2008062215385000001(离子注入机简介)

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,离子注入机简介,1,离子注入机的种类,中束流,A,350D,NV6200A,大束流,mA,NV10-80,NV10-160,NV10-160SD,NV10-180,2,6200、NV10160、10180、10160SD,简介,离子注入机按照真空系统分为三个部分,SOURCE,BEAM LINE,END STATION,3,各部分包括的控制器,4,离子注入的原理,离子源产生的离子在吸极电压的作用下形成束流，以一定的速度进入分析器磁场后受到洛仑磁力发生偏转，选出我们所需的离子，通过加速高压的作用获得一定的能量，离子通过透镜的聚焦后，以一定的扫描方式打入硅片。,5,离子源的工作原理,当离子源的灯丝通过足够大的直流电流时，灯丝受热后发射的热电子在ARC 电压、源磁场的共同作用下做螺旋状运动与工艺气体碰撞后，工艺气体发生电离产生离子。,6,质量分析器,洛仑磁力：,F=qvB R=mv/qB,带电粒子进入磁场受到力的作用后发生偏转。,11B+、 31P+、 40Ar+、 75As+、 121Sb+,350D：,先分析后加速。,NV1080,：先加速后分析。,7,Q-LENS,静电四极透镜,静电四极透镜：对离子进行聚焦作用。,加速后的离子在Q-LENS静电四极透镜的作用下被聚焦成较小的束斑。,8,FARADAY SYSTEM,FARADAY的作用是测量束流，通过DOSE控制器精确地计量注入到硅片上的剂量。,BEAM SETUP：束流打在FLAG FARADAY,IMPLANT：束流打在END STATION（350D）,束流打在,DISK （NV1080）,9,谢谢！,2006.8.2,10,