3.TFT-LCD制造技术-Array 工艺

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,2015/4/9,#,基础知识培训讲座,第三章,TFT-LCD,制造技术,第一节,Array,工艺,第二节,Cell,工艺,第三节,Module,工艺,第四节 清洗工艺,总论,:,TFT-LCD,的基本制造流程,在玻璃基板上形成,TFT,电路、 像素电极以及必要的引线和各种标记,形成液晶盒，组建完整的光学系统,组装驱动电路和背光源，形成独立的，标准外部接口的模块,第一节,Array,工艺,1.1 Sputter,1.2 PECVD,1.3 Photo,1.4 Etch,沉积,清洗,PR,涂附,曝光,显影,刻蚀,PR,剥离,检查,Wet Etch,Dry Etch,Array,概论,-Array,工艺流程,Glass,Glass,Gate Metal Deposition,Gate Patterning,SiNx Deposition,i a-Si Deposition,n+ a-Si Deposition,Active Patterning,Data Metal Deposition,Data Metal Patterning,n+ a-Si Etch,SiNx Deposition,Via Hole Patterning,ITO Deposition,Pixel Patterning,Pixel,Data,Passivation SiNx,n+ a-Si,i a-Si,Gate,insulator,SiNx,Gate,Via hole,Array,概论,-5Mask,工艺流程,1.1 Sputter,1.1.1 Plasma,在,Sputter,中的应用,1.1.2 Sputter,设备的主要结构,1.1.3 Sputter,设备的真空系统,1.1.4 Sputter,的测试标准及不良,Sputter,和,PECVD,在,Array,的,5Mask,工艺中，共同承担 了各个,Mask,的第一步主要工序,-,成膜。,Sputter,用于做金属膜和,ITO,膜：,Sputter,概论,S/D,ITO,Gate,GL,A,SS,GATE,M,o,),GLASS,GATE,ITO,Plasma,在电学上为通过放电而形成的阳离子和电子的集合。,Plasma,就是所谓的第四种物质状态,众所周知,宇宙中,99%,都是,Plasma,状态,物质中,Energy,低的状态为固态,当接受,Energy,时,慢慢的变为液体,然后变成气体,在气体状态下,接受更大的,Energy,形成阴阳离子总数相同并呈中性的,Plasma,状态。,固态 液态 气态,Plasma,状态转化,Entalpy change,1.1.1 Plasma,在,Sputter,中的应用,Sputtering,是通过,RF Power,或,DC Power,形成,Plasma,具有高能量的,Gas Ion,撞击,Target,表面,粒子从,Target,表面射出并贴附到基板表面的工程。,1.1.1 Plasma,在,Sputter,中的应用,我们使用的,Sputter,设备是利用相应的,DC Power,产生一个如左图所示的,Plasma,区，并相应的产生一个下图所示的自建电场。对这个电场，我们使用的是阴极一侧压降比较大的区域作为,Plasma,的加速区域。,1.1.1 Plasma,在,Sputter,中的应用,在真空室内通入一定压力的,Ar Gas,，根据已设定好的电场，在电场的作用下，电子被加速并使,Ar,原子,ion,化形成,Glow Discharge,。,Ion,与,Cathode (Target),碰撞生成,Target Atom,、,2,次电子等产物，,Target Atom,再沉积到基板上形成,THIN FILM,，,2,次电子起到维持,Glow Discharge,的作用。,在,DC Sputtering,过程中通过适当调节真空室内的气体压力（,Pressure Control,）可得到理想条件下的最大溅射速率。,如果,Ar Gas,的压力过大会减小溅射速率，其原因是参与,Sputter,的原子的运动受到,Gas,运动阻碍的结果。相反压力太低就不会形成,Plasma,辉光放电现象。,1.1.1 Plasma,在,Sputter,中的应用,1.1.2 Sputter,设备主要结构,左图所示就是,Sputter,设备的,L/UL Chamber,，,L/UL Chamber,是,ATM,与真空状态的一个中介，在正常工作时，该,Chamber,一侧一直处于真空状态，一侧一直处于大气压状态，它的作用就是在这两种状态之间实现玻璃基板的传送。在把,Substrate,从,Cassette,送入时，要从大气压变到真空状态，在把,Substrate,从,T0,送出时，要从真空变到大气压状态。同时,L/UL Chamber,起到把玻璃基板进行预热和冷却的作用。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,L/UL Chamber,的主要构成：,Heat Plate,：玻璃基板从,Cassette,进入设备后，首先要在这里进行预热，预热使用的是,64,个红外灯。,Cooling Plate,：玻璃基板成膜后的温度比较高，不可以直接进入低温的,ATM,环境中，所以要进行冷却。,Motor,：有可以使,Heat Plate,升降和使,Cooling Plate,的,Pin,升降的,Motor,。,Door Valve:,和,Transfer Chamber,及,ATM,之间都有,Door Valve,来实现,ATM,和真空的转换。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Transfer Chamber,用于在设备内部各个,Chamber,之间传送,Substrate,。它里面有一个两层的机械手，可以在,x,轴,轴和,Z,轴三个方向上进行运动。其作用就是把,L,/UL Chamber,中预热好的玻璃基板运送到,Sputter Chamber,并把,Sputter Chamber,中已经完成的玻璃基板送到,L/UL Chamber,中。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Transfer Chamber,的主要构成：,机械手：搬送玻璃基板在各个,Chamber,之间移动的两层的机械手。,玻璃基板有无传感器：在各个,Chamber,的入口处，都有一对可以感知玻璃基板边缘的传感器，可以感知玻璃基板的有无以及是否发生破碎。,Door Valve:,与各个,Chamber,之间都有一个,Door Valve,。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Sputter Chamber,是,Substrate,最后进行,Process,的,Chamber,。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Sputter Chamber,的主要构成有：,放玻璃基板的,Platen,（,Gate,有两个）,Cathode,（,Gate,有两个）：包括,Target,、,Mask,、,Shield,、,Magnetic Bar,等构成部分。,Motor:,有,Plate,转动的,Motor,、,Plate,升降的,Motor,、,Cathode,开关的,Motor,、,Magnetic Bar,运动的,Motor,等。,Door Valve:,与,Transfer Chamber,之间有,Door Valve,。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,为了加快成膜的速度，在,Target,的后面使用,Magnetic Bar,，使等离子在该区域内集中，从而加快成膜速度。,G5,使用的是连在一起的,9,个,Magnetic Bar,。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Glass,Target,Backing Plate,共同板,Magnetic Bar,TM,值对溅射的影响非常大，而随着,Target,的使用，,Target,会变薄，从而使,TM,值变小，这就要求,Magnetic Bar,在,Z,方向有一个运动，使,Magnetic Bar,在,Z,轴的位置随着,Target,的使用量而进行相应的调整，而且这个运动的规律也很重要，这些都可以在,GPCS,中的,Magnetic Control Recipe,中可以实现。,1.1.2 Sputter,设备主要结构,Sputter,设备的真空系统主要有以下构成部分：,Dry Pump,：是一种机械,Pump,，主要用于对,Chamber,及,Cryo Pump,抽初真空用，延长,Cryo Pump,的使用寿命。,Cryo Pump,：是一种低温,Pump,，靠液氦的气化来产生低温，工作时的温度可达到,20K,以下，使气体凝固，达到高真空。,Compressor,：把,He,转化为液态，提供给,Cryo Pump,使用，,L/UL,的两个,CP,公用一个,Compressor,，其它每个,CP,一个。,真空表：,Sputter,设备使用的真空表主要有四种，,ATM Sensor,、,PIG,表、,DG,表、,IG,表，他们测量的真空度递增。,其它：各种阀门、管道等。,1.1.3 Sputter,设备的真空系统,S/D dep,后,PI,检测,1.1.4 Sputter,的测试标准及不良,ITO,沉积后,particle splash,1.2 PECVD,1.2.1 PECVD,在,TFT-LCD,生产中的作用,1.2.2 PECVD,工艺,1.2.3 PECVD,设备,Glass,Gate,SiNx,a-Si:H,SiNx,S/D,PVX,Ohmic,多层膜,(,有源层,),和,PVX(,保护层,),1.2.1 PECVD,在,TFT-LCD,生产中的作用,(,一,) CVD,介绍,1. CVD(Chemical Vapor Deposition),的定义,一种利用化学反应方式,将反应物,(,气体,),生成固态的产物,并沉积在基片表面的薄膜沉积技术,.,如可生成,:,导体,: W(,钨,),等,;,半导体,:Poly-Si(,多晶硅,),非晶硅等,;,绝缘体,(,介电材质,):,SiO,2, Si3N4,等,.,1.2.2 PECVD,工艺,PECVD (Plasma Enhanced CVD,),0.1,5.0Torr,200,500,优点是在低温下可进行反应,成膜率高,缺点是处理反应产物困难,2. PECVD,制膜的优点及注意事项,优点：, 均匀性和重复性好，可大面积成膜；, 可在较低温度下成膜；, 台阶覆盖优良；, 薄膜成分和厚度易于控制；, 适用范围广，设备简单，易于产业化；,注意事项：, 要求有较高的本底真空；, 防止交叉污染；, 原料气体具有腐蚀性、可燃性、爆炸性、易燃性和毒性，应,采取必要的防护措施。,1.2.2 PECVD,工艺,RF Power,:,提供能量,真空度,(,与压力相关,),气体的种类和混合比,温度,Plasma,的密度,(,通过,Spacing,来调节,),3. PECVD,主要工艺参数,1.2.2 PECVD,工艺,Layer,名称,膜厚,使用气体,描述,Multi,g-SiNx:H,3500,10%,SiH4+NH3+N2,对,Gate,信号线进行保护和绝缘的作用,g-SiNx:L,500,10%,a-Si:L,500,15%,SiH4+H2,在,TFT,器件中起到开关作用,a-Si:H,1300,20%,n+ a-Si,500,20%,SiH4+PH3+H2,减小,a-Si,层与,S/D,信号线的电阻,PVX,p-SiNx,2500,10%,SiH4+NH3+N2,对,S/D,信号线进行保护,(,二,) PECVD,所做各层膜概要,1.2.2 PECVD,工艺,2.,几种膜的性能要求,(1) a-Si:H,低隙态密度、深能级杂质少、高迁移率、暗态电阻率高,(2) SiN,x,i.,作为介质层和绝缘层，介电常数适中，耐压能力强，电阻率 高，固定电荷少，稳定性好，含富氮材料，针孔少，厚度均匀。,ii.,作为钝化层，密度较高，针孔少。,(3) n,+,a-Si,具有较高的电导率，较低的电导激活能，较高的参杂效率，形成,微晶薄膜。,1.2.2 PECVD,工艺,1.Dep,前,P/T,Dep,前,P/T,的辨别主要根据,P/T,的周围有无,Discolor,区分为在,Gate,和,S/D,线上,(A),和在像素区上,(B),Spec: =30ea/glass,Dep,前,Dep,后,2.Dep,后,P/T,一般,Dep,后,P/T,在清洗之后会去除,Spec: =100ea/glass,1.2.2 PECVD,工艺,(,三,),工艺不良,在,Multi,和,PVX,工程中的产品不良主要是,P/T, Thickness,不均匀,Etch,后的,Remain,等,对工艺不良的分析与解决是生产中关键的一环,.,3. Wall,性,P/T,Wall,性,P/T,为沉积产物落在基板上,Wall,性,P/T,经常会引起,DGS,或,I/O,等不良,Spec: =5ea/glass,Wall,性,P/T,Bubble,4. Bubble,SiH4,的流量不稳时或,a-Si/N+,进行,Redep,时,Bubble,容易产生,Bubble,会引起,Pixel Defect, Bubble,发生时对,Glass,进行,Scrap,处理,1.2.2 PECVD,工艺,1.2.3 PECVD,设备,PECVD,设备主要由主设备和辅助设备构成,它是立体布局,主设备和辅助,设备不在同一层,.,(,一,) ACLS,ACLS(Automatic Cassette Load Station),是主要放置,Cassette,的地方,.,1.2.3 PECVD,设备,3,个,Cassette Stage,Laminar Flow Hood,：,Class 10,Light Curtain(,红外线,),设备状态指示器,Atm,机器手,:,真空状态的设备内部与外面的大气压间进行转换的,Chamber,通过,Cassette,向,Loadlock Ch.,传送时,首先使用,N2,气使其由真空转变为大气压,传送结束后,使用,Dry,泵使其由大气压转变为真空,而且对沉积完成的热的,Glass,进行冷却,为减少,P/T(Particle),的产生,在进行抽真空,/Vent,时使用,Slow,方式,(,二,) Loadlock Chamber,1.2.3 PECVD,设备,基础真空,:500mTorr,以下,两个,Loadlock Ch.,公用一个,Pump,升降台,:,由导轨和丝杠构成,通,过直流步进电机进行驱动,(,三,) X-Fer Chamber,1.2.3 PECVD,设备,X-Fer Chamber,又称,Transfer Chamber,主要起传输的作用,基础真空,:500mTorr,以下,Slit,阀,(,共,7,个,),真空机器手,(Vacuum Robot):,为,3,轴,(R,T,Z),各,Chamber,前有判断基板有,/,无,的,Sensor(,共,7,个,),(,四,) Heat Chamber,在,Heat,Ch.,中对,Glass,进行,Preheating,处理后传送到,Process Chamber,基础真空,:500mTorr,以下,温度控制,:,最大可加热到,400,由,8,个,Shelf,构成,并通过各,Shelf,对温度进行控制,Shelf,上的电阻是通过印刷方式完成的,均匀性要比电阻丝方式好,Body,为不锈钢,1.2.3 PECVD,设备,(,五,) Process Chamber,1.2.3 PECVD,设备,GAS IN,Plasma,GAS OUT,Glass,RF Power,13.56MHz,SiH4,NH3,PH3,等,4EA GND,Diffuser,Susceptor,(,六,) Main Frame Control Rack,设备的控制器,Electrical & Signal,的分配,Mainframe AC Power,的分配,提供,DC(5V,12V,15V,24V),电源,X-Fer,Heat,Loadlock,ACLS,的,VME,控制器,1.2.3 PECVD,设备,G,A,S,G,A,S,Gas Cabinet,(Bottle),2,次,R,egulator,Chamber,MFC,Manual Valve,B,D,A,C,Gas Panel,有毒,/,危险气体,无毒,/,危险气体,SiH4(Silane),N2,PH3(Phosphine),CDA,NH3(Ammonia),He,NF3,H2,Toxic Room,中央供给,1,次,Regulator,Gas,的种类,(,七,),气体供应系统,气体供应示意图,1.2.3 PECVD,设备,在成膜过程中,不仅会沉积到,Glass,上而且会沉积到,Chamber,的,内壁,因此需对,Chamber,进行定期的,Dry,清洗,否则会对沉积进,行污染,PECVD P/Chamber,内部清洗使用,Dry Cleaning,方式,把从外面,形成的,F,-,通入,Chamber,内并通过,F,与,Chamber,内的,Film,物质反,应使其由固体变成气体,.,(,八,) RPSC,系统,1.2.3 PECVD,设备,Dry Clean,的原理,Dry Clean,主要采用,Remote Clean,方式进行清洗,NF,3, F,F + Si,SiNx,SiO,2,.,SiF,4,() + Other Gases(),Pumping Out,-,-,1.2.3 PECVD,设备,CHAMBER,Throttle Valve,Dry Pump,Scrubber,Trap,Filter,Exhaust Line,Convectron,Manometer,Vacuum,Valve,(,九,),真空系统,真空系统示意图,1.2.3 PECVD,设备,读取,Chamber,内的真空值,.Convectron(100mTorr,760 Torr),.Manometer(1mTorr,10Torr),为防止,Powder,堵塞在,Foreline,处使用,Heat Jacket,在,Exhaust line,使用,Filter/Trap.,被排出的气体在,Scrubber,处进行处理,(,十,) Utility,的供给,PECVD,设备中使用的各种,Utility,如下,:,工作气体,SiH4, PH3, NH3, NF3, H2, N2,(Process N2:99.999%), Ar,压缩空气,(,气缸,&,电磁阀中使用,),CDA,(Clean Dry Air) 100psi,一般,Purge,用,GN2(General N2:99.99%),冷却水,PCW,(Process Cooling Water: Min 2.8kg/,50slm,18,25),DI,(De_Ionized Water,: 18,38,),电源,208VAC,500A,5,线,(3,相,Neutral,接地,),1.2.3 PECVD,设备,1.3 Photo,1.3.1,光刻概述,1.3.2 TRACK,设备,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,1.,什么是光刻,?,Coat &,Exposure,Development,Glass,TFT Panel,光刻就是以光刻胶为材料在玻璃基板表面形成,TFT pattern,，这个,TFT pattern,的作用就是保护在它下面的金属或者其他的薄膜，使其在下一道刻蚀工序中不被刻蚀掉，从而最终形成我们所需要的,TFT pattern,。,1.3.1,光刻概述,(1),涂胶,Coater,： 将光刻胶通过涂胶这个步骤，均匀的涂在玻璃基板上。,2.,如何实现？,C,oat,三个主要步骤：他们是涂胶,Coater,，曝光,Exposure,，显影,Development,此过程通过,Track,机的,COAT&ER,单元来实现。,1.3.1,光刻概述,(2),曝光,Exposure,Exposure,mask,通过,Mask,的遮光作用，有选择性的将光刻胶感光。,此过程通过曝光机来实现。,1.3.1,光刻概述,(3),显影,Development,DEV,此过程通过,Track,机的,DEV,单元来实现。,通过化学作用将感光的光刻胶溶解去掉，将未感光的光刻胶固化。,1.3.1,光刻概述,光刻具体的流程图,1.3.1,光刻概述,（,1,）光刻工序在整个阵列工序中起着承上启下的作用，它和其他两个阵,列工序一样，光刻工序使用,5MASK,工艺处理玻璃基板，具体的说，,就是将最终要在玻璃基板上形成的,TFT pattern,分成,GATE ,ACTIVE ,S/D , VIA ,ITO,（,2,）,5,个层，每次曝光形成一个层，最后叠加形成最终的,TFT pattern,。,Photo,Etching,Thin film,TFT,阵列基板,玻璃基板,5mask,3.,光刻与整个阵列的关系,1.3.1,光刻概述,在,PHOTO,工序，除了曝光机以外的设备通称为,TRACK,机，,包括,-,清洗设备：,Advanced Scrubber;,涂胶设备：,Coater& ER,;,显影设备：,Developer;,烘烤设备：前烘,Soft Bake,、后烘,Hard Bake,设备；,冷却,Cooling,设备等。,1.3.2 TRACK,设备,Coater,1.3.2 TRACK,设备,ER,-Edge remove,1.3.2 TRACK,设备,Exposure & Development,1.3.2 TRACK,设备,在,PHOTO,工序，除了曝光机以外的设备通称为,TRACK,机，,包括,-,清洗设备：,Advanced Scrubber;,涂胶设备：,Coater& ER,;,显影设备：,Developer;,烘烤设备：前烘,Soft Bake,、后烘,Hard Bake,设备；,冷却,Cooling,设备等。,1.3.2 TRACK,设备,UV,部分,作用：用于除去玻璃基板表面的有机物质,原理：通过紫外光,(,UV,),照射使,O,2,电离生成,O,3,，,进而将有机物氧化,关键点：紫外光的强度，均匀度，灯与玻璃基,板的距离。,1.3.2 TRACK,设备,A.SCR,部分和,DHP,烘烤及烘烤后冷却设备,A.SCR:,涂胶前对玻璃基板进行的清洗。,清洗方法,：,Brush,：除去大的,particle.,MegaSonic,：超声波清洗，除去较小,particle.,Line Shower,：喷出高压,DIW,除去较小,particle.,TMAH,：化学清洗，除去表面氧化物。,DHP,：,A.SCR,后使用，除去玻璃基板上的水份,.Step Cool Extension,：对加热的玻璃进行冷却处理,.Step Cool,：对加热过的玻璃进行冷却处理,.,1.3.2 TRACK,设备,Coater & ER,部分,Coater,原理：在玻璃基板上以旋转的方式涂上光刻胶，然后在,ER,部分将玻璃基板周围的,PR,胶去除，以免滴落污染设备，光刻胶是见光后性质就发生改变的物质，曝光后再显影便形成与,MASK,一样的图形（正性光刻胶）,1.3.2 TRACK,设备,Soft Bake,：,CT&ER,后使用，除去,PR,中的有机溶剂和水份。,Step Cool Extension (NO TEMP.),：此处为玻璃基板的接送处，兼起冷却作用。,Soft Bake,及冷却部分,1.3.2 TRACK,设备,Develop,显影和,Hard Bake,及冷却部分,Develop,原理：曝光后，被光照射过的,PR,胶性质发生变化而溶于显影液。此处就是将已经曝光的光刻胶溶解掉，使,PR,形成据有,TFT,形状的薄膜。,Hard Bake,： 除去,PR,中的水份并硬化,PR,。,Step Cool Extension,：将玻璃基板温度冷却至室温。,1.3.2 TRACK,设备,曝光机的基本工作原理：,曝光机的全称是,MIRROR PROJETION MASK ALIGNER(,镜像投影,MASK,对位仪,),他的作用是对涂好光刻胶的玻璃基板进行曝光，他所采用的方式就是利用光刻胶的光敏性将,MASK,上的图像格式投影到玻璃基板上,.,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,曝光机的原理,C/D BOX,LAMP,HOUSE,空调,控制台,MASK,储存箱,MASK,传送道,Main,body,导光系统,曝光机按功能可以划分为以下几部分：,1 .,空调系统：负责保持整个曝光机内部,恒温在,22,度左右。,2 .Console,：控制台，主要由一台装有,MPA5000,控制软件的工作站构成，它,的作用是将人的指令程序输入曝光机，,并反馈机器运行状况。,3. Main body:,集成,mask stage,和,plate,stage,这里是进行曝光的地方。,4 . illumination system:,提供曝光光源,灯,房,导 光系统，光转换系统。,5 . Mask,储存箱,:,储备常用,mask,，,A-I 9,个,.I,一般为中转用。,6 . C/D box:,集成了电源以及主机的机电,控制电路。,7 . Mask changer:,更换,mask,。,曝光机结构概述：,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,现在的曝光机的工作方式是，,SCAN,方式，这两种曝光机的工作方式如下图所示：,SCAN,：,SCAN,工作方式的基本原理就是：使玻璃基板和,MASK,在一个光束下同时移动，光束扫描过的部分就算完成了曝光。,光学系统,光,mask,plate,同步移动,scan,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,mask,MS,plate,PS,光源系统,aligner,功能示意,(,动画,),1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,曝光光带,PS,搭载,glass,进行曝光,动画,演示,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,1.3.3 ALIGNER,（曝光机）,五代线曝光机,MPA 7800,5510 (W) 6091 (L) 3349(H),Weight :,26970 kg,1.4 Etch,1.4.1,干法刻蚀概述,1.4.2,干法刻蚀应用的工序,1.4.3,湿法刻蚀概要,1.4.4,湿法剥离概要,1.4.1,干法刻蚀概述,Dry,Etch,？,利用真空气体和,RF Power,生成的,Gas Plasma,反应产生原子和原子团，该原子和原子团与淀积在基板上的物质反应生成挥发性物质。利用该原理可进行干法刻蚀。,CD Bias,Profile,Selectivity,Uniformity,Etch Rate,Requirement,Items of,Dry Etch,Plasma Etch,利用通过,Plasma,形成的,Reactive Ion,和,Radical,进行,Etch,。,1.4.1,干法刻蚀概述,Reactive Ion Etch,由,Plasma,形成的,Ion,在下部电极电场的作用下，与下部电极冲撞进行刻蚀反应。,1.4.1,干法刻蚀概述,Active Etch,形成,TFT CHANNEL,的,Active Layer,（包括,n,+,a-Si , a-Si ),的刻蚀工序。,Glass,Gate,G-SiN,x,:H (3500),a-Si:H (1300),G-SiN,x,:L (500),n,+,a-Si (500),a-Si:L (500),Deposition,Mask,Etch,Strip,1.4., 干法刻蚀应用的工序,N,+,Etch,在,TFT,LCD,中形成,Channel,的,Active,层的,N+,层（,500A,）、,a-Si,层的刻蚀过程,。,N+ Etch,Depositio,n,Mask,Etch,Strip,Glass,Gate,a-Si:H,S/D Mo/Al/Mo,(900/1100/700),G-SiN,x,:H (3500),G-SiN,x,:L (500),a-Si:L (500),n+a-Si (500),1.4., 干法刻蚀应用的工序,VIA Hole Etch,刻蚀象素电极（,ITO,）和,TFT,连接部分及,PAD,部分的,Gate,、,S/D,间绝缘层的工序。,PVX Dep,Mask,Strip,Etch,Glass,Gate,G-SiN,x,S/D,P-SiN,x,(2500),n+a-Si,a-Si,Via hole,1.4., 干法刻蚀应用的工序,VIA Hole Etch,干法刻蚀方式,VIA Hole Etch Target,刻蚀深度：,6000A,过刻蚀率：,70,1.4., 干法刻蚀应用的工序,PR Mask,后，利用化学药剂去除薄膜形成,Pattern,主要适于金属膜或,ITO PATTERN,的形成。, 有利于选择比和大面积刻蚀的均匀度,生产性的提高,成本的降低。,湿法刻蚀？,1.4., 湿法刻蚀概要,GATE ETCH,S/D ETCH,ITO ETCH,1.4., 湿法刻蚀概要,湿法刻蚀各工序刻蚀后图形,Etch,中的各向同性,:,在各个方向上具有相同的刻蚀速率,. Features,扩大。,Wet Etch,及部分,Plasma Ethc,属于各向同性。,Substrate,Oxide,Oxide,Resist,Resist,Resist,Substrate,Oxide,Oxide,Oxide,Resist,Resist,Resist,各向同性,vs.,各向异性,Etch,中的各向异性,:,刻蚀具有高度的取向性,. Feature sizes are preserved and sidewalls are nearly vertical.,仅应用于,Plasma Etch,1.4., 湿法刻蚀概要,Critical Dimension,Etch Bias = (Etched Feature Size) - (Printed Feature Size),Etched Feature Size,Glass SUBSTRATE,FILM,Printed Feature Size,PHOTOTESIST,Reasons: Under etch, Over etch, Resist Lifting,1.4., 湿法刻蚀概要,b.,strip chemical: BDG(70%),CH3CH2CH2CH2OCH2CH2OCH2CH2OH,MEA(30%),HOCH2CH2NH2,(Mono Ethanol Amine),NMP,a.,Wet Strip type, Batch type,Dipping Cassette in the bath PR removal, Conveyer type,成本低,适合大尺寸,STRIP,（,1,）,STRIP,工艺,1.4.4,湿法剥离概要,1st : R-NH2 + H20 R-NH3+ + OH-,Amine Hydroxide,Strip,后用水进行,Rinse,工序时集中发生。水和,Amine,的,反应形成氢氧,根离子。,2nd : 2AL + 2OH- + 6H20 2AL(OH-) + 3H2,Aluminum,腐蚀,对策,使用水前用媒介溶剂,IPA,进行,Rinse,1.4.4,湿法剥离概要,1.4.4,湿法剥离概要,S/D , VIA , ITO,IPA RINSE,异丙醇（,C3H8O,）,【,理化性状和用途,】,无色挥发性液体，有乙醇和丙酮混合物的气味。比重,:0.787,，熔点,:-88.5,，沸点,:82.5,，闪点,:11.67,，自燃点,:455.56,。溶于水、醇、醚、苯、氯仿等多数有机溶剂，是重要的化工产品和原料。主要用于制药、化妆品、塑料、香料、涂料等。,第二节,Cell,工艺,2.1 PI LINE,2.2 DISPENSER LINE,2.3 ODF LINE,2.4 CUTTING LINE,