度的模拟测量。,(b),热敏电阻的分类,图,5-1,所示为半导体材料和金属材料（白金）的温度特性曲线。,白金的电阻温度系数为正值，大约为,0.37%,左右；半导体材料热敏电阻的温度系数为负值，大约为,-3%-6%,，约为白金的,10,倍以上。,热敏电阻探测器常用半导体材料制作而很少采用贵重的金属。,将金属氧化物（如铜的氧化物，锰,-,镍,-,钴的氧化物）的粉末用黏合剂黏合后，涂敷在瓷管或玻璃上烘干，即构成半导体材料的热敏电阻。,按热敏电阻的阻值与温度关系,这一重要特性。 热敏电阻可分为：,（,1,）正温度系数热敏电阻器（,PTC,）,电阻值随温度升高而增大的电阻器，,简称,PTC,热敏阻器。它的主要材料是,掺杂的,BaTiO,3,半导体陶瓷。,（,2,）负温度系数热敏电阻器（,NTC,）,电阻值随温度升高而下降的热敏电阻器简称,NTC,热敏电阻器。它的材料主要是一些过渡金属氧化物半导体陶瓷。,（,3,）突变型负温度系数热敏电阻器（,CTR),该类电阻器的电阻值在某特定温度范围内随温度升高而降低,3,4,个数量级，即具有很大负温度系数。其主要材料是,VO,2,并添加一些金属氧化物。,1,2,3,4,铂丝,40,60,120,160,0,10,0,10,1,10,2,10,3,10,4,10,5,10,6,R,T,/,温度,T/,C,根据不同的要求，可以把,热敏电阻做成不同的形状，典型结构如图,5-3,所示。,由热敏材料制成的厚度为,0.01mm,左右的薄片电阻（因为在相同的入射辐射下得到,较大的温升）粘合在导热能力高的绝缘衬底上，电阻体两端蒸发金属电极以便与外电路连接，再把衬底同一个热容很大、导热性能良好的金属相连构成热敏电阻。,2.,热敏电阻的结构,3.,热敏电阻的特性参数,热敏电阻探测器的主要参数有：,（,1,）电阻,-,温度特性,热敏电阻的阻温特性是指实际阻值与电阻体温度之间的依赖关系，这是它的基本特性之一。,热敏电阻器的实际阻值,R,T,与其自身温度,T,的关系有正温度系数与负温度系数两种，分别表示为：,正温度系数的热敏电阻,负温度系数的热敏电阻,为了使用方便，常取环境温度为,25,作为参考温度（即,T,0,=25,），则,NTC,热敏电阻器的电阻,温度关系式：,R,T,/,R,25,T,关系如右图。,0,25,50,75,100,125,0.5,1,1.5,2,2.5,3,3.5,(25C,1),R,T,/ R,T0,-,T,特性曲线,R,T,/,R,25,T,由热敏电阻的阻值公式可分别求出正、负温度系数的热敏电阻的温度系数,a,T,。,a,T,表示温度变化,1,时，热敏电阻实际阻值的相对变化为,式中，,a,T,和,R,T,为对应于温度,T,（,K,）时的热电阻的温度系数和阻值。,对于正温度系数的热敏电阻温度系数为,a,T,= A,对于负温度系数的热敏电阻温度系数为,（,2,）热敏电阻阻值变化量,已知热敏电阻温度系数,a,T,后，当热敏电阻接收入射辐射后温度变化,T,，则阻值变化量为,R,T,=,R,T,a,T,T,式中，,R,T,为温度,T,时的电阻值，上式只有在,T,不大的条件下才能成立。,（,3,）热敏电阻的输出特性,热敏电阻电路如图,5-5,所示，图中,=,。若在热敏电阻上加上偏压,U,bb,之后，由于辐射的照射使热敏电阻值改变，因而负载电阻电压增量,（,4,）冷阻与热阻,上式为假定,， 的条件下得到的。,R,T,为热敏电阻在某个温度下的电阻值，常称为冷阻，如果功率为,的辐射入射到热敏电阻上，设其吸收系数为,a,，则热敏电阻的热阻定义为吸收单位辐射功率所引起的温升，即,因此，式（,5-23,）可写成,（,5-23,）,若入射辐射为交流正弦信号 ，则负载上输出为,（,5-26,）,式中， 为热敏电阻的热时间常数； ， 分别为热敏电阻 和热容。由式（,5-26,）可见，随辐照频率的增加，热敏电阻传递给负载的电压变化率减少。热敏电阻的时间常数约为,110,m,s,，因此，使用频率上限约为,20200kHz,左右。,（,5,）灵敏度（响应率）,单位入射辐射功率下热敏电阻变换电路的输出信号电压称为灵敏度或响应率，它常分为直流灵敏度,S,0,与交流灵敏度,S,S,。直流灵敏度,S,0,为,交流灵敏度,S,S,为,可见，要增加热敏电阻的灵敏度，需采取以下,措施,：,增加偏压,U,bb,。,但受热敏电阻的噪声以及不损坏元件的限制；,把热敏电阻的接收面涂黑增加吸收率,a,；,增加热阻；其办法是减少元件的接收面积及元件与外界对流所造成的热量损失，常将元件装入真空壳内，但随着热阻的增大，响应时间也增大。为了减小响应时间，通常把热敏电阻贴在具有高热导的衬底上；,选用,a,T,大的材料，也即选取,B,值大的材料。当然还可使元件冷却工作，以提高,a,T,值。,（,6,）最小可探测功率,热敏电阻的最小可探测功率受噪声的影响。热敏电阻的噪声主要有：,热噪声。热敏电阻的热噪声与光敏电阻阻值的关系相似为；,温度噪声。因环境温度的起伏而造成元件温度起伏变化产生的噪声称为温度噪声。将元件装入真空壳内可降低这种噪声。,电流噪声。与光敏电阻的电流噪声类似，当工作频率,f,10kHz,时，此噪声完全可以忽略不计。,根据噪声情况，热敏电阻可探测的最小功率约为,10,-8,-10,-9,W,。,5.3,测辐射,热电偶,1.,热电偶的工作原理,热电偶虽然是发明于,1826,年的古老红外探测器件，然而至今仍在光谱、光度探测仪器中得到广泛的应用。尤其在高、低温的温度探测领域的应用是其他探测器件无法取代的。,热电偶,:,是利用物质温差产生电动势的效应探测入射辐射的。,如图,5-6,所示为辐射式温差热电偶的原理图。两种金属材料,A,和,B,组成的一个回路时，若两金属连接点的温度存在着差异（一端高而另一端低），则在回路中会有如图,5-6,（,a,）所示的电流产生。即由于温度差而产生的电位差,E,。回路电流,I,=,E,/,R,。其中,R,称为回路电阻。这一现象称为,温差热电效应,.,测量辐射能的热电偶称为辐射热电偶，它与测温热电偶的原理相同，结构不同。如图,5-6,（,b,）所示，辐射热电偶的热端接收入射辐射，因此在热端装有一块涂黑的金箔，当入射辐射通量,e,被金箔吸收后，金箔的温度升高，形成热端，产生温差电势，在回路中将有电流流过。图,5-6,（,b,）用检流计,G,可检测出电流为,I,。显然，图中结,J,1,为热端，,J,2,为冷端。,由于入射辐射引起的温升,T,很小，因此对热电偶材料要求很高，结构也非常严格和复杂,成本昂贵。,图,5-7,所示为半导体辐射热电偶的结构示意图。图中用涂黑的金箔将,N,型半导体材料和,P,型半导体材料连在一起构成热结，另一端（冷端）将产生温差电势，,P,型半导体的冷端带正电，,N,型半导体的冷端带负电。开路电压,U,OC,与入射辐射使金箔产生的温升,T,的关系为,U,OC,=,M,12,T,式中，,M,12,称温差电势率（或,塞贝克系数）,（,V/,）。,辐射热电偶在恒定辐射作用下，用负载电阻,R,L,将其构成回路，将有电流,I,流过负载电阻，并产生电压降,U,L,，则,式中，,0,为入射辐射通量（,W,）；,为金箔的吸收系数；,R,i,为热电偶的内阻；,M,12,为热电偶的温差电势率； 为总热导（,W/m,）。,2.,热电偶的基本特性参数,若入射辐射为交流辐射信号 ，则产生的交流信号电压为,式中，,=2,f,，,f,为交流辐射的调制频率，,T,为热电偶的的时间常数， ；其中的 ， 、 分别为热电偶的热阻、热容和热导。热导与材料的性质及周围环境有关，为使热电导稳定，常将热电偶封装在真空管中，因此，通常称其为真空热电偶。,真空热电偶的基本特性参数为,灵敏度,S,、,比探测率,D*,、,响应时间,和最小可探测功率,NEP,等,参数。,（,1,）灵敏度（响应率）,在直流辐射作用下，热电偶的灵敏度,S,0,为,（,2,）响应时间,在交流辐射信号的作用下，热电偶的灵敏度,S,为,（,5-30,）,（,5-31,）,由式（,5-29,）和式（,5-30,）可见，提高热电偶的响应率最有效的办法除选用塞贝克系数较大的材料外，增加辐射的吸收率,，减小内阻,R,i,，减小热导,G,Q,等措施都是有效的。对于交流响应率，降低工作频率，减小时间常数,T,，也会有明显的提高。但是，热电偶的响应率与时间常数是一对矛盾，应用时只能兼顾。,热电偶的响应时间约为几毫秒到几十毫秒左右，在,BeO,衬底上制造,Bi-Ag,结结构的热电偶有望得到更快的时间响应，响应时间可达到或超过,10,-7,s,。,3.,热电堆探测器,（,3,）最小可探测功率,热电偶的最小可探测功率,NEP,取决于探测器的噪声，它主要由热噪声和温度起伏噪声，电流噪声几乎被忽略。半导体热电偶的最小可探测功率,NEP,一般为,10,-11,W,左右。,为了减小热电偶的响应时间，提高灵敏度，常把辐射接收面分为若干块，每块都接一个热电偶，并把它们串联起来构成如图,5-8,所示的热电堆。,(1),热电堆的灵敏度,热电堆的灵敏度,S,t,为,(5-32),参考电极定律,当结点温度为,T,、,T,0,时，用导体,A,B,组成的热电偶的热电动势等于,AC,热电偶和,C B,热电偶的热电动势的代数和,即,(2),测辐射热电堆,将若干个热电偶串接起来就构成了测辐射热电堆。它的优点是每个结上产生的电压相加从而提高了输出电压；串联连接使热电偶的总电阻增大，可以和高输入电阻的放大器进行匹配，同时串联连接会降低热电偶的响应时间，使电压响应率降低。,N,个热电偶构成的热电堆的总热导：,响应时间：,名 称,编号,测温,范围,100,热电势,1000,热电势,特 点,铂铑,30,-,铂铑,6,B,50,1820,0.033,4.834,熔点高，测温上限高，性能稳定，准确度高，,100,以下热电势极小，所以可不必考虑冷端温度补偿；价昂，热电势小，线性差；只适用于高温域的测量,铂铑,13,-,铂,R,-50,1768,0.647,10.506,使用上限较高，准确度高，性能稳定，复现性好；但热电势较小，不能在金属蒸气和还原性气氛中使用，在高温下连续使用时特性会逐渐变坏，价昂；多用于精密测量,铂铑,10,-,铂,S,-50,1768,0.646,9.587,优点同上；但性能不如,R,型热电偶；长期以来曾经作为国际温标的法定标准热电偶,镍铬,-,镍硅,K,-270,1370,4.096,41.276,热电势大，线性好，稳定性好，价廉；但材质较硬，在,1000,以上长期使用会引起热电势漂移；多用于工业测量,镍铬硅,-,镍硅,N,-270,1300,2.744,36.256,是一种新型热电偶，各项性能均比,K,型热电偶好，适宜于工业测量,镍铬,-,铜镍,E,-270,800,6.319,热电势比,K,型热电偶大,50%,左右，线性好，耐高湿度，价廉；但不能用于还原性气氛；多用于工业测量,铁,-,铜镍,J,-210,760,5.269,价格低廉，在还原性气体中较稳定；但纯铁易被腐蚀和氧化；多用于工业测量,铜,-,铜镍,T,-270,400,4.279,价廉，加工性能好，离散性小，性能稳定，线性好，准确度高；铜在高温时易被氧化，测温上限低；多用于低温域测量。,可作,-200,0,温域的计量标准,
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