薄膜封装结构-电子器件与组件结构设计--课件

单击此处编辑母版标题样式,单击此处编辑母版文本样式,第二级,第三级,第四级,第五级,ppt课件,*,电子器件与组件结构设计,1,ppt课件,第九章 薄膜封装结构,薄膜封装概念；,薄膜材料,膜集成电路制造工艺,2,ppt课件,薄膜封装的概念,薄膜定义,利用特殊的技术手段,人为制得的、其一维尺度显著小于另外两维尺度的、具有特定性能与用途的材料,按厚度可以分为厚膜与薄膜,厚膜：几微米至几百微米,薄膜：几微米以下,薄膜封装的功能：,电气连接,元件搭载,表面改性,特殊功能,3,ppt课件,薄膜材料的应用,耐磨、防腐与装饰涂层,光学涂层,光电薄膜,微电子技术,磁存储技术,微机电系统,4,ppt课件,耐磨、防腐与装饰涂层,5,ppt课件,光学涂层材料,6,ppt课件,微机电系统中的薄膜材料,:,微型反射镜组,7,ppt课件,P-type Substrate,微电子技术中的薄膜材料,:,MOSFET,N+,N+,Polysilicon,Thin gate oxide,Thick oxides,Interconnect metal,Heavily doped region,8,ppt课件,薄膜材料,导体薄膜：一般为金属薄膜，主要用于电气连接,高电导率,与半导体接触部分能形成欧姆接触,对电路元件不产生有害影响,高热导率,良好的高温性能,大附着力,易于成膜和图形化,可进行,Au,丝、,Al,丝引线键合及焊接,9,ppt课件,薄膜材料,电阻薄膜：电阻率,100,2000,cm,金属类：,Ta,、,W,、,Cr,、,Ti,、,Ge,、,Re,合金类：,Ta-Au,、,Cr-Ti,、,Ni-Co,、,Pd-Ag,、,Ni-Cr-Al-Cu,陶瓷类,:,金属陶瓷：,Cr-SiO,、,Cr-MgF,2,、,Au-SiO,非金属陶瓷：,Ta,2,N,、,(Ti,，,Al)N,、,(Ta,，,Al)N,、,(Ti,，,Si)N,10,ppt课件,薄膜材料,介质薄膜：主要用于形成电容器和实现绝缘与表面钝化的作用,表面钝化：,SiO,2,、,Si,3,N,4,电容器：,SiO,2,(,介电常数,3.8),Si,3,N,4,(,介电常数,7),Ta,2,O,5,(,介电常数,28),Y,2,O,3,(,介电常数,16),11,ppt课件,薄膜置备方法,气相沉积,物理气相沉积：真空蒸发、溅射、离子镀、外延生长,化学气相沉积：传统,CVD,、激光,CVD,、光,CVD,、,PECVD,液相沉积,电渡,化学镀,阳极氧化,溶胶,-,凝胶,丝网印刷,12,ppt课件,薄膜材料的制备过程是,:,atom by atom,几乎所有的现代薄膜材料都是在真空或是在较低的气体压力下制备的，都涉及到,气相的产生、输运以及气相反应的过程,。,薄膜材料与真空技术,13,ppt课件,真空基本知识,真空单位,真空度的划分,Pa:N/m,2,Torr:mmHg,1Torr=133Pa,薄膜技术领域：从,10,-7,Pa,到,10,5,Pa,，覆盖了,12,个数量级,14,ppt课件,真空的获得,旋片式机械真空泵,15,ppt课件,真空的获得,分子泵,16,ppt课件,真空的获得,低温泵,17,ppt课件,薄膜制备系统,:,金属喷镀仪,18,ppt课件,金属喷镀仪的真空系统参数,真空室：,4.75,英寸,H4.75,英寸,真空泵：双级旋片机械泵,极限真空度：,6,10,-2,Pa,抽速：,0.5L/s,真空计：,皮拉尼电阻真空规,（,0.1Pa-,大气压）,19,ppt课件,薄膜制备系统,:,分子束外延设备,MBE system for Nitrides(RIBER COMPACT 21),20,ppt课件,真空室：,28,英寸,H15,英寸,极限真空：,510,-8,Torr,真空泵：,低温冷凝泵（或分子泵）,1500L/s,旋片机械泵,12L/s,真空计：电离,规,2,，热偶规,2,，皮拉尼规,2,，薄膜规,1,分子束外延设备的真空系统参数,21,ppt课件,物理气相沉积,物理气相沉积,（,physical vapor deposition,PVD,）,是利用某种物理过程,物质的热蒸发或在粒子轰击下物质表面原子的溅射，不涉及化学反应过程的，实现原子从源物质到薄膜的可控转移的薄膜（及其他材料）制备方法。,22,ppt课件,化学气相沉积,化学气相沉积（,chemical vapor deposition,CVD,）是经由气态的先驱物，通过气相原子、分子间的化学反应，生成薄膜（及其他材料）的技术手段。,23,ppt课件,蒸发法的显著特点之一是其较高的背底真空度。在较高的真空度下：,不仅蒸发出来的物质原子或分子具有较长的平均自由程，可以直接沉积到衬底表面上；,且还可以确保所制备的薄膜具有较高的纯净度。,真空蒸发法的特点,24,ppt课件,薄膜蒸发法的分类,电阻热蒸发,电子束热蒸发,电弧热蒸发,激光束热蒸发,空心阴极热蒸发,25,ppt课件,蒸发薄膜沉积法的优点与缺点,蒸发法的优点,方法和设备可以相对简单,较高的沉积速度（数十,m,/,小时）,相对较高的真空度和薄膜纯度,蒸发法的缺点,蒸发粒子的能量相对较低,26,ppt课件,溅射法制备薄膜的物理过程,利用带电荷的离子在电场中加速后具有一定动能的特点，将离子引向欲被溅射的物质制成的靶电极（阴极）,入射离子在与靶面原子的碰撞过程中将后者溅射出来,这些被溅射出来的原子将沿着一定的方向射向衬底，从而实现物质的沉积,27,ppt课件,靶材是要溅射的材料，它作为阴极,相对于真空室内其他部分处于负电位。阳极可以是接地的，也可以是浮动的,薄膜溅射沉积装置的示意图,绝缘,溅射靶,衬底,阳极,真空泵,溅射气体,辉光放电区,-V,DC,28,ppt课件,薄膜溅射法的分类,直流溅射（即二极溅射）,三极、四极溅射,磁控溅射,射频溅射,偏压溅射,反应溅射,中频孪生靶溅射和脉冲溅射,靶材：可以是纯金属、合金以及各种化合物,29,ppt课件,溅射法,蒸镀法,沉积气相的产生过程,1.,离子轰击和碰撞动量转移机制,2.,较高的溅射原子能量（,2,30eV,）,3.,稍低的沉积速率,4.,溅射原子的运动具方向性,5.,可保证合金成分，但有的化合物有分解倾向,6.,靶材纯度随材料种类而变化,1.,原子的热蒸发机制,2.,低的原子动能（温度,1200K,时约为,0.1eV,）,3.,较高的蒸发速率,4.,蒸发原子的运动具方向性,5.,蒸发时会发生元素的贫化或富集，部分化合物有分解倾向,6.,蒸发源纯度可较高,溅射与蒸镀法的原理及特性比较,30,ppt课件,溅射法,蒸镀法,气相过程,工作压力稍高,原子的平均自由程小于靶与衬底间距，原子沉积前要经过多次碰撞,1.,高真空环境,2.,蒸发原子不经碰撞直接在衬底上沉积,薄膜的沉积过程,1.,沉积原子具有较高能量,2.,沉积过程会引入部分气体杂质,1.,沉积原子能量较低,2.,气体杂质含量低,溅射与蒸镀法的原理及特性比较,31,ppt课件,定义,离子镀是一种在基片上施加偏压,即在离子对基片和薄膜发生持续轰击的条件下制备薄膜的,PVD,技术,在离子镀的过程中，沉积前和沉积过程中的基片和薄膜表面经受着相当数量的高能离子流和大量的高能中性物质的轰击,离子镀可以被看成是一种混合型的薄膜制备方法,它兼有蒸发法和溅射法的优点,离子镀法置备薄膜的物理过程,32,ppt课件,蒸发和溅射法的结合,离子镀的两个基本条件：,要有一个具有偏置电压的气体放电空间,要使被沉积的物质（金属原子、气体分子）在放电空间内部分离化,二极直流放电离子镀装置的示意图,33,ppt课件,二极直流放电离子镀,活化反应离子镀（或活化反应蒸镀（,ARE,）,射频放电离子镀,溅射离子镀（偏压溅射）,空心阴极电弧离子镀,热弧离子镀,真空阴极电弧离子镀，多弧离子镀等,离子镀可以有很多种形式，其主要区别在于其使源物质蒸发、使其蒸气离化并提高其离化率的方法,离子镀方法的分类,34,ppt课件,离子镀的主要优点在于它所制备的薄膜结构致密，且薄膜与衬底之间具有良好的附着力,离子镀具有上述优点的原因在于,:,在薄膜沉积前及沉积的同时,用离子轰击衬底和薄膜表面，可在薄膜与衬底之间形成粗糙、洁净的界面；形成均匀致密的薄膜结构。其作用与偏压溅射的作用相类似,离子镀的优点,1,35,ppt课件,离子镀的另一个优点是它可以提高薄膜对于复杂外形表面的覆盖能力，或称为薄膜沉积过程的绕射能力,离子镀具备这一特性的原因在于：,与纯粹的蒸发、溅射沉积相比，在离子镀进行的过程中，沉积原子将从与离子的碰撞中获得一定的能量，加上离子本身对薄膜的轰击，这些均会使得原子在沉积至衬底表面时具有更高的动能和迁移能力。,离子镀的优点,2,36,ppt课件,从对蒸发、溅射、离子镀三种物理气相沉积方法的主要特性参数的比较可以看出，从参与沉积的粒子的能量范围来看，离子镀技术有不同于蒸发、溅射两种方法的特点；从沉积速率来看，离子镀的沉积速率与蒸发法的沉积速率相当；从薄膜质量方面来看，离子镀方法制备的薄膜接近或优于溅射法制备的薄膜,主要物理气相沉积方法的特点的比较,37,ppt课件,方法 特性,蒸镀法,溅射法,离子镀,粒子能量,(eV),原子,0.1-1,1-10,0.1-1,（此外还有高能中性原子）,离子,-,-,数百,数千,沉积速率（,m/min,）,0.1-70,0.01-0.5,（磁控溅射可接近蒸镀法）,0.1-50,物理气相沉积方法的特点比较,38,ppt课件,方法 特性,蒸镀法,溅射法,离子镀,薄膜特点,密度,低温时密度较小，但表面光滑,密度较高,密度高,气孔率,低温时多,气孔少，但气体杂质多,无气孔，但缺陷多,附着力,不好,较好,很好,内应力,多为拉应力,多为压应力,依工艺条件而定,绕射性,差,较好,较好,物理气相沉积方法的特点比较（续）,39,ppt课件,化学气相沉积,与,PVD,时不同，,CVD,过程的气压一般较高，因为较高的压力有助于提高薄膜的沉积速率，此时,气体的流动状态处于粘滞流状态,气相分子的运动路径不再是直线,气相分子在衬底上的沉积几率不再是,100%,，,而是取决于气压、温度、气体组成、气体激发状态、薄膜表面状态等多个因素,这也决定了,CVD,薄膜可被均匀地涂覆在复杂零件的表面，而较少受到阴影效应的影响,40,ppt课件,化学气相沉积反应的类型,热解反应,如由,SiH,4,热解沉积多晶,Si,和非晶,Si,的反应,SiH,4,(g),Si(s)+2H,2,(g)(650,C),由羟基镍热解生成金属,Ni,薄膜的反应,Ni(CO),4,(g),Ni(s)+4CO(g),(180,C),还原反应,如利用,H,2,还原,SiCl,4,外延制备单晶硅薄膜的反应,SiCl,4,(g)+2H,2,(g),Si(s)+4HCl(g),(1200,C),由六氟化物制备难熔金属,W,、,Mo,薄膜的反应,WF,6,(g)+3H,2,(g),W(s)+6HF(g),(300,C),41,ppt课件,氧化反应,如利用,O,2,作为氧化剂制备,SiO,2,薄膜的氧化反应,SiH,4,(g)+O,2,(g),SiO,2,(s)+2H,2,(g)(450,C),由,H,2,O,作为氧化剂制备,SiO,2,薄膜的氧化反应,SiCl,4,(g)+2H,2,O(g),SiO,2,(s)+4HCl(g)(1500,C),岐化反应,如,GeI,2,变价为另一种更稳定的化合物和,Ge,的岐化反应,2GeI,2,(g),Ge(s)+GeI,4,(g)(300,600,C),置换反应,如将不同化合物中的元素改变结合对象得到,SiC,的反应,SiCl,4,(g)+CH,4,(g),SiC(s)+4HCl(g),(1400,C),化学气相沉积反应的类型,42,ppt课件,气相输运,如将某一物质先在高温处升华,2CdTe(s),2Cd(g)+2Te,(g),(,T,1,T,2),然后使其在低温处冷凝的可逆,反应,显然，这是一种利用物理现象的过程，但它在设备、物质传输及反应的热力学、动力学分析方面与,CVD,过程相似,一般来讲,CVD,过程的反应式总可以写成,a,A(g)+,b,B(g),c,C(s)+,d,D(g),的形式，即由一个固相和几个气相构成反应式,化学气相沉积反应的类型,43,ppt课件,(a),电阻加热,(b),感应加热,(c),红外加热,CVD,装置可使用的加热方法,44,ppt课件,厚膜材料与工艺,厚膜金属化法：在陶瓷基板上通过丝网印刷形成导体（电路布线）及电阻等，经过烧结形成电路及引线接点等。,厚膜工艺：将粒度,1,5,m,金属粉末，添加百分之几的玻璃粘结剂，再加有机载体，包括有机溶剂、粘稠剂和表面活性剂等，经过球磨混练成厚膜导体浆料，再经过烧成，导体与基板结合在一起。,45,ppt课件,陶瓷基板的制作工艺流程,46,ppt课件,半导体集成电路的特点,优点,集成度高、可靠性好,生产效率高,成本低，适合于大批量生产,缺点,很难制造出精度高、稳定性好、参数范围宽的无源器件,不同类型、性能差异大的元器件难以集成到同一衬底上,制造大功率、大电流、耐高压的器件很困难,设计周期长，工艺设备复杂、投资大,不适合多品种、小批量的生产,不适合非标准专用器件的生产,47,ppt课件,膜集成电路的特点,优点,无源元件参数范围宽、精度高、稳定性好；可调性好,高频特性好，适合于制作在极高频率和极高速度下工作的器件,易于制作高压、大电流、大功率的器件,抗辐射性能和抗干扰性能好,设计灵活，适合于多品种、小批量生产,缺点,集成度低,组装焊点多，因而可靠性可能低,对于标准化的电路，生产效率低于半导体集成电路,至今尚不能大量生产质量稳定的有源器件,48,ppt课件,微波薄膜集成电路外观,49,ppt课件,厚膜混合集成电路,由于尚不能大量、稳定地生产有源的膜元件，因此除无源器件如电阻网络，滤波器等膜集成电路一般均为混合集成电路的形式，既膜元件和其他元件组装在同一基板上。,50,ppt课件,厚、薄膜集成电路,薄膜集成电路,采用真空蒸镀、溅射、光刻为基本工艺的薄膜技术，将组成电路的电子元件以膜的形式制作在绝缘基片上所形成的集成电路,薄膜的厚度一般在,1,微米以下,真空成膜,厚膜集成电路,采用丝网漏印、等离子喷涂和高温烧结等技术在绝缘基片上制作的集成电路,厚膜的厚度一般在几微米到几十微米,非真空成膜,51,ppt课件,厚薄膜电路的材料,-,基片材料,基本要求,良好的表面光洁度，薄膜集成电路要求很高的光洁度,厚膜集成电路不需要也不应有薄膜基片的光洁度,影响厚膜元件与基片的附着力,化学稳定性,抵抗刻蚀过程的腐蚀,厚膜电路基片要求不与浆料发生化学反应,表面电阻和体电阻高,膜元件之间良好的隔离,与膜材料的热膨胀系数相匹配,减小膜与基片之间的热应力,良好的导热性,功率电路的散热,抗热冲击性好,多次加热、烧结和热处理的温度冲击中不发生破坏,52,ppt课件,薄膜电路的材料,-,基片材料,常用基片材料,单晶基片,-Al,2,O,3,、,MgO,、,TiO,2,、,SiO,2,制造成本高，只在特殊要求时使用,多晶基片,Al,2,O,3,、,BeO,等,表面粗糙，适合于厚膜电路,99.5%,的,BeO,基片的导热系数为,0.58 Cal/Sec.cm.,，是,Al,2,O,3,的,8-19,倍，适合与制作大功率和高频厚膜电路，剧毒,!,多晶基片表面上釉处理后可用作薄膜集成电路,无碱玻璃,铝硼硅系、硅钡铝硼系、硅铝系和石英,用作单晶基片,玻璃陶瓷,(,微晶玻璃,),导热率低、体电阻稍低,小功率的薄膜集成电路,53,ppt课件,薄膜电路的材料,-,薄膜导体,功能,电阻器的端头连接、电容的上下电极、元件之间的互连线,高频电感、微带线、地线等,基本要求,良好的导电率,与基片材料、介质材料和电阻材料之间良好的附着性,良好的可焊性,与薄膜制造的蒸镀、溅射等淀积工艺和光刻工艺兼容,承受大的电流密度时不发生明显的电迁移,化学稳定性、表面抗磨损性好,可电镀加厚,原料成本低；淀积工艺简单、经济,54,ppt课件,薄膜导体,(,金、银、铜,),金、银、铜,一价贵金属、面心立方结构,密度大、熔点高、化学稳定性好；导电性优良,金,薄膜电路中广泛使用的导体材料,导电性能优良，化学稳定好，可电镀加厚；良好的可焊性,与基片的附着能力弱，需要预先淀积过渡金属膜,银,良好的导电性，价格低于金。但在薄膜电路中很少使用,在大气中容易硫化，引起接触电阻增加,在电场和微量水汽环境中，产生银离子迁移现象：短路和断路,铜,优良的导体，价格远低于金和银,淀积后需要冷却到室温才能进入大气，降低了生产效率,铜芯片技术已经成为当前的热点,55,ppt课件,薄膜导体,(,铝,),三价元素；优良的导体材料，导电率次于铜,体电阻率低；易于蒸发，易于光刻,与金丝、铝丝容易键合,薄膜导体的理想材料,与基片、,SiO,、,SiO,2,等介质膜有良好的附着强度,薄膜电容的电极材料,与铬硅、镍铬等电阻薄膜接触性能良好,作为电阻引出线材料，接触电阻小,比较柔软，在工艺过程中容易出现划痕,56,ppt课件,薄膜导体,(,过渡金属,),过渡金属,Mo,、,Ir,、,Ni,、,Pd,、,Fe,、,Pt,、,W,、,Ta,、,Cr,、,Ti,、,Zr,导电性差；仅用作复合金属膜,复合金属膜,Cr-Au,铬与基片有良好的附着性，但电阻率太高,在基片上首先淀积,Cr,，然后淀积,Au,性能稳定、制作工艺简单；作为导线和焊接区,但,Cr,与,Au,之间的附着力差，焊接时容易分离,Cr-CrAu-Au,可以提高附着力，但增加了工艺成本,NiCr-Au,NiCr,合金既与基片和,Au,都有良好的附着力,在,250C,以上高温处理时，,Cr,会穿透,Au,层到达表面，污染电路,NiCr-Pd-Au,可以经受,550,的高温处理,NiCr-Cu-Pd-Au,：减少用金量,57,ppt课件,薄膜电阻,(,合金,),基本要求,与其他薄膜元件如电容、导线的制造工艺兼容,良好的工艺性,稳定的电性能,化学稳定性好，材料和工艺成本低,合金薄膜电阻,NiCr,最早的薄膜电阻材料，工艺成熟、简单,性能稳定，温度系数和噪声低,常用,80%Ni,和,20%Cr,，采用真空蒸发工艺,通过掺杂,Al,、,Cu,、,Be,、,Bi,、,Sn,等改善性能,CrCo,、,WRu,：较低的温度系数,BeNi,：较好的耐高温性能,NiP,：宽的方电阻范围,58,ppt课件,薄膜电阻,钽和钽基合金,难熔金属，再结晶温度高，保证膜元件的稳定性,与钨、钼、钛相比，钽膜的性能最好；应用最为广泛,普通的真空蒸镀工艺难以对钽进行淀积，多采用溅射工艺,根据溅射工艺条件，可获得不同的钽膜结构,钽膜：电阻率,2550,cm,钽膜：电阻率,180220,cm,，温度系数优于,膜,低密度钽膜：电阻率,5000,cm,，为网孔结构,氮化钽薄膜：电阻率,250,cm,，可以得到零温度系数的膜,金属陶瓷薄膜电阻,Au-MgF,、,Au-SiO,2,、,Cr-SiO,2,具有高的电阻值,59,ppt课件,厚膜电路基片,Al,2,O,3,Al,2,O,3,含量越多，性能越好,99.5%Al,2,O,3,的陶瓷基片，广泛应用于微波电路,96%Al,2,O,3,的陶瓷，性能已足够，在厚膜电路中大量应用,导热率,20W/(m,K),，接近铝,BeO,导热性优于铝，仅次于铜，是,Al,2,O,3,的,819,倍,是制作大功率、高频混合集成电路的理想基片材料,制造成本高，高温下有剧毒,AlN,抗弯强度高于,Al,2,O,3,，而硬度是其,1/2,，因此可加工成复杂的形状,重量比,Al,2,O,3,可减小,20%,；与硅的热膨胀系数相近,铝,采用阳极化方法在表面形成氧化膜作为绝缘；导热好、成本低,钢,表面涂敷玻璃釉绝缘层；价格低、制造工艺简便，通孔制作方便，形状尺寸灵活,60,ppt课件,厚膜导体浆料,厚膜导体浆料组成,金属粉末,含量,80%,以上,高温烧结时在基片表面形成网状结构金属层,玻璃粉末,作用：使网状结构金属牢固地附着在基片上,多采用含硅量低、流变性好的硼硅酸铅玻璃,有机介质,载体，粘结玻璃粉末和金属粉末成悬浮状，使浆料可印刷,决定了浆料的流变特性,在烧结过程中全部蒸发和燃烧掉,61,ppt课件,厚膜导体的附着机理,附着机理,金属粒子由热扩散和粘性流动而连接，形成网状结构,金属与陶瓷基片的结合很弱,熔化的玻璃可以润湿陶瓷基片表面，产生连接,玻璃渗入金属网状结构中，形成机械连接,Al,2,O,3,陶瓷基板,玻璃,烧结金属,厚膜导体表面形态,62,ppt课件,厚膜导体材料,(Ag),Ag,由金属银及其氧化物组成,与陶瓷基片的可形成牢固的结合,导电性良好；可焊性良好,在电场和湿气共同作用下发生银离子迁移,容易与电阻浆料发生作用，产生气泡,一般在其中加入其他金属以抑制缺陷,Ag-Pd,加入钯可以较好地抑制银离子的迁移；含量越高、作用越好,良好的钎焊性能和与铝丝、金丝的热压接性,具有良好的印刷性能，适合高速印刷,当,Pa,的含量超过,25%,时，电阻率太大,Ag-Pt,同样的抑制效果时，含量可以比,Pd,小,高速印刷性能较,Ag-Pd,差,63,ppt课件,厚膜导体材料,(Au),Au-Pd,电迁移性和与电阻浆料的反应非常小,良好的导电性,软钎焊性、金丝热压焊性、与硅片的共晶钎焊性良好,价格贵,Au-Pt,良好的耐软钎焊性；,Pt,原子体积大，扩散速度低,价格昂贵,Au,化学稳定性、导电性良好,图形分辨率高，适合于细线工艺,耐软钎焊性差；与锡产生脆性金属间化合物,与电阻端头有不良反应,价格高,64,ppt课件,厚膜导体材料,(Cu),Cu,导体的特点,价格低；导热性、导电性良好,与基片的附着能力强,直流电阻极低、射频损耗小；良好的抗辐射性,无金属离子迁移问题,软钎焊性和耐软钎焊性良好,工艺性能差，必须在氮气保护下烧结，增加了工艺成本,65,ppt课件,铜直接键合基板,Cu-Al,2,O,3,-Cu,O,2,66,ppt课件,聚合物厚膜导体,特点,含有聚合物树脂,加工温度低,(120-165,),可用于塑料基片上,组成,聚合物,丙烯酸、聚脂、乙烯系聚合物；环氧、聚酰亚胺、酚醛,功能材料,(60-80%),银、银钯,溶剂,67,ppt课件,厚膜电容介质,陶瓷玻璃复合介质,陶瓷粉末为主要材料，玻璃作为粘合剂,微晶玻璃,聚合物介质,68,ppt课件,薄膜混合电路制造,蒸镀、溅射方法制作薄膜,线路定型,-,平面设计,-,掩膜设计与制造,导体,(,互连线、电容下电极、电感、焊接区,),淀积,电阻淀积,-,电阻测量与调整,-,电阻热处理,电容介质淀积或阳极化,-,上电极及互连线淀积测量调整,-,热处理,保护层淀积,-,测量,-,外贴元件焊接,-,电路测试,封装,69,ppt课件,厚膜混合电路制造,基片、浆料制备,-,印刷底层导体及电容下电极,-,烧结,介质浆料制备,-,印刷电容介质及交叉介质,-,干燥,印刷上层导体及电容上电极,-,干燥,-,介质、导体组合同时烧结,电阻浆料制备,-,印刷电阻,-,烧结,-,阻值调整,印刷保护层,-,烧结,-,测量,-,外贴元件组装,测试,-,封装,70,ppt课件,作业,1,、混合集成电路的特点,2,、金、银、铜、铝、镍、钨、钼的基本性质,导电率、导热率、热膨胀系数、熔点、密度,3,、,Al,2,O,3,陶瓷基板材料的基本性质,介电常数、密度、导热率、热膨胀系数,71,ppt课件,复习题,比较半导体集成电路与膜集成电路的特性,常用薄膜电路基板、厚膜电路基板的材料和特点,常用薄膜导体材料及特点,常用厚膜导体材料及特点,厚膜导体与基板的附着机理,薄膜中间层材料及特点,薄膜电路和厚膜电路在制造工艺上的区别,72,ppt课件,