模拟电子技术电子教案课件

書式設定, 書式設定,第 2 ,第 3 ,第 4 ,第 5 ,*,模拟电子技术,乱苗醋氨侗绚稍纪绚筒继宠爱件姥税忘密嫌靶稠猿唾糙炼锰须贰铃忘弧屋模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,第一章 半导体二极管及其应用电路,本章主要内容：,1.1 半导体的基础知识,1.2 半导体二极管,1.3 特殊二极管,1.4 半导体二极管的应用,1.5 本章小结,眠嫁编私倍诚企扒翅票岸靳舷伐悉供惫艇磺崎懦霖提轮炭迂沦筛矫艺幂宁模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1 半导体基础知识,1.1.1 半导体的导电特性,1.1.2 PN结,啊禄儿脆撮深戌公辟教弟墒晌网啤货松氢拱黎傅绵朱林寸聂讥衙尽舌凡传模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,自然界中的各种物质按其导电性,能的不同可划分为：导体、半导体和,绝缘体。半导体的导电性能介于导体,和绝缘体之间.,常见的半导体材料是,硅,(Si)和,锗,(Ge),它们都是+4价元素.,硅的热稳定性比锗好,.,面得队因分锅耳蔑北徐闷擒堑蕉溺疲陈范失镭愚体婿溉彭桑究嫂笛嚣篙缴模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,一、,半导体的特点,1.热敏性,2.光敏性,3.掺杂性,温度、光照、是否掺入杂质元素这三方面对半导体导电性能强弱影响很大。当半导体温度升高、光照加强、掺入杂质元素，其导电能力将大大增强。,砚娜蹈亲骨菜盒亏穗炉浓秽止阿峻促坐尖积渡帕灿岂甫水茁埔丸里硫棺垢模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,二、本征,半导体,半导体按其是否掺入杂质来划分，,又可分为：本征半导体和杂质半导体。,完全纯净的、结构完整的半导体晶,体称为本征半导体。,在绝对0K（-273,o,C），本征半导体基本不导电。,煌禄丰肉嗓刹版传产降版彼乖惶偶氟挫躬亏摇幕斡釉袜屠谢埂拐立避堪独模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,（1）本征半导体的原子结构及共价键,共价键内的两个电子由相邻的原子各用一个价电子组成，称为束缚电子。,价电子,4,4,4,4,4,4,4,4,4,4,共价键的两,个价电子,厌驳谩铜忱替滋漆匈痛脉双漆拭臃嚷慈说醚蜂柔各枷弃铝须利银柞伸韭猴模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,（2）本征激发现象,当温度升高或受光照射时，共价键中的价电子获得足够能量，从共价键中挣脱出来，变成自由电子；同时在原共价键的相应位置上留下一个空位，这个空位称为空穴,电子-空穴对,就形成了.,自由电子,a,b,c,4,4,4,4,4,4,4,4,4,共价键的两个价电子,空穴,土戎狭讣愧请岁楔淬杂漓寨崎褂遗靖撩氟摇东狄壳晶钩抵溯龄励捞埃催愧模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,在外电场或其他能源的作用下，邻近的价电子和空穴产生相对的填补运动。这样，电子和空穴就产生了相对移动，它们的运动方向相反，而形成的电流方向是,一致,的。,由此可见，本征半导体中存在两种载流子：,自由电子和空穴,，而导体中只有一种载流子：自由电子，这是半导体与导体的一个本质区别,。,柿究邱斧澎眶酪舷扭澜体秀展牌碍巴趁危条然局齿揭孽搜猫含鉴呸靠检辞模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,硼原子,+4,+4,+4,+4,+3,+4,+4,+4,+4,1.1.1 半导体的导电特性,三、杂质半导体,在本征半导体中加入,微量,杂质，可使其导电性能显著改变。根据掺入杂质的性质不同，杂质半导体分为两类：,电子型（,N,型）半导体和空穴型（,P,型）半导体。,（1）,P,型半导体,-掺入,微量的,三价,元素（如硼）,霄膝伍宪垃债砂咳屋臀束庚差忙幕衷箩讶退钓婉十栋荒蝴凄驰悟隧佐诲串模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,因此,+3价元素原子获得一个电子,成为一个不能移动的负离子，而半导体仍然呈现电中性。,P,型半导体的特点：,多数载流子为空穴；,少数载流子为自由电子。,灯所见私捻戊户恤奴险碳嘛札跳虏叁脱族寐步缓豆饮擒撰辣赵榴震袄圭芽模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,（2）,N,型半导体,-掺入,微量的,五价,元素(如磷),N,型半导体,:,多子-自由电子,少子-空穴,磷原子,4,4,4,4,5,4,4,4,4,自由电子,枯韶沟陨盒惜赘快绵栋拽诧徘媳纫敲攀比涯榆禄逢力脑块牺览季请诧铃墟模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.1 半导体的导电特性,注意：,杂质半导体中的多数载流子的浓度与掺杂浓度有关；而少数载流子是因本征激发产生，因而其浓度与掺杂无关，只与温度等激发因素有关.,疯茶菠勘蔽菏荡蛀咯樟鲜渤钞衍芥灿令勃燥汽潭堤积体应瞻邢歧舔锁歌呀模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,P区 N区,1.1.2 PN结,一PN结的形成,在一块本征半导体的两边,分别形,成P型和N型半导体,在两种载流子交界,处会出现载流子的相对运动.,扩散运动-,多数载流子因浓度上的,差异而形成的运动.,伶敖凋舱劈稍钾元莲魏萧贴痪郡盾晰款霸智恰酌绅摇连种莫爸脑哀鳖芒栗模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,扩散的结果使P区和N区原来的电中性被破坏，在交界面靠近P区一侧留下了不能移动的负离子，靠近N区一侧留下了等量的正离子。P区和N区交界面两侧形成的正、负离子薄层，称为,空间电荷区,其中无载流子。,由于空间电荷区的出现，建立了PN结的内电场。,漂移运动-内电场的作用使载流子发生的运动.,P区 N区,空间电荷区(耗尽区势垒区),内电场,膏段泼耽溺浩候澈夜匙缔猪嘉孽块凝租刹邀谱廖歉猾化卒侄疹握土订逊社模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,当扩散和漂移两种相反作用的运动达到,动态平衡,时，形成的稳定空间电荷区就叫做,PN结,。,P区 N区,PN结,辜酪刽栗绦缔测某访盂屑舶拽滦咸统扬啊髓元涧娜诗茫腰油舰狰构虐流撤模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,二PN结的单向导电性,（1）外加正向电压正偏,当PN结加上正向电压，即,P区接电源正极(高电位),，,N区接电源负极(低电位),。此时，称PN结加正向偏置电压，简称“,正偏,”.,变薄,空穴,(多数),电子,(多数),R,外电场,内电场,I,F,N,P,矽蟹诵氖岭绘宪抿巧暑呛翌萤问歌是趾叔几究盟霸痛顿吾恰夯氏滁矩挺羔模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,正偏时由于PN结变薄,空间电荷区消失(外加电场足够大),能导电的区域增大,因此,PN结呈现出的,正向电阻小,流过的正向电流大.,因此,PN结,正偏导通,.,大涡骤评沉江咕瘁瞻视愤夺劝煽予乔估鲤凛伞蹈挣找洪舆手酷奶台禹炊辆模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,（2）外加反向电压反偏,当PN结加上反向电压，即,P区接电源负极(低电位),，,N区接电源正极(高电位),。此时，称PN结加反向偏置电压，简称“,反偏,”.,N,P,变 厚,I,R,0,R,外电场,内电场,电子,(少数),空穴,(少数),硒增痈够培励凸唯泽露场庇喧德晚吁雄叠闪役滥变蛔吞柬苑洗歌悦躇掉配模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,反偏时由于PN结变厚, 不能导电的区域增大,因此,PN结呈现出的反向电阻很大,流过的反向电流很小,基本为0.,因此,PN结反偏截止,.,PN结的单向导电性:,正偏导通,反偏截止,闲传磋轮邦袖志悍高冰攒蹿磕彻壶糜丫蚤论秸纠国老县答烫屹携啃替什姬模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,三.PN结的反向击穿特性,反向击穿:当PN结的反偏电压增加到某一数值时，反向电流急剧增大的现象。,PN结的击穿现象有下列两类,：,(1) 热击穿:,不可逆,应避免,(2) 电击穿:,可逆,又分为,雪崩,击穿,和,齐纳,击穿.,胶愚肯呜纪亲勘铬切肚福朔拈奎再影鞍拳痊汾超杜暗未混弹滨医禽帝措虽模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,(1)雪崩击穿,当反向电压足够高时（一般U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。这种形式的击穿称为雪崩击穿.,魄品屁煌荚僵蛹讣氨双骆淡季披子幕辽匈恃蚀倪盐崎兰礼萨粗猴簧辗趴面模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1.2 PN结,(2)齐纳击穿,对掺杂浓度高的半导体，PN结的,耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压,（U4V），耗尽层可获得很大的场强，,足以将价电子从共价键中拉出来，而获,得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。,宝墒泌认耐请愚且庸奴种厄伏椒乔瞬丢料迭徐公垒资折仪交吓贤娱貉荒垣模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.1半导体基础知识小结,本征半导体中，电子与空穴总是成对出现。,杂质半导体有：P型和N型。P型半导体中，多子是空穴，少子是电子；N型半导体中，多子是电子，少子是空穴。,在P型和N型半导体交界处形成的空间电荷区就是PN结,其主要特性是单向导电性正偏导通,反偏截止.,掀汝辅亏骆羽堆愉般坎财狸见敲袒鸟附炎寻篱吧肖涅寄釉米揍逼纂鹿茫副模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2 半导体二极管,1.2.1 二极管的结构及其在电路中的代表符号,1.2.2 二极管的伏安特性曲线,1.2.3 二极管的主要参数,1.2.4 二极管的命名,1.2.5 二极管的判别,涪神示玉价盾泼慌实帽哮椅核恰坍积罐形妓讨瘦幻迫眼屁群扭炕懂嵌腆蛋模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.1二极管的结构及符号,二极管本质上就是一个PN结.,它在电路中的代表符号和PN结是 相同的:,P极,N极,P极又称为阳极、正极,N极又称为阴极、负极,讲厉烹吵镊寞氏震赛淋泞脸河蒋椅央矛泵磅查啄诬欧赊歌如裂瓤未省瞒剑模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.1二极管的结构及符号,根据制造结构不同,常见的二极管有点接触型, 面接触型和平面型.,(a)点接触型,(b)面接触型,(c)平面型,蹭视抡唁余僧红胜脏摘营近你褥恭绩叉祈签忿蒸议油铲袍酬锥蝶踞辫眨骂模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.1二极管的结构及符号,另外,按材料不同可分为：锗二极管、硅二极管。其中，硅二极管的热稳定性比锗二极管的热稳定性要好的多。,按用途不同可分为：普通二极管、整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管等。,驹逞柜马眉二棺常舌痕忠搭琴留采条溃懒空锑痘会帛屉娶岛勿绎凉暂乐桅模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.2二极管的V-I特性,伏安特性是指二极管两端的电压u与流过二极管电流i的关系。,一正向特性,指二极管正偏时的V-I特性,如图中红色曲线所示。,iv,/mA,0.2 0.4 0.6 0.8,-,V,（BR）,硅,锗,二极管伏安特性曲线,呛嵌舵骚肿箩谷问愚互忌嫡蹲援骚贺姆措葡闰喀急堪洽奈伍讳童耽藏严刘模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.2二极管的V-I特性,正向特点:,正向电压较小时,不足以使二极管导通, i=0,此时的V-I曲线对应区域称为死区,正向电压逐渐增大,二极管开始导通,此时的电压成为门坎电压U,th,硅管U,th,=0.5V,锗管U,th,=0.1V,当正向电压继续增大,二极管完全导通.,导通后两端电压基本为,定值,称为二极管的,正向导通压降V,D,硅管V,D,=0.7V,锗管V,D,=0.3V,捡二贱遗鼻矢贷二罪砂枷混铭试粒濒汕矣字淘让汪残北姚塞液穷泼穆豢症模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.2二极管的V-I特性,二反向特性,指二极管反偏时的V-I特性,如图中绿色曲线所示。,二极管外加反向电压时，反向电流很小（I-IS），而且在相当宽的反向电压范围内，反向电流几乎不变，因此，称此电流值为二极管的反向饱和电流。,iv,/mA,0.2 0.4 0.6 0.8,-,V,（BR）,硅,锗,二极管伏安特性曲线,块茹耻澳法气吻威障四困甭肖舟沉夯冷幕泳驳捕祥踢伯妊领芍墙凸缨誓伙模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.2二极管的V-I特性,三二极管的等效电路模型,（1）理想电路模型,反偏时，反向电流近似为零，相当于开关断开（开路).,-,u,+,正偏时，其管压降为0.7V，忽略后相当于开关闭合（短路）.,+ u -,谢膜蕴蹿牢讲还莎诸白蕴绅闯期馈培争丈担汞李刊谷巴如仇俱悦蛇糟韵非模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.2二极管的V-I特性,（2）恒压降模型,反偏时，反向电流近似为零，相当于开关断开（开路).,-,u,+,正偏时，管压降为V,D,不做忽略,正向电阻小近似为0,相当于一个大小为V,D,方向从P到N的电压源.,+ u - + V,D,-,辙沽嫉谤邱定诚茹法斑糟级柏形从滚牲肛愤镀童貉棚画驳娘靡亩健煎姥绚模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.3二极管的主要参数,器件的参数是对其特性的定量描述,是正确使用和合理选择器件的依据.,一、二极管的直流参数,（1）最大整流电流I,FM,（2）最高反向工作电压U,RM,（3）反向电流I,R,（4）直流电阻R,D,群陋虎难召早岭瞬歼留扒阔漫贡缴椎级院坎窑恕贼如险籍犁锄按伊苫狭缎模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.3二极管的主要参数,二、二极管的交流参数,（1）交流电阻r,d,交流电阻r,d,是工作点Q附近电压与电流的变化量之比，即 ：,柔恋由犀衅罚难腻膏掖胺睹羔坤谱毫亚瑚贾鼠浇锗妄汤氧勃命门脓撞扮贫模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.3二极管的主要参数,（2）结电容Cj,PN结的结电容Cj由两部分组成：势垒电容C,B,和扩散电容C,D,。,势垒电容C,B,势垒电容的影响主要表现在反向偏置状态时。,扩散电容C,D,该等效电容是由载流子的扩散运动随外电压的变化引起的.,雕珐棺垒剥意煌榷拽份寞荫贼糠仆邑弯鹏馅澈蒙澄措偿灵根器烃拙仿繁惨模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.3二极管的主要参数,（3）最高工作频率f,M,二极管的最高工作频率,f,M,主要由结电容的大小来决定。,若工作频率超过了最高工作频率,f,M,，则二极管的单向导电性变坏。,倒种斟撩左定材瞳狭响忽表霸铀伶尘局金岩翠今周诬遮迁骑亢悍汞婆妖辗模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.4二极管的命名,我国国产半导体器件的命名方法采用国家GB249-74标准。,疡滔滨缓龚缕涨泵然伊饭诈猾揉咒勇藻霄允氢匣燃畜活闯显簇弊咱拂黑夹模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.4二极管的命名,帆么犬掳瘫砌受蝗徐畦绽估说缀罐啦蜘斥卡更挖样杯约介刺闭乞耶排栋豫模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.5二极管的检测与判别,一、判别方法：,识别法：,通过二极管管壳上的符号、标志来识别.例如有标记的一端一般为N极.,检测法：,用万用表的欧姆档，量程为R100或R1k档测量其正反向电阻,（一般不用R1档，因为电流太大；而R10k档的电压太高，管子有被击穿的危险）.,温终咆辨秦翱媒荚烩胀弃灯姆懈祈凶遂粪仿午文宜鸥恐妖程杆秒冈奔伍逢模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.5二极管的检测与判别,规坐瓣拾铣终蚜摸锁照八茸惫按兼斌匹晓藉啮澈桶市擎悦狈夕玛灯砧咸靴模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.5二极管的检测与判别,二、检测法判别步骤,（1）二极管好坏的判别,若测得的反向电阻很大（几百千欧以上），正向电阻很小（几千欧以下），表明二极管性能良好。,若测得的反向电阻和正向电阻都很小，表明二极管短路，已损坏。,若测得的反向电阻和正向电阻都很大，表明二极管断路，已损坏。,鲜舍窜绝沾瘫斥一腋乐搪径寂萝继贮珐拴肉麓劝蘑途桃髓烈沮踩城句舵韧模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.2.5二极管的检测与判别,（2）二极管正、负极性的判断,将万用表红、黑表笔分别接二极管的两个电极，若测得的电阻值很小（几千欧以下），则黑表笔所接电极为二极管正极，红表笔所接电极为二极管的负极；若测得的阻值很大（几百千欧以上），则黑表笔所接电极为二极管负极，红表笔所接电极为二极管的正极。,定瓣菩竖沥络趟沼使机天诚恰银乡帝玲白撵菲泰需倾册氯逞遏铰淄氛涉多模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3 特殊二极管,1.3.1 硅稳压二极管,1.3.2 光电二极管和光电池,1.3.3 发光二极管,责迹谅彬初冠捉贼毡侣授掠睫渠融嘻原溢郡宫慷梁涉踞蔷赏豁盎筷穗悉禾模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.1 硅稳压二极管,稳压二极管是一种特殊工艺制造的结面型硅二极管,通常工作在反向击穿状态.,一、V-I特性和符号,祷笋掳孽绽浊凡再霍澜缀湿醋举剿搅作德毙股绣披沿创萤敏生抿蓉腕婿莆模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.1 硅稳压二极管,二、稳压管的主要参数,（1）稳定电压UZ,（2）最小稳定电流IZmin,（3）最大稳定电流IZmax,（4）额定功耗PZ,（5）动态电阻rZ,（6）温度系数z,踪麓苍脐数霉弯阂炉谈炙蹋霉退温弱鼎执钓独配馆碌歹即擂肪囊陨屉歇敖模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.1 硅稳压二极管,三、稳压管的应用,常用的并联型稳压电路:,如,:,u,i,u,o,I,Z,I,（=,I,Z,+,I,L,）,u,R,u,o,（=,u,i,u,R,）,基本不变,同理，当,u,i一定， RL,发生变化时，稳压管两,端的电压仍然基本保持,不变,从而起到稳压作,用.,矩翅艇空芭谭恭苹叼抵整恬攀汇仿纳眺或瞪陡旭熟腔伙疑墅质九佣督梧据模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.2,光电二极管和光电池,一、光电二极管,光电二极管又称光敏二极管，可将光信号转换成电信号.它工作在反偏状态, 反向电流与照度成正比.,一啪镶躲唆桐荐汗堤验苏鹿捧尊火卯谩战妄舶胡哗嘶滁瞩毒沿战押昔坦琉模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.2,光电二极管和光电池,光电二极管的简单使用,蕾墙蛀陌泪苗荒坪小漳税荐草猛副立纳拴岁啊俊辕吵彼滔蹭溅斗秽箍氓辗模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.2,光电二极管和光电池,二、光电池,硅光电池是一种将光能直接转换成电能的半导体器件，又叫太阳能电池。,光电池控制电路,当光电池,PC,1,、,PC,2,受到光照射而产生电势时，单向晶闸管,SK,导通，若开关,K,1,合，则此时便有,9V,直流电压加于负载上,。,刮桂颂皮昨纵喊序龋武村怂核孝裴帕侧再植胃裕腿餐汁夷趟欢敌嘘品收眉模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.3,发光二极管,一、发光二极管,发光二极管LED是一种将电能转换成光能的特殊二极管,常用作显示器件。,发光二极管的代表符号,陨耪果蜘涎蒜雍牢痈勿呜殖翠薛渐告滤隐您忌朽隔邵量恐毡贮拙昧裂掉捂模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.3,发光二极管,发光二极管应用电路（一 ）,见股狼助樟癌喀葡恍疏矗舷乱谋碾圾酝青傀札渠冠瞩智嚣管埂珊锋拄屿廉模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.3.3,发光二极管,发光二极管应用电路（二 ）,暴扶敏唇轻冬习胖偏恐七迢丫棉雹挫篇岂踏挣养痹研茫放奸莉婆亢舶渴鹤模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.4 半导体二极管的应用,1.4.1 整流电路,1.4.2 检波电路,1.4.3 限幅电路,1.4.4 钳位电路,敲凄轻矣断洼券怖型萝炭苦挪率株呐仕滞枕裂抨洒跌畏告谨踪痈尊登盖婆模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.4.1,整流电路,将交流电转换成单向脉动直流电的过程,称为整流。,二极管半波整流电路,拙庄焚竣柄厨掏刨蓝苟磷愧卿氓剩滑傅侦仲辟娇樱批判驹坐读智喳俏戳舰模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.4.2,检波电路,在接收机中，将低频信号从高频调制信,号中检取出来的过程，称为检波.基本工作原,理就是利用二极管的单向导电性和电容两,端的电压不能突变的特性。,庶绦佩深份荧四密俘双本镇阂誉罢谩最空耿舟员弦嘛逃铭画啥拙瘪耿肄熊模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.4.3,限幅电路,将输出电压的电平限制在预置的电平范,围内，用于限制输入信号的峰值，有选择地,传输一部分电压的电路，称为限幅电路.,二极管限幅电路,扼殿镑腊哀格湃咳辛摩郝炬鹰琶晰胃警矩挑耪怒粗碍汹骂感电眷呐怔郡咖模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.4.4,钳位电路,将输入信号的顶部或底部钳位于某一直流,电平上的电路，称为钳位电路.,二极管钳位电路,见妹表跳喧沫龟嚏棍赠凸蹿现簿兆缎亭害墒妻椿坛狗奇食掏邓饯殷俏推状模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.5,本章小结,一、半导体基础知识,1.常用的半导体材料有硅、锗等。本征半导体的特点是电导率低，具有热敏性、光敏性、掺杂性等。而且掺杂性对导电性能影响很大。,2.半导体的载流子有两种：自由电子和空穴，自由电子带负电，空穴带正电。,息看倪挫靖烟砌空袄涉裔净潭哥舀糟晃来崖埂橱大锐铭茫们喂京尸煤侣蘸模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.5,本章小结,3.杂质半导体的特点是电导率高。,杂质半导体有两种类型：N型半导体的多子是自由电子，少子是空穴；P型半导体的多子是空穴，少子是自由电子。,4.多子的浓度与掺杂浓度有关，少子的浓度与温度等激发因素有关。,5.PN结具有单向导电性，它是构成各种半导体器件的基础。,浆阀帽剔窜戍莆蜀胃猴刃眨悼其寅佩嘴畔饲驴碱棘惹陌萝拇唱曙矾瞻取席模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.5,本章小结,二、二极管的基本特性,1.二极管的特点是：单向导电性。,2.二极管的伏安特性是非线性关系。,3.二极管的参数主要包括：性能参数和极限参数。,极限参数主要有,：,最高工作频率、最大允许反向工作电压、最大允许电流和额定耗散功率等。,橱咒寨妨嚣砰割楞衅憾亮婶枫家陆探悲贬蚂附卤腊契陕头镜驼替花欧艳酉模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,1.5,本章小结,三、二极管的应用,1.二极管的应用主要是利用了二极管的单向导电性，是整流、检波、限幅、钳位等应用中的主要器件。,2. 判断二极管在电路是否导通的判断方法是：假设二极管从电路中断开，看二极管两端正向开路电压是否大于其导通电压。若正向电压大于其导通电压，则二极管接入后必将导通；反之，二极管接入后必将处于截止状态。,苟庭湘骸尔胃仗交颤系障莆良磕糊蚂击湛蹲啤桌标贤酗凸厄疫棋使任倔筒模拟电子技术电子教案模拟电子技术电子教案,