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按一下以編輯母片標題樣式,按一下以編輯母片,第二層,第三層,第四層,第五層,*,SMT 檢驗規範,根據IPC-A-610D編,前 言,這一部份集合了SMT檢驗可接受標準。,在這一標準下，名詞塑膠元件用來區分于其他材質的元件，如氧化鋁/陶瓷元件或是金屬元件。,一些係數，例如錫膏厚度不能由檢驗條件決定良與不良，而是由標注來判定的。,係數（G）表示錫膏高度，即從pad頂部到元件底部的錫膏高度，它是決定焊接無鉛元件穩固性的一個主要參數。,一 點膠,標準條件等級1，2，3,焊接部位表面不能沾膠,膠正好位於兩pad點間。,通過等級1,Process indicator等級2,膠從元件底下溢出，并可以用眼睛觀察到，但是元件末端滿足最低焊接要求。,不良等級3 膠由元件底部溢出，肉眼可看到，并影響了元件底部貼裝。,二 SMT表面貼裝,（一）片式元件末端底部為焊接面,零散的片式元件，無引腳片式載體以及其它只在末端有金屬墊的物件必須滿足下表中所列不同等級的不同尺寸及錫膏高度要求。元件的寬度與Pad的寬度分別（W）和（P）。,特徵,係數,等級1,等級2,等級3,最大側邊偏移限度,A,50%（W）或50(P)，取其較小；標注,25%（W）或 25(P)，取其較小； 標注,尾部偏移,B,不允許,最小尾部連接面寬度,C,50%（W）或50(P)，取其較小,5%（W）或 5(P)，取其較小,最小側邊連接面長度,D,標注,最大錫點高度,E,標注,最小錫點高度,F,標注,錫膏厚度,G,標注,最小尾部重疊面,J,必需滿足焊接要求,元件底部連接面長度,L,標注,pad寬度,P,標注,元件末端寬度,W,標注,表1,標注,標注不能違反最低電子清潔度要求.,標注未規定的參數或尺寸可變的，決定于設計者.,標注浸潤明顯,側邊偏移（）,目標等級，,無側邊偏移,可接受等級，,側邊偏移（）小于等于元件末端寬度（W）或pad寬度（P）的50%，取較小數,可接受等級,側邊偏移（）小于等于元件末端寬度（W）或pad寬度（W)的25%，取較小數,不良等級，,側邊偏移（）大于元件末端寬度（W）或pad寬度（P）的50%，取較小數,不良等級,側邊偏移（）大于元件末端寬度（W）或pad寬度（P）的25%，取較小數,尾部偏移（）,不良等級，,軸方向上的尾部偏移（）是不允許的,尾部連接面寬（）,目標等級，,尾部連接面寬（）等于元件末端寬度或pad寬度，,取較小數,可接受等級，,最小尾部連接面寬（）等于元件末端寬度或pad寬度的 ，,取較小數,可接受等級,最小尾部連接面寬（）等于元件末端寬度或pad寬度的 ，,取較小數,不良等級，,尾部連接面寬（）小于元件末端寬度或pad寬度的 ，,取較小數,不良等級,尾部連接面寬（）小于元件末端寬度或pad寬度的 ，,取較小數,側邊連接面長（）,目標等級，,側面連接面長度（）等于元件底部焊接面長度（）,可接受等級，,任意（）都可以接受如果滿足了所有焊接要求。,最大錫膏點高度（）,等級，沒有規定最大錫點高度（）要求,最小錫點高度（）,等級，沒有要求最小錫點高度（），但要有明顯錫爬坡,不良等級，,無明顯浸潤,錫膏厚度（）,可接受等級，,明顯浸潤,不良等級，,無明顯浸潤,尾部重疊面（）,可接受等級，,元件末端與pad之間的重疊面（）滿足實際焊接需要。,不良等級，,無足夠重疊,（二）片式元件矩形方形末端元件1,3或5個末端可焊面,以下標准適用於片式電阻、片式電容等元件,對於有矩形末端構造的元件的錫膏焊接，必須滿足下表中所列不同等級的不同要求。所謂的末端只有一面的，指焊錫面為元件末端垂直底面。,如下為表-2,表-2,項目,系數,等級1,等級2,等級3,最大側邊偏移,A,50%(W)或50%(P)，取較小數;標注1,25%(W)或25%(P)取較小數;標注1,尾部偏移,B,不允許,最小尾部連接面寬，標注5,C,50%(W)或50%(P)，取較小數,75%(W)或75%(P) ，取較小數,最小側邊連接面長度,D,標注3,最大錫點高度,E,標注4,最小錫點高度,F,元件末端垂直面浸潤明顯；標注6,（G）+25%（H）或（G）+0.5mm（0.02in），取較小數；標注6,錫膏厚度,G,標注3,元件末端高度,H,標注2,最小尾部重疊面,J,必要的,pad寬度,P,標注2,元件末端寬度,W,標注2,側立，標注7，8,（W）:(H),不能超過2：1,元件金屬末端和pad浸潤,pad輿元件金屬末端接觸面100%浸潤,最小尾部重疊,J,100%,最大側邊偏移,A,不允許,尾部偏移,B,不允許,元件最大尺寸,無限制,1206,元件末端表面,3或3個以上,標注1不要違反最小電子清潔度要求,標注2未規定的的參數或尺寸可變的，決定于設計者,標注3浸潤明顯,標注4錫膏可能懸垂于pad之上，並且或者延伸到元件末端金屬帽的頂部，但是沒有進一步延伸到元件本體的頂部。,標注5（C）從錫點最狹窄的點開始算起,標注6pad的設計可能會影響標准的達成，焊接可接受標准可以由使用者和廠商協商達成,標注7這些標准適用於在組裝過程中可能翻轉側立的元件,標注8對於某些,高頻率，高震動率的設備？,來說這些標准可能是難以接受的,1側邊偏移（A）,目標等級1，2，3,無側邊偏移,可接受等級1，2,側邊偏移（）小于等于元件末端寬度（W）或pad寬度（P）的50%，,取較小數,可接受等級,側邊偏移（）小于等于元件末端寬度（W）或pad寬度（P）的50%,，取較小數,不良等級，,側邊偏移（）大于元件末端寬度或pad寬度的,，取較小數,不良等級,側邊偏移（）大于元件末端寬度或pad寬度的,，取較小數,2尾部偏移（B）,目標等級1，2，3,無尾部偏移,尾部偏移（B）（續）,不良等級1，2，3,元件末端偏移于pad。,3尾部連接面寬（C）,目標等級1，2，3,尾部連接面寬（C）等于元件末端寬或pad寬,，取較小數,可接受等級1，2,尾部連接面寬（C）最小等于元件末端寬(W)或pad寬(P)的50%,，取較小數,尾部連接面寬（C）(續),可接受等級3,尾部連接面寬（C）最小等于元件末端寬(W)或pad寬(P)的75%,，,取較小數,不良等級1，2，3,小于最小可接受尾部連接面寬,4側邊連接面長（D）,目標等級1，2，3,側邊連接面長等於元件末端長,可接受等級1，2，3,不要求側邊連接面長，但要求浸潤明顯,不良等級1，2，3,無浸潤,5最大錫點高度（E）,目標等級1，2，3,最大錫膏點度等於錫膏厚度加上元件末端的高度。,可接受等級1，2，3,錫膏可能懸垂于pad之上，並且或者延伸到元件末端金屬帽的頂部，但是沒有進一步延伸到元件本體的頂部。,不良等級1，2，3,錫膏延伸到元件本體的頂部。,6最小錫點高度（F）,可接受等級1，2,元件末端垂直面有明顯錫浸潤,可接受等級3,最小錫點高度（F）等於錫膏厚度（G）加上元件末端高度（H）的25%，或等於錫膏厚度（G）加上0.5mm0.02in,不良等級1，2,元件末端垂直面無錫浸潤,不良等級3,最小錫點高度（F）小於錫膏厚度（G）加上元件末端高度（H）的25%，或小於錫膏厚度（G）加上0.5mm0.02in,不良等級1，2，3,少錫,無明顯浸潤,7錫膏厚度（G）,可接受等級1，2，3,錫浸潤明顯,不良等級1，2，3,無錫浸潤,8尾部重疊（J）,可接受等級1，2，3,元件末端與pad間的重疊面滿足焊接要求,不良等級1，2，3,尾部重疊不夠,9末端焊接異常,這一部份是為元件翻轉導致側立這種情形而制定的標準。,1）側立,可接受等級1，2，3,（W）（H）21,Pad和元件金屬焊接端浸潤明顯,元件金屬焊接端與pad100重疊,元件有三個或三個以上末端可焊面,元件金屬末端三個垂直面錫浸潤明顯,可接受等級1，2,元件尺寸有可能大于1206,不良等級1，2，3,（W）（H）21,Pad和元件金屬焊接端沒有完全浸潤,元件金屬焊接端與pad沒有100%重疊,元件有三個以下末端焊接面,元件懸垂于pad側邊或末端,不良等級3,元件尺寸大于1206,2）反白,目標等級1，2，3,element of chip component with,exposed deposited electrical element,is mounted away from the board,可接受等級1,制程指導等級2，3,element of chip component with exposed deposited electrical element is mounted toward the board,3）堆疊,以下標準在需要堆疊時適用,當元件堆疊時，一個元件末端的頂部是下一個元件的pad,對於不同元件（如電阻，電容等）的混合堆疊排列順序取決于最初設計,可接受等級1，2，3,圖樣允許,所有元件,焊接滿足表2中特徵,B到W的不同等級的可接受條件,側邊偏移不影響需要的錫膏高度？,不良等級1，2，3,圖樣不允許,所有元件焊接,不滿足表2中,特徵B到W的不同等級的可接受條件,側邊偏移影響需要的錫膏高度？,4）立碑,不良等級1，2，3,片式元件末端側立（墓碑）,（三）末端為圓柱金屬帽狀元件,對於有圓柱形末端構造的元件的錫膏焊接，必須滿足下表中所列不同等級的不同要求。表-3,項目,係數,等級1,等級2,等級3,最大側邊偏移,A,25%（W）或25(P),取其較小；標注1,尾部偏移,B,不允許,最小側邊連接寬度；標注2,C,標注4,50%（W）或50(P),取其較小,最小側邊連接長度,D,標注4，6,50%（R）或50(S),取其較小;標注6,75%（R）或75(S),取其較小;標注6,最大錫點高度,E,note5,最小錫點高度（尾部和側邊）,F,標注4,（G）+25%(W)或(G)+1.0mm0.0394in,取其較小,錫膏厚度,G,標注4,最小尾部重疊,J,標注4，6,50%（R）;標注6,75%（R）;標注6,pad寬度,P,note3,元件末端長,R,note3,pad長度,S,note3,元件末端直徑,W,note3,標注1不要違反最低電子清潔度要求,標注2 （C）從錫點最狹窄的點開始算起,標注3沒有標准化的參數，決定于元件設計,標注4浸潤明顯,標注5錫膏可能懸垂于pad之上，並且或者延伸到元件末端金屬帽的頂部，但是沒有進一步延伸到元件本體的頂部。,標注6不適用於末端底部為焊接面元件,1.側邊偏移（A）,目標等級1，2，3,無側邊偏移,可接受等級1，2，3,側邊偏移（A）小於等於元件直徑寬度（w）或pad寬度(P)的25%，取較小者,不良等級1，2，3,側邊偏移（A）大於元件直徑寬度（w）或pad寬度(P)的25%，取較小者,2.尾部偏移（B）,目標等級1，2，3,無尾部偏移（B）,不良等級1，2，3,任何尾部偏移（B）,3.尾部連接寬度,目標等級1，2，3,尾部連接寬度大於等於元件直徑（W）或pad寬(P)，取較小數,可接受等級1,尾部焊錫顯現明顯浸潤,可接受等級2，3,尾部連接寬度（C）最小等於元件直徑（W）或pad寬(P)的50%，取較小數,不良等級1,尾部焊錫未顯現浸潤,不良等級2，3,尾部連接寬度（C）小於元件直徑（W）或pad寬(P)的50%，取較小數,4.側邊連接面長度（D）,目標等級1，2，3,側邊連接面長（D）等於元件末端長（R）或pad長(S)，取較小者,可接受等級1,側邊連接面長（D）顯現明顯浸潤,可接受等級2,側邊連接面長（D）最小等於元件末端長（R）或pad長(S)的50%，取較小者,不良等級1,側邊連接面長（D）未顯現浸潤,不良等級2,側邊連接面長（D）小於元件末端長（R）或pad長(S)的50%，取較小者,不良等級3,側邊連接面長（D）小於元件末端長（R）或pad長(S)的75%，取較小者,5.最大錫點高度（E）,可接受等級1，2，3,錫膏可能懸垂于pad之上，並且或者延伸到元件末端金屬帽的頂部，但是沒有進一步延伸到元件體上。,不良等級1，2，3,錫膏延伸到元件體上,6.最小錫點高度（F）,可接受等級1，2,最小錫點高度(F)浸潤明顯,可接受等級3,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）元件圓柱末端直徑 *25%或,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）1.0mm0.039in,兩者取其小,不良等級1，2，3,最小錫點高度(F)無浸潤,不良等級3,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）元件圓柱末端直徑 *25%或,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）1.0mm0.039in,兩者取其小,7.錫膏厚度,可接受等級1，2，3,浸潤明顯,不良等級1，2，3,未明顯浸潤,8.尾部重疊（J）,可接受等級1,浸潤明顯,可接受等級2,元件末端輿pad的尾部重疊面長（J）最小等於元件末端長度（R）的50%,可接受等級3,元件末端輿pad的尾部重疊面長（J）最小等於元件末端長度（R）的75%,不良等級1，2，3,元件末端輿pad無重疊,不良等級2,尾部重疊面長（J）小於元件末端長度（R）的50%,不良等級3,尾部重疊面長（J）小於元件末端長度（R）的75%,（四）城堡形末端元件,對於末端為城堡形的無鉛片式元件的焊接方式必須滿足下表中所列不同等級的不同錫點及尺寸要求，錫點可能接觸到元件底部。表-4,項目,系數,等級1,等級2,等級3,最大側邊偏移,A,50%（W）;標注1,25%（W）；標注1,尾部重疊,B,不允許,最小尾部連接寬度,C,50%（W）,75%（W）,最小側邊連接長度，標注4,D,標注3,齒深,最大錫點高度,E,G+H,最小錫點高度,F,標注3,（G）+25%(H),（G）+50%(H),錫膏厚度,G,標注3,城堡高,H,標注2,pad長,S,標注2,城堡寬,W,標注2,標注1不能違反基本,電子清潔度要求,標注2未規定之參數，決定於設計者,標注3浸潤明顯,標注4-長度（D）取決於錫點高度（F）,1.側邊偏移（A）,目標等級1，2，3,無側邊偏移,可接受等級1，2,側邊偏移（A）最大等於城堡寬的50%,可接受等級3,側邊偏移（A）最大等於城堡寬的25%,不良等級1，2,側邊偏移（A）超過城堡寬的50%,不良等級3,側邊偏移（A）超過城堡寬的25%,1無引腳片式載體,2城堡（末端）,2.尾部偏移（B）,可接受等級1，2，3,無尾部偏移,不良等級1，2，3,尾部偏移（B）,3.最小尾部連接寬度（C）,目標等級1，2，3,尾部連接寬度（C）等於城堡寬（W）,可接受等級1，2,最小尾部連接寬度（C）等於城堡寬（W）的50%,可接受等級3,最小尾部連接寬度（C）等於城堡寬（W）的75%,不良等級1，2,尾部連接寬度（C）小於城堡寬（W）的50%,可接受等級3,尾部連接寬度（C）小於城堡寬（W）的75%,4.最小側邊連接長度（D）,可接受等級1，2，3,錫膏由城堡後端延伸到pad上，越過或正好在元件邊緣,不良等級1，2，3,錫膏沒有由城堡後端延伸到pad上，越過或正好在元件邊緣,5.最大錫點高度（E）,可接受等級1，2，3,錫膏延伸到城堡頂,標注：無最大錫點高度不良,6.最小錫點高度（F）,可接受等級1,浸潤明顯,可接受等級2,最小錫點高度（F）=錫膏厚度（G）城堡高（H）25%,可接受等級3,最小錫點高度（F）=錫膏厚度（G）城堡高（H）50%,不良等級1,未顯現明顯浸潤,不良等級2,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）城堡高（H）25%,不良等級3,最小錫點高度（F）錫膏厚度（G）城堡高（H）50%,7.錫膏厚度（G）,可接受等級1，2，3 不良等級1，2，3,浸潤明顯無明顯浸潤,