集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,*,*,三.工艺制程整合,亚微米工艺制程整合(双阱+ LOCOS+ Polycide+Al),深亚微米工艺制程整合(双阱+STI+ Salicide+Al),纳米工艺制程整合(双阱+S+ Salicide+Cu,HHN98,三.工艺制程整合,1,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,2,衬底制备,衬底选材。选用P型晶圆材料裸片做为衬底,电阻率为,812ohm/cm,晶向为,2清洗。利用化学和物理的方法清除衬底自然氧化硅的同时,将晶圆表面的杂质尘粒、有机物和金属离子,3.生长初始氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜,它是干氧氧化法,Psub,4晶圆刻号。用激光在晶圆底部凹口附近刻出晶圆的编码,5.清洗。清除激光刻号时留在晶圆表面的尘埃和颗粒,第零层光刻处理。通过微影将第零层掩膜版上的图形转移,到晶圆上,形成第零层的光刻胶图案,7.第零层刻蚀处理,8去光刻胶,HHN98,去除初始氧化层。,衬底制备,3,双阱工艺,清洗,2生长隔离氧化硅。利用炉管热氧化生长一层二氧化硅薄膜,它,是干氧氧化法。,3.PW光刻处理。通过微影技术将PW掩膜版上的图形转移到晶,圆上,形成PW的光刻胶图案,非PW区域保留光刻胶。,4量測PW套刻。收集曝光之后的PW与第零层的套刻数据,检,查PW与第零层是否对准,是否符合产品规,5.检查显影后曝光的图,PW离子注,去光刻胶。利用干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶,HHN98,双阱工艺,4,双阱工艺,NW光刻处理,量測NW套刻,收集曝光之后的NW与第零层的套刻数据,检查显影后曝光的图形,去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶,清,7.NW和PW阱推进和退火。,一如H908,双阱工艺,5,有源区工艺,去除隔离氧化层,3.生长前置氧化层,4淀积SlN4层,AA光刻处理,量測AA光刻的关键尺寸(CD)。收集刻蚀后的AA关键尺,一,寸数据,检查A关键尺寸是否符合产品规。,8量测AA套刻,收集曝光之后的A与第零层的套刻数据。,9检查显影后曝光的图形,98,P-sub,有源区工艺,6,有源区工艺,AA干法刻蚀,2去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶,量測A刻蚀关键尺寸。收集刻蚀后的AA关键尺寸数据,检查,AA关键尺寸是否符合产品规。,检査刻蚀后的图形。如果有重大缺陷,将不可能返工,要进行,5.去除氧化层,98,7,有源区工艺,7,L0cS隔离工艺,清洗,2生长 LOCOS场氧,湿法刻蚀去除S2N4,4湿法刻蚀去除前置氧化层,L0cS隔离工艺,8,阈值电压离子注入工艺,清洗,2生长牺牲层氧化硅,3.PMOS阈值电压调节(VTP)离子注入光刻处理。,4量測VTP套刻,收集曝光之后的VTP与AA的套刻数据,5.检查显影后曝光的图形,6VTP离子注入,7.去光刻胶,HHN98,阈值电压离子注入工艺,9,阈值电压离子注入工艺,1.NMOS阈值电压调节(VTN)离子注入光刻处理,2.量测VTN套刻,收集曝光之后的TN与AA的套刻数据,3.检查显影后曝光的图形,VTN离子注入,5.去光刻胶。通过干法刻蚀和湿法刻蚀去除光刻胶,清洗。,7.VTN和VP退火激活。,湿法刻蚀去除牺牲层氧化硅。,w国,10,阈值电压离子注入工艺,10,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,11,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,12,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,13,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,14,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,15,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,16,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,17,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,18,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,19,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,20,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,21,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,22,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,23,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,24,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,25,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,26,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,27,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,28,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,29,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,30,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,31,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,32,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,33,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,34,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,35,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,36,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,37,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,38,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,39,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,40,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,41,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,42,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,43,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,44,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,45,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,46,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,47,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,48,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,49,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,50,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,51,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,52,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,53,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,54,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,55,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,56,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,57,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,58,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,59,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,60,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,61,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,62,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,63,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,64,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,65,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,66,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,67,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,68,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,69,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,70,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,71,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,72,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,73,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,74,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,75,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,76,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,77,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,78,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,79,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,80,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,81,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,82,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,83,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,84,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,85,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,86,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,87,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,88,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,89,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,90,集成电路制造工艺与工程应用工艺制程整合课件,91,