计算机组成原理ch4

,单击此处编辑母版标题样式,*,*,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,第,章 存 储 器,4.1 概述,4.2 主存储器,4.3 高速缓冲存储器,4.4 辅助存储器,4.1 概 述,一、存储器分类,1. 按存储介质分类,(1) 半导体存储器,(2) 磁表面存储器,(3) 磁芯存储器,(4) 光盘存储器,易失,TTL 、MOS,磁头、载磁体,硬磁材料、环状元件,激光、磁光材料,非,易,失,(1) 存取时间与物理地址无关（随机访问）,顺序存取存储器 磁带,4.1,2. 按存取方式分类,(2) 存取时间与物理地址有关（串行访问）,随机存储器,只读存储器,直接存取存储器 磁盘,在程序的执行过程中,可,读,可,写,在程序的执行过程中,只,读,磁盘、磁带、光盘,高速缓冲存储器（,Cache）,Flash Memory,存,储,器,主存储器,辅助存储器,MROM,PROM,EPROM,EEPROM,RAM,ROM,静态,RAM,动态,RAM,3. 按在计算机中的作用分类,4.1,高,低,小,大,快,慢,辅存,寄存器,缓存,主存,磁盘,光盘,磁带,光盘,磁带,速度,容量,价格 位,1. 存储器三个主要特性的关系,二、存储器的层次结构,CPU,CPU,主机,4.1,缓存,CPU,主存,辅存,2. 缓存 主存层次和主存 辅存层次,缓存,主存,辅存,主存,虚拟存储器,10,ns,20,ns,200,ns,ms,虚地址,逻辑地址,实地址,物理地址,主存储器,4.1,（速度）,（容量）,4.2 主存储器,一、概述,1. 主存的基本组成,存储体,驱动器,译码器,MAR,控制电路,读,写,电,路,MDR,地址总线,数据总线,读,写,2. 主存和,CPU,的联系,MDR,MAR,CPU,主 存,读,数据总线,地址总线,写,4.2,高位字节,地址为字地址,低位字节,地址为字地址,设地址线,24,根,按,字节,寻址,按,字,寻址,若字长为,16,位,按,字,寻址,若字长为,32,位,字地址,字节地址,11,10,9,8,7,6,5,4,3,2,1,0,8,4,0,字节地址,字地址,4,5,2,3,0,1,4,2,0,3. 主存中存储单元地址的分配,4.2,2,24,= 16,M,8,M,4,M,(2) 存储速度,4. 主存的技术指标,(1) 存储容量,(3) 存储器的带宽,主存,存放二进制代码的总位数,读出时间 写入时间,存储器的,访问时间,存取时间,存取周期,读周期 写周期,连续两次独立的存储器操作,（读或写）所需的,最小间隔时间,位/秒,4.2,芯片容量,二、半导体存储芯片简介,1. 半导体存储芯片的基本结构,译,码,驱,动,存,储,矩,阵,读,写,电,路,1,K4,位,16,K1,位,8,K8,位,片选线,读/写控制线,地,址,线,数,据,线,地址线,（单向）,数据线,（双向）,10,4,14,1,13,8,4.2,二、半导体存储芯片简介,1. 半导体存储芯片的基本结构,译,码,驱,动,存,储,矩,阵,读,写,电,路,片选线,读/写控制线,地,址,线,数,据,线,片选线,读,/,写控制线,（低电平写 高电平读）,（允许读）,4.2,CS,CE,WE,（允许写）,WE,OE,存储芯片片选线的作用,用 16,K,1,位 的存储芯片组成 64,K,8,位 的存储器,32片,当地址为 65 535 时，此 8 片的片选有效,8片,16,K,1,位,8片,16,K,1,位,8片,16,K,1,位,8片,16,K,1,位,4.2,0,0,15,0,15,7,0,7,读/写控制电路,地,址,译,码,器,字线,0,15,168矩阵,0,7,D,0,7,D,位线,读 / 写选通,A,3,A,2,A,1,A,0,2. 半导体存储芯片的译码驱动方式,(1) 线选法,4.2,0,0,0,0,0,0,0,7,0,0,7,D,0,7,D,读 /,写,选通,读/写控制电路,A,3,A,2,A,1,A,0,A,4,0,31,0,0,31,0,31,31,Y,地址译码器,X,地,址,译,码,器,3232,矩阵,A,9,I/O,A,8,A,7,A,5,6,A,Y,0,Y,31,X,0,X,31,D,读/写,(2) 重合法,4.2,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,31,0,0,31,I/O,D,0,0,读,三、随机存取存储器 (,RAM ),1. 静态,RAM (SRAM),(1) 静态,RAM,基本电路,A,触发器非端,1,T,4,T,触发器,5,T,T,6,、,行开关,7,T,T,8,、,列开关,7,T,T,8,、,一列共用,A,触发器原端,T,1,T,4,T,5,T,6,T,7,T,8,A,A,写放大器,写放大器,D,IN,写选择,读选择,D,OUT,读放,位线,A,位线,A,列地址选择,行地址选择,4.2,T,1,T,4,A,T,1,T,4,T,5,T,6,T,7,T,8,A,写放大器,写放大器,D,IN,写选择,读选择,读放,位线,A,位线,A,列地址选择,行地址选择,D,OUT,静态,RAM,基本电路的,读,操作,行选,T,5,、T,6,开,4.2,T,7,、T,8,开,列选,读放,D,OUT,V,A,T,6,T,8,D,OUT,读选择有效,T,1,T,4,T,5,T,6,T,7,T,8,A,A,D,IN,位线,A,位线,A,列地址选择,行地址选择,写放,写放,读放,D,OUT,写选择,读选择,静态,RAM,基本电路的,写,操作,行选,T,5,、T,6,开,两个写放,D,IN,4.2,列选,T,7,、T,8,开,（左）,反相,T,5,A,（右）,T,8,T,6,A,D,IN,D,IN,T,7,写选择有效,T,1,T,4,(2) 静态,RAM,芯片举例,Intel 2114,外特性,存储容量,1,K,4,位,4.2,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,A,0,A,8,A,9,WE,CS,V,CC,GND,Intel 2114,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,A,3,A,4,A,5,A,6,A,7,A,8,A,0,A,1,A,2,A,9,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,第一组,第二组,第三组,第四组,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,第一组,第二组,第三组,第四组,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,48,32,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,0,16,32,48,CS,WE,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,32,48,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,32,48,0,16,48,32,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,32,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,16,48,32,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114 RAM,矩阵,(64,64),读,15,0,31,16,47,32,63,48,0,16,32,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,16,48,32,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,A,3,A,4,A,5,A,6,A,7,A,8,A,0,A,1,A,2,A,9,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,第一组,第二组,第三组,第四组,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,第一组,第二组,第三组,第四组,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,15,0,31,16,47,32,63,48,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,WE,CS,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,WE,CS,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,0,16,48,32,第一组,第二组,第三组,第四组,4.2,Intel 2114,RAM,矩阵,(64,64),写,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,15,0,31,16,47,32,63,48,15,0,31,16,47,32,63,48,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,1,63,0,15,行,地,址,译,码,列,地,址,译,码,WE,CS,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,15,0,31,16,47,32,63,48,I/O,1,I/O,2,I/O,3,I/O,4,读写电路,读写电路,读写电路,读写电路,0,16,32,48,0,16,48,32,A,CS,D,OUT,地址有效,地址失效,片选失效,数据有效,数据稳定,高阻,(3) 静态,RAM,读,时序,t,A,t,CO,t,OHA,t,OTD,t,RC,片选有效,4.2,读周期,t,RC,地址有效 下一次地址有效,读时间,t,A,地址有效,数据稳定,t,CO,片选有效,数据稳定,t,OTD,片选失效,输出高阻,t,OHA,地址失效后的,数据维持时间,A,CS,WE,D,OUT,D,IN,(4) 静态,RAM (2114),写,时序,t,WC,t,W,t,AW,t,DW,t,DH,t,WR,写周期,t,WC,地址有效,下一次地址有效,4.2,写时间,t,W,写命令,WE,的有效时间,t,AW,地址有效,片选有效的滞后时间,t,WR,片选失效,下一次地址有效,t,DW,数据稳定,WE,失效,t,DH,WE,失效后的数据维持时间,DD,预充电信号,读选择线,写数据线,写选择线,读数据线,V,C,g,T,4,T,3,T,2,T,1,1,(1) 动态,RAM,基本单元电路,2. 动态,RAM ( DRAM ),读出与原存信息相反,读出时数据线有电流 为,“1”,数据线,C,s,T,字线,DD,V,0,1,0,1,1,0,写入与输入信息相同,写入时,C,S,充电 为,“1”,放电 为,“0”,4.2,T,3,T,2,T,1,T,无电流,有电流,单元,电路,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,(2) 动态,RAM,芯片举例,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),读,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,0,D,0,0,4.2,单元,电路,读 写 控 制 电 路,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,4.2,1,1,1,1,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,1,1,1,1,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,0,1,0,0,0,1,1,1,1,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,1,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,D,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,D,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,读 写 控 制 电 路,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,D,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,读 写 控 制 电 路,A,9,A,8,A,7,A,6,A,5,读 写 控 制 电 路,列 地 址 译 码 器,读选择线,写选择线,D,单元,电路,行,地,址,译,码,器,0,0,1,1,31,31,1,31,A,4,A,3,A,2,A,1,A,0,刷新放大器,写,数,据,线,读,数,据,线,0,D,1,1,1,1,1,0,1,0,0,0,1,4.2,三管动态,RAM,芯片 (,Intel 1103),写,读 写 控 制 电 路,时序与控制,行时钟,列时钟,写时钟,WE,RAS,CAS,A,6,A,0,存储单元阵列,基准单元,行,译,码,列译码器,再生放大器,列译码器,读,出,放,大,基准单元,存储单元阵列,行,译,码,I/O,缓存器,数据输出,驱动,数据输入,寄存器,D,IN,D,OUT,行地址,缓存器,列地址,缓存器,单管动态,RAM 4116,(16,K,1,位,) 外特性,4.2,D,IN,D,OUT,A,6,A,0,读放大器,读放大器,读放大器,0,63,64,127,128 根行线,C,s,0,127,1,128,列,选,择,读/写线,数据输入,I/O,缓冲,输出驱动,D,OUT,D,IN,C,s,4116 (16K,1,位) 芯片,读,原理,读放大器,读放大器,读放大器,4.2,63,0,0,0,I/O,缓冲,输出驱动,OUT,D,读放大器,读放大器,读放大器,0,63,64,127,128 根行线,C,s,0,127,1,128,列,选,择,读/写线,数据输入,I/O,缓冲,输出驱动,D,OUT,D,IN,C,s,4116 (16K,1,位) 芯片,写,原理,数据输入,I/O,缓冲,I/O,缓冲,D,IN,读出放大器,读放大器,4.2,63,0,(3) 动态,RAM,时序,行、列地址分开传送,写时序,行地址,RAS,有效,写允许,WE,有效(高),数据,D,OUT,有效,数据,D,IN,有效,读时序,4.2,行地址,RAS,有效,写允许,WE,有效(低),列地址,CAS,有效,列地址,CAS,有效,(4) 动态,RAM,刷新,刷新与行地址有关,集中刷新,（,存取周期为,0.5,s,）,“死时间率”,为,128/4 000,100% = 3.2%,“死区”,为 0.5,s,128 = 64,s,周期序号,地址序号,t,c,0,1,2,3,871,3,872,0,1,t,c,t,c,t,c,t,c,3999,V,W,0,1,127,读,/,写或维持,刷新,读,/,写或维持,3,872,个周期,（19,36,s,）,128,个周期,（,64,s,）,刷新时间间隔,（,2,m,s,）,刷新序号,t,c,X,t,c,Y, , ,4.2,以,128, 128,矩阵为例,t,C,=,t,M,+,t,R,读写,刷新,无 “死区”,分散刷新,（,存取周期为,1,s,）,(存取周期为 0.5,s,+,0.5,s,),4.2,以 128,128,矩阵为例,W/R,REF,0,W/R,t,R,t,M,t,C,REF,126,REF,127,REF,W/R,W/R,W/R,W/R,刷新间隔,128,个存取周期,分散刷新与集中刷新相结合（异步刷新）,对于 128,128,的存储芯片,（,存取周期为,0.5,s,）,将刷新安排在指令译码阶段，不会出现 “死区”,“死区” 为 0.5,s,若每隔,15.6,s,刷新一行,每行每隔,2,ms,刷新一次,4.2,3. 动态,RAM,和静态,RAM,的比较,DRAM,SRAM,存储原理,集成度,芯片引脚,功耗,价格,速度,刷新,电容,触发器,高,低,少,多,小,大,低,高,慢,快,有,无,主存,缓存,4.2,四、只读存储器（,ROM）,1. 掩模,ROM ( MROM ),行列选择线交叉处有,MOS,管为“1”,行列选择线交叉处无,MOS,管为“0”,2.,PROM (,一次性编程),V,CC,行线,列线,熔丝,熔丝断,为 “0”,为 “1”,熔丝未断,4.2,3.,EPROM (,多次性编程 ),(1) N,型沟道浮动栅,MOS,电路,G,栅极,S,源,D,漏,紫外线全部擦洗,D,端加正电压,形成浮动栅,S,与,D,不导通为 “0”,D,端不加正电压,不形成浮动栅,S,与,D,导通为 “1”,S,G,D,N,+,N,+,P,基片,G,D,S,浮动栅,SiO,2,+ + + + +,_ _ _,4.2,控制逻辑,Y,译码,X,译,码,数据缓冲区,Y,控制,128,128,存储矩阵,PD/Progr,CS,A,10,A,7,A,6,A,0,DO,0,DO,7,1,12,A,7,A,1,A,0,V,SS,DO,2,DO,0,DO,1,2716,24,13,V,CC,A,8,A,9,V,PP,CS,A,10,PD/Progr,DO,3,DO,7,(2) 2716 EPROM,的逻辑图和引脚,4.2,PD/Progr,PD/Progr,功率下降 /,编程输入端,读出时,为,低电平,4.,EEPROM (,多次性编程 ),电可擦写,局部擦写,全部擦写,5.,Flash Memory (,闪速型存储器),比,EEPROM,快,4.2,EPROM,价格便宜 集成度高,EEPROM,电可擦洗重写,具备,RAM,功能,用 1,K,4位 存储芯片组成 1,K,8,位 的存储器,？片,五、存储器与,CPU,的连接,1. 存储器容量的扩展,(1) 位扩展,（增加存储字长）,10根地址线,8根数据线,D,D,D,0,4,7,9,A,A,0,2114,2114,CS,WE,4.2,2,片,(2) 字扩展（增加存储字的数量）,用 1,K,8位 存储芯片组成 2,K,8,位 的存储器,11根地址线,8根数据线,4.2,？片,2,片,1,K,8位,1,K,8位,D,7,D,0,WE,A,1,A,0,A,9,CS,0,A,10,1,CS,1,(3) 字、位扩展,用 1,K,4位 存储芯片组成 4,K,8,位 的存储器,8根数据线,12根地址线,WE,A,8,A,9,A,0,.,D,7,D,0,A,11,A,10,CS,0,CS,1,CS,2,CS,3,片选,译码,4.2,1,K,4,1,K,4,1,K,4,1,K,4,1,K,4,1,K,4,1,K,4,1,K,4,？片,8,片,2. 存储器与,CPU,的连接,(1) 地址线的连接,(2) 数据线的连接,(3) 读/写命令线的连接,(4) 片选线的连接,(5) 合理选择存储芯片,(6) 其他 时序、负载,4.2,例4.1,解:,(1) 写出对应的二进制地址码,(2) 确定芯片的数量及类型,0 1 1 0,0 0 0 0,0 0 0 0,0 0 0 0,A,15,A,14,A,13,A,11,A,10, A,7,A,4,A,3,A,0,0 1 1 0,0 1 1 1,1 1 1 1,1 1 1 1,0 1 1 0,1 0 0 0,0 0 0 0,0 0 0 0,0 1 1 0,1 0 1 1,1 1 1 1,1 1 1 1,2,K,8,位,1K,8,位,RAM,2片,1K,4,位,ROM,1片 2,K,8,位,4.2,(3) 分配地址线,A,10, A,0,接 2,K,8,位,ROM,的地址线,A,9, A,0,接 1,K,4,位,RAM,的地址线,(4) 确定片选信号,C,B,A,0 1 1 0,0 0 0 0,0 0 0 0,0 0 0 0,A,15,A,13,A,11,A,10, A,7, A,4,A,3,A,0,0 1 1 0,0 1 1 1,1 1 1 1,1 1 1 1,0 1 1 0,1 0 0 0,0 0 0 0,0 0 0 0,0 1 1 0,1 0 1 1,1 1 1 1,1 1 1 1,2K,8,位,1,片,ROM,1K,4,位,2,片,RAM,4.2,2,K,8,位,ROM,1K,4,位,RAM,1K,4,位,RAM,&,PD/Progr,Y,5,Y,4,G,1,C,B,A,G,2B,G,2A,MREQ,A,14,A,15,A,13,A,12,A,11,A,10,A,9,A,0,D,7,D,4,D,3,D,0,WR,例 4.1,CPU,与存储器的连接图,4.2,(1) 写出对应的二进制地址码,例4.2,假设同前，要求最小 4,K,为系统,程序区，相邻 8,K,为用户程序区。,(2) 确定芯片的数量及类型,(3) 分配地址线,(4) 确定片选信号,1片,4K,8,位,ROM,2,片,4K,8,位,RAM,A,11, A,0,接,ROM,和,RAM,的地址线,4.2,例 4.3,设,CPU,有 20 根地址线，8 根数据线。,并用,IO/M,作访存控制信号。,RD,为读命令，,WR,为写命令。现有 2764,EPROM ( 8K,8,位 ),外特性如下：,用 138 译码器及其他门电路（门电路自定）画出,CPU,和 2764 的连接图。要求地址为,F0000HFFFFFH ,并,写出每片 2764 的地址范围。,4.2,D,7,D,0,CE,OE,CE,片选信号,OE,允许输出,PGM,可编程端,PGM,A,0,A,12,六、存储器的校验,编码的纠错,、,检错能力与编码的最小距离有关,L,编码的最小距离,D,检测错误的位数,C,纠正错误的位数,汉明码是具有一位纠错能力的编码,4.2,L,1 =,D,+,C,(,D,C,),1 . 编码的最小距离,任意两组合法代码之间,二进制位数,的,最少差异,L,= 3,具有,一位,纠错能力,汉明码的组成需增添,？,位检测位,检测位的位置,？,检测位的取值,？,2,k,n,+,k,+ 1,检测位的取值与该位所在的检测“小组” 中,承担的奇偶校验任务有关,组成汉明码的三要素,4.2,2 . 汉明码的组成,2,i,(,i,= 0,，,1,，,2,，,3,，,),各检测位,C,i,所承担的检测小组为,g,i,小组独占第,2,i,1,位,g,i,和,g,j,小组共同占第,2,i,1,+ 2,j,1,位,g,i,、,g,j,和,g,l,小组共同占第,2,i,1,+ 2,j,1,+ 2,l,1,位,C,1,检测的,g,1,小组包含第 1，3，5，7，9，11，,C,2,检测的,g,2,小组包含第 2，3，6，7，10，11，,C,4,检测的,g,3,小组包含第 4，5，6，7，12，13，,C,8,检测的,g,4,小组包含第 8，9，10，11，12，13，14，15，24，,4.2,例4.4,求 0101 按 “偶校验” 配置的汉明码,解：,n,= 4,根据 2,k,n,+,k,+ 1,得,k,= 3,汉明码排序如下:,二进制序号,名称,1 2 3 4 5 6 7,C,1,C,2,C,4,0, 0101 的汉明码为,0,1 0 1,4.2,1,0,按配偶原则配置 0011 的汉明码,二进制序号,名称,1 2 3 4 5 6 7,C,1,C,2,C,4,1 0 0,0,0 1 1,解：,n,= 4,根据 2,k,n,+,k,+ 1,取,k,= 3,C,1,= 3 5 7 = 1,C,2,= 3 6 7 = 0,C,4,= 5 6 7 = 0, 0011 的汉明码为,练习1,4.2,3. 汉明码的纠错过程,形成新的检测位,P,i,，,如增添 3 位 （,k,= 3）,，,新的检测位为,P,4,P,2,P,1,。,以,k,= 3,为例，,P,i,的取值为,P,1,= 1 3,5 7,P,2,= 2 3,6 7,P,4,= 4 5,6 7,对于按 “偶校验” 配置的汉明码,不出错时,P,1,= 0，P,2,= 0，P,4,= 0,C,1,C,2,C,4,其位数与增添的检测位有关，,4.2,P,1,= 1 3 5 7 = 0,无错,P,2,= 2 3 6 7 = 1,有错,P,4,= 4 5 6 7 = 1,有错,P,4,P,2,P,1,= 110,第 6 位出错，可纠正为 01001,0,1，,故要求传送的信息为,0101,。,纠错过程如下,例4.5,解：,已知接收到的汉