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半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第第1 1章章 半导体二极管及其半导体二极管及其应用电路应用电路1.1PN结结1.2半导体二极管半导体二极管1.3整流滤波电路整流滤波电路1.4特殊二极管特殊二极管半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.1PN结结1.1.1半导体的基础知识半导体的基础知识图1.1表示的是由二极管、灯泡、限流电阻、开关及电源等组成的简单电路。电路演示如下:按图1.1(a)所示,闭合开关S,灯泡发光,说明电路导通。若二极管管脚调换位置,如图1.1(b)所示,闭合开关S,灯泡不发光,由以上演示结果可知:二极管具有单向导电性。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.1半导体二极管导电性能的实验半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1半导体的特性半导体的特性自然界中的各种物质,按导电能力划分为:导体、绝缘体、半导体。半导体导电能力介于导体和绝缘体之间。它具有热敏性、光敏性和掺杂性。利用光敏性可制成光电二极管和光电三极管及光敏电阻;利用热敏性可制成各种热敏电阻;利用掺杂性可制成各种不同性能、不同用途的半导体器件,例如二极管、三极管、场效应管等。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2半导体的共价键结构半导体的共价键结构在电子器件中,用得最多的材料是硅和锗,硅和锗都是四价元素,最外层原子轨道上具有4个电子,称为价电子。每个原子的4个价电子不仅受自身原子核的束缚,而且还与周围相邻的4个原子发生联系,这些价电子一方面围绕自身的原子核运动,另一方面也时常出现在相邻原子所属的轨道上。这样,相邻的原子就被共有的价电子联系在一起,称为共价键结构。如图1.2所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.2硅和锗的共价键结构半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路当温度升高或受光照时,由于半导体共价键中的价电子并不像绝缘体中束缚得那样紧,价电子从外界获得一定的能量,少数价电子会挣脱共价键的束缚,成为自由电子,同时在原来共价键的相应位置上留下一个空位,这个空位称为空穴,如图1.3所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.3本征激发产生电子空穴对示意图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路自由电子和空穴是成对出现的,所以称它们为电子空穴对。在本征半导体中,电子与空穴的数量总是相等的。我们把在热或光的作用下,本征半导体中产生电子空穴对的现象,称为本征激发,又称为热激发。由于共价键中出现了空位,在外电场或其他能源的作用下,邻近的价电子就可填补到这个空穴上,而在这个价电子原来的位置上又留下新的空位,以后其他价电子又可转移到这个新的空位上,如图1.4所示。为了区别于自由电子的运动,我们把这种价电子的填补运动称为空穴运动,认为空穴是一种带正电荷的载流子,它所带电荷和电子相等,半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路符号相反。由此可见,本征半导体中存在两种载流子:电子和空穴。而金属导体中只有一种载流子电子。本征半导体在外电场作用下,两种载流子的运动方向相反而形成的电流方向相同,如图1.5所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.4电子与空穴的移动半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.5两种载流子在电场中的运动半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3杂质半导体杂质半导体1)N型半导体在纯净的半导体硅（或锗）中掺入微量五价元素（如磷）后,就可成为N型半导体,如图1.6(a)所示。在这种半导体中,自由电子数远大于空穴数,导电以电子为主,故此类半导体亦称电子型半导体。2)P型半导体在硅（或锗）的晶体内掺入少量三价元素杂质,如硼（或铟）等。硼原子只有3个价电子,它与周围硅原子组成共价键时,因缺少一个电子,在晶体中便产生一个半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路空穴。这个空穴与本征激发产生的空穴都是载流子,具有导电性能。P型半导体共价键结构如图1.6(b)所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.6掺杂质后的半导体(a)N型半导体；(b)P型半导体半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路在P型半导体中,空穴数远远大于自由电子数,空穴为多数载流子(简称“多子”),自由电子为少数载流子(简称“少子”)。导电以空穴为主,故此类半导体又称为空穴型半导体。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.1.2PN结及其单向导电特性结及其单向导电特性1.PN结的形成结的形成在一块完整的晶片上,通过一定的掺杂工艺,一边形成P型半导体,另一边形成N型半导体。在交界面两侧形成一个带异性电荷的离子层,称为空间电荷区,并产生内电场,其方向是从N区指向P区,内电场的建立阻碍了多数载流子的扩散运动,随着内电场的加强,多子的扩散运动逐步减弱,直至停止,使交界面形成一个稳定的特殊的薄层,即PN结。因为在空间电荷区内多数载流子已扩散到对方并复合掉了,或者说消耗尽了,因此空间电荷区又称为耗尽层。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.PN结的单向导电特性结的单向导电特性在PN结两端外加电压,称为给PN结以偏置电压。1)PN结正向偏置给PN结加正向偏置电压,即P区接电源正极,N区接电源负极,此时称PN结为正向偏置(简称正偏),如图1.7所示。由于外加电源产生的外电场的方向与PN结产生的内电场方向相反,削弱了内电场,使PN结变薄,有利于两区多数载流子向对方扩散,形成正向电流,此时PN结处于正向导通状态。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.7PN结加正向电压半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2)PN结反向偏置给PN结加反向偏置电压,即N区接电源正极,P区接电源负极,称PN结反向偏置(简称反偏),如图1.8所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.8PN结加反向电压半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路由于外加电场与内电场的方向一致,因而加强了内电场,使PN结加宽,阻碍了多子的扩散运动。在外电场的作用下,只有少数载流子形成的很微弱的电流,称为反向电流。应当指出,少数载流子是由于热激发产生的,因而PN结的反向电流受温度影响很大。综上所述,PN结具有单向导电性,即加正向电压时导通,加反向电压时截止。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2半导体二极管半导体二极管1.2.1半导体二极管的结构、符号及类型半导体二极管的结构、符号及类型1结构符号结构符号二极管的结构外形及在电路中的文字符号如图1.9所示,在图1.9(b)所示电路符号中,箭头指向为正向导通电流方向。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.9二极管结构、符号及外形举例(a)结构；(b)符号；(c)外形半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2类型类型(1）按材料分:有硅二极管,锗二极管和砷化镓二极管等。(2）按结构分:根据PN结面积大小,有点接触型、面接触型二极管。(3）按用途分:有整流、稳压、开关、发光、光电、变容、阻尼等二极管。(4）按封装形式分:有塑封及金属封等二极管。(5）按功率分:有大功率、中功率及小功率等二极管。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2.2半导体二极管的命名方法半导体二极管的命名方法半导体器件的型号由五个部分组成,如图1.10所示。其型号组成部分的符号及其意义见附录一。如2AP9,“2”表示电极数为2,“A”表示N型锗材料,“P”表示普通管,“9”表示序号。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.10半导体器件的型号组成半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2.3半导体二极管的伏安特性半导体二极管的伏安特性半导体二极管的核心是PN结,它的特性就是PN结的特性单向导电性。常利用伏安特性曲线来形象地描述二极管的单向导电性。若以电压为横坐标,电流为纵坐标,用作图法把电压、电流的对应值用平滑的曲线连接起来,就构成二极管的伏安特性曲线,如图1.11所示（图中虚线为锗管的伏安特性,实线为硅管的伏安特性）。下面对二极管伏安特性曲线加以说明。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.11二极管伏安特性曲线半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.正向特性正向特性二极管两端加正向电压时,就产生正向电流,当正向电压较小时,正向电流极小（几乎为零）,这一部分称为死区,相应的A(A)点的电压称为死区电压或门槛电压(也称阈值电压),硅管约为0.5V,锗管约为0.1V,如图1.6中OA(OA)段。当正向电压超过门槛电压时,正向电流就会急剧地增大,二极管呈现很小电阻而处于导通状态。这时硅管的正向导通压降约为0.60.7V,锗管约为0.20.3V,如图1.11中AB(AB)段。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路二极管正向导通时,要特别注意它的正向电流不能超过最大值,否则将烧坏PN结。2.反向特性反向特性二极管两端加上反向电压时,在开始很大范围内,二极管相当于非常大的电阻,反向电流很小,且不随反向电压而变化。此时的电流称之为反向饱和电流IR,见图1.11中OC（OC）段。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3.反向击穿特性反向击穿特性二极管反向电压加到一定数值时,反向电流急剧增大,这种现象称为反向击穿。此时对应的电压称为反向击穿电压,用UBR表示,如图1.11中CD(CD)段。4.温度对特性的影响温度对特性的影响由于二极管的核心是一个PN结,它的导电性能与温度有关,温度升高时二极管正向特性曲线向左移动,正向压降减小;反向特性曲线向下移动,反向电流增大。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2.4半导体二极管的主要参数半导体二极管的主要参数1.最大整流电流最大整流电流IF2.最大反向工作电压最大反向工作电压URM3.反向饱和电流反向饱和电流IR4.二极管的直流电阻二极管的直流电阻R5.最高工作频率最高工作频率fM半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2.5二极管的简易测试二极管的简易测试将万用表置于R100或R1k()挡（R1挡电流太大,用R10k()挡电压太高,都易损坏管子）。如图1.12所示,半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.12万用表简易测试二极管示意图(a)电阻小；(b)电阻大半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.2.6二极管使用注意事项二极管使用注意事项二极管使用时，应注意以下事项：(1)二极管应按照用途、参数及使用环境选择。(2)使用二极管时,正、负极不可接反。通过二极管的电流,承受的反向电压及环境温度等都不应超过手册中所规定的极限值。(3)更换二极管时,应用同类型或高一级的代替。(4)二极管的引线弯曲处距离外壳端面应不小于2mm,以免造成引线折断或外壳破裂。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.3整流滤波电路整流滤波电路1.3.1整流电路整流电路1.单相半波整流电路单相半波整流电路1）电路的组成及工作原理图1.14(a)所示为单相半波整流电路。由于流过负载的电流和加在负载两端的电压只有半个周期的正弦波,故称半波整流。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.14单相半波整流电路及波形图(a)电路图；(b)波形图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）负载上的直流电压和直流电流直流电压是指一个周期内脉动电压的平均值。即(1.1)流过负载RL上的直流电流为(1.2)3）整流二极管参数由图1.14(a)可知,流过整流二极管的平均电流IV与流过负载的电流相等,即半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路（1.3）当二极管截止时，它承受的反向峰值电压URM是变压器次级电压的最大值，即（1.4）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2单相桥式整流电路单相桥式整流电路1）电路的组成及工作原理桥式整流电路由变压器和四个二极管组成,如图1.15所示。由图(a)可见,四个二极管接成了桥式,在四个顶点中,相同极性接在一起的一对顶点接向直流负载RL,不同极性接在一起的一对顶点接向交流电源。输出波形如图1.17所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.15单相桥式整流电路(a)电路画法一；(b)电路画法二；(c)电路画法三半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.16单相桥式电路的电流通路(a)u2正半周时；(b)u2负半周时半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.17桥式整流电路输出波形图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）负载上的直流电压和直流电流由上述分析可知,桥式整流负载电压和电流是半波整流的两倍。（1.5）（1.6）3）整流二极管的参数在桥式整流电路中,因为二极管V1、V3和V2、V4在电源电压变化一周内是轮流导通的,所以流过每个二极管的电流都等于负载电流的一半,即半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路桥式整流电路与半波整流电路相比,电源利用率提高了1倍,同时输出电压波动小,因此桥式整流电路得到了广泛应用。电路的缺点是二极管用得较多，电路连接复杂，容易出错，为了解决这一问题，生产厂家常将整流二极管集成在一起构成桥堆,内部结构及外形如图1.18所示。（1.7）从图1.16可知，每个二极管在截止时承受的反向峰值电压为（1.8）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.18桥堆内部结构及外形图(a)半桥堆；(b)全桥堆半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路使用一个“全桥”或连接两个“半桥”,就可代替四只二极管与电源变压器相连,组成桥式整流电路,非常方便。选用时,应注意桥堆的额定工作电流和允许的最高反向工作电压应符合整流电路的要求。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.3.2滤波电路滤波电路常见的电路形式如图1.19所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.19各种滤波电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1电容滤波电路电容滤波电路1)电路组成及工作原理图1.20(a)为单相半波整流电容滤波电路,它由电容C和负载RL并联组成。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.20半波整流电容滤波电路及波形半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路其工作原理如下:当u2的正半周开始时，若u2uC(电容两端电压)，整流二极管V因正向偏置而导通，电容C被充电：由于充电回路电阻很小，因而充电很快，uC和u2变化同步。当t=/2时，u2达到峰值，C两端的电压也近似充至u2值。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路在桥式整流电路中加电容进行滤波器与半波整流滤波电路工作原理是一样的,不同点是在u2全周期内,电路中总有二极管导通,所以u2对电容C充电两次,电容器向负载放电的时间缩短,输出电压更加平滑,平均电压值也自然升高。这里不再赘述。桥式整流电容滤波电路及波形如图1.21所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.21桥式整流电容滤波电路及波形(a)电路；(b)波形半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3)元件选择(1)电容选择:滤波电容C的大小取决于放电回路的时间常数,RLC愈大,输出电压脉动就愈小,通常取RLC为脉动电压中最低次谐波周期的35倍,即2）负载上电压的计算（半波）（1.9）（半波、全波）（1.10）（桥式、全波）（1.11）（半波）（1.12）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路4)电容滤波的特点电容滤波电路结构简单、输出电压高、脉动小。但在接通电源的瞬间,将产生强大的充电电流,这种电流称为“浪涌电流”;同时,因负载电流太大,电容器放电的速度加快,会使负载电压变得不够平稳,所以电容滤波电路只适用于负载电流较小的场合。(2)整流二极管的选择。正向平均电流为（半波）（1.13）（桥式）（1.14）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.电感滤波电路电感滤波电路电感线圈L和负载的串联电路,同样具有滤波作用,电路如图1.22所示。整流滤波输出的电压,可以看成由直流分量和交流分量叠加而成。因电感线圈的直流电阻很小,交流电抗很大,故直流分量顺利通过,交流分量将全部降到电感线圈上,这样在负载RL得到比较平滑的直流电压。电感滤波电路的输出电压为(1.17)半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.22桥式整流电感滤波电路及波形(a)电路；(b)波形半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.4特殊二极管特殊二极管前面主要讨论了普通二极管,另外还有一些特殊用途的二极管,如稳压二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管等,现介绍如下。1稳压二极管稳压二极管1）稳压二极管的工作特性稳压二极管简称稳压管,它的特性曲线和符号如图1.23所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.23稳压二极管的特性曲线和符号(a)伏安特性曲线；(b)符号半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）稳压二极管的主要参数(1)稳定电压UZ。稳定电压UZ即反向击穿电压。(2)稳定电流IZ。稳定电流IZ是指稳压管工作至稳压状态时流过的电流。当稳压管稳定电流小于最小稳定电流IZmax时,没有稳定作用;大于最大稳定电流IZmax时,管子因过流而损坏。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2发光二极管发光二极管发光二极管与普通二极管一样,也是由PN结构成的,同样具有单向导电性,但在正向导通时能发光,所以它是一种把电能转换成光能的半导体器件。电路符号如图1.24所示。图1.24发光二极管电路符号半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1）普通发光二极管普通发光二极管工作在正偏状态。检测发光二极管,一般用万用表R10k()挡,方法和普通二极管一样,一般正向电阻15k左右,反向电阻为无穷大。2）红外线发光二极管红外线发光二极管工作在正偏状态。用万用表R1k()挡检测,若正向阻值在30k左右,反向为无穷大,则表明正常,否则红外线发光二极管性能变差或损坏。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3）激光二极管根据内部构造和原理,判断激光二极管好坏的方法是通过测试激光二极管的正、反向电阻来确定好坏。若正向电阻为2030k,反向电阻为无穷大,说明正常,否则,要么激光二极管老化,要么损坏。3光电二极管光电二极管光电二极管工作在反偏状态,它的管壳上有一个玻璃窗口，以便接受光照。光电二极管的检测方法和普通二极管的一样,通常正向电阻为几千欧,反向电阻为无穷大。否则光电二极管质量变半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路差或损坏。当受到光线照射时,反向电阻显著变化,正向电阻不变。图1.25光电二极管电路符号4变容二极管变容二极管变容二极管是利用PN结电容可变原理制成的半导体器件,它仍工作在反向偏置状态。它的压控特性曲线和电路符号如图1.26所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图1.26变容二极管的压控特性曲线和电路符号(a)电路符号；(b)压控特性曲线半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第第2章章半导体三极管及其半导体三极管及其放大电路放大电路2.1半导体三极管半导体三极管2.2放大电路的基本概念放大电路的基本概念2.3放大电路的失真现象分析放大电路的失真现象分析2.4放大电路的偏置方式放大电路的偏置方式2.5放大电路性能指标的估算放大电路性能指标的估算2.6多级放大电路多级放大电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.1半导体三极管半导体三极管2.1.1三极管的结构与分类三极管的结构与分类1三极管的结构与电路符号三极管的结构与电路符号三极管的结构示意图如图2.1（a）所示,它是由三层不同性质的半导体组合而成的。按半导体的组合方式不同,可将其分为NPN型管和PNP型管。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.1三极管的结构示意图与电路符号（a）结构示意图;（b）电路符号半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路无论是NPN型管还是PNP型管,它们内部均含有三个区:发射区、基区、集电区。从三个区各引出一个金属电极分别称为发射极（e）、基极（b）和集电极（c）;同时在三个区的两个交界处形成两个PN结,发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,集电区与基区之间形成的PN结称为集电结。三极管的电路符号如图2.1（b）所示,符号中的箭头方向表示发射结正向偏置时的电流方向。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2三极管的分类三极管的分类三极管的种类很多,有下列5种分类形式：(1)按其结构类型分为NPN管和PNP管;(2)按其制作材料分为硅管和锗管;(3)按工作频率分为高频管和低频管;半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3三极管的外形结构常见三极管的外形结构如图2.2所示。图2.2常见三极管的外形结构半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.1.2三极管的电流分配与放大作用三极管的电流分配与放大作用三极管实现放大作用的外部条件是发射结正向偏置,集电结反向偏置。图2.3（a）为NPN管的偏置电路,半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.3三极管具有放大作用的外部条件半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.4三极管内部载流子的运动情况半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.三极管的电流放大作用三极管的电流放大作用由于固有当ICBO可以忽略时，上式可简化为把集电极电流的变化量与之比定义为三极管的共发射极交流电流放大系数，其表达式为半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.6三极管的电流分配关系(a)NPN型三极管;(b)PNP型三极管半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.1.3三极管的特性曲线三极管的特性曲线三极管的特性曲线是指各电极间电压和电流之间的关系曲线。图2.7三极管特性曲线的测试电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1输入特性曲线输入特性曲线三极管的输入特性曲线如图2.8(a)所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.8三极管的特性曲线(a)输入特性曲线;(b)输出特性曲线半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1)当uCE时从输入端看进去,相当于两个结并联且正向偏置,此时的特性曲线类似于二极管的正向伏安特性曲线。2)当uCE1时从图中可见,uCE的曲线比uCEV时的曲线稍向右移2输出特性曲线输出特性曲线输出特性曲线如图2.8(b)所示,该曲线是指当iB一定时,输出回路中的iC与uCE之间的关系曲线,用函数式可表示为半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1）放大区2）饱和区3）截止区2.1.4三极管的主要参数三极管的主要参数三极管的参数是用来表征其性能和适用范围的,也是评价三极管质量以及选择三极管的依据。常用的主要参数有:1）电流放大系数2）反向饱和电流ICBO3）穿透电流ICEO半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路4）集电极最大允许电流ICM5）集电极发射极间的击穿电压U（BR）CEO6)集电极最大耗散功率PCM集电极最大耗散功率是指三极管正常工作时最大允许消耗的功率。4温度对三极管的特性与参数的影响1）温度对uBE的影响三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性曲线相似,温度升高,曲线左移,如图2.9（a）所示。在iB相同的条件下,输入特性随温度升高而左移,使uBE减小。温度每升高1,uBE就减小22.5mV。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.9温度对三极管特性的影响（a）温度对输入特性的影响;（b）温度对输出特性的影响半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）温度对ICBO的影响三极管输出特性曲线随温度升高将向上移动。3）温度对的影响温度升高,输出特性各条曲线之间的间隔增大。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.1.5三极管的判别及手册的查阅方法三极管的判别及手册的查阅方法要准确地了解一只三极管类型、性能与参数,可用专门的测量仪器进行测试,但一般粗略判别三极管的类型和管脚,可直接通过三极管的型号简单判断,也可利用万用表测量方法判断.下面具体介绍其型号的意义及利用万用表的简单测量方法。1三极管型号的意义三极管型号的意义三极管的型号一般由五大部分组成,如3AX31A、3DG12B、3CG14G等。下面以3DG110B为例说明各部分的命名含义。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路(1)第一部分由数字组成，表示电极数。“3”代表三极管。(2)第二部分由字母组成，表示三极管的材料与类型。如A表示PNP型锗管，B表示NPN型锗管，C表示PNP型硅管，D表示NPN型硅管。(3)第三部分由字母组成，表示管子的类型，即表明管子的功能。(4)第四部分由数字组成,表示三极管的序号。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路(5)第五部分由字母组成,表示三极管的规格号。2三极管手册的查阅方法三极管手册的查阅方法1）三极管手册的基本内容(1)三极管的型号;(2)电参数符号说明;(3)主要用途;(4)主要参数。2）三极管手册的查阅方法（1）已知三极管的型号查阅其性能参数和使用范围。（2）根据使用要求选择三极管。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3判别三极管的管型和管脚(1）根据三极管外壳上的型号,初判其类型。(2）根据三极管的外形特点,初判其管脚(3）用万用表判别三极管的管脚及管型。基极的判别。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.10典型三极管的管脚排列图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.11三极管基极的测试半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路集电极和发射极的判别。具体测试方法如图2.12所示,图（a）、（b）为PNP管的测试图,图（c）为NPN管的测试图。根据硅管的发射结正向压降大于锗管的正向压降的特点,来判断其材料。一般常温下,锗管正向压降为0.20.3V,硅管的正向压降为0.60.7V。根据图2.13电路进行测量,由电压表的读数大小确定是硅管还是锗管。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.12三极管集电极、发射极的判别半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.13判断硅管和锗管的电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.14光电三极管的等效电路与电路符号(a)等效电路;(b)电路符号2.1.6特殊三极管简介特殊三极管简介1光电三极管光电三极管光电三极管也称光敏三极管，其等效电路和电路符号如图2.14所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.15光电耦合器电路符号(a)LED+光敏电阻；(b)LED+光电二极管(c)LED+光电三极管;(d)LED+光电池半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2光电耦合器光电耦合器光电耦合器是将发光二极管和光敏元件（光敏电阻、光电二极管、光电三极管、光电池等）组装在一起而形成的二端口器件,其电路符号如图2.15所示。它的工作原理是以光信号作为媒体将输入的电信号传送给外加负载,实现了电光电的传递与转换。光电耦合器主要用作高压开关、信号隔离器、电平匹配等电路中,起信号的传输和隔离作用。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.2放大电路的基本知识放大电路的基本知识2.2.1放大电路的基本概念放大电路的基本概念1放大的概念放大的概念所谓放大,从表面上看是将信号由小变大,实质上,放大的过程是实现能量转换的过程。三极管有三个电极,三极管对小信号实现放大作用时在电路中可有三种不同的连接方式（或称三种组态）,即共(发)射极接法、共集电极接法和共基极接法。这三种接法分别以发射极、集电极、基极作为输入回路和输出回路的公共端,而构成不同的放大电路,如图2.16(以NPN管为例)所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.16放大电路中三极管的三种连接方法(a)共(发)射极电路;(b)共集电极电路;(c)共基极电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2放大电路的组成及各元件的作用放大电路的组成及各元件的作用电路的组成如图2.17所示。图2.17基本共(发)射(极)放大电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路电路中各元件的作用如下:（1）集电极电源UCC:其作用是为整个电路提供能源,保证三极管的发射结正向偏置,集电结反向偏置。（2）基极偏置电阻Rb:其作用是为基极提供合适的偏置电流。（3）集电极电阻Rc:其作用是将集电极电流的变化转换成电压的变（4）耦合电容C1、C2:其作用是隔直流、通交流。（5）符号“”为接地符号,是电路中的零参考电位。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3放大电路中电压、放大电路中电压、电流的方向及符号规定电流的方向及符号规定1）电压、电流正方向的规定2）电压、电流符号的规定图2.18三极管基极的电流波形(a)直流分量;(b)交流分量;(c)总变化量半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路(1)直流分量。如图2.18(a)所示波形,用大写字母和大写下标表示。如IB表示基极的直流电流。(2)交流分量。如图2.18(b)所示波形,用小写字母和小写下标表示。如ib表示基极的交流电流。(3)总变化量。如图2.18(c)所示波形,是直流分量和交流分量之和,即交流叠加在直流上,用小写字母和大写下标表示。如iB表示基极电流总的瞬时值,其数值为iB=IB+ib。(4)交流有效值。用大写字母和小写下标表示。如Ib表示基极的正弦交流电流的有效值。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路4直流通路和交流通路直流通路和交流通路1）直流通路所谓直流通路,是指当输入信号ui=0时,在直流电源UCC的作用下,直流电流所流过的路径。在画直流通路时,电路中的电容开路,电感短路。图2.17所对应的直流通路如图2.19（a）所示。2）交流通路所谓交流通路,是指在信号源ui的作用下,只有交流电流所流过的路径。画交流通路时,放大电路中的耦合电容短路;由于直流电源UCC的内阻很小,对交流变化量几乎不半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路起作用,故可看作短路。图2.17所对应的交流通路如图2.19(b)所示。图2.19基本共射放大电路的交、直流通路(a)直流通路;(b)交流通路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.2.2放大电路的工作状态分析放大电路的工作状态分析1静态（静态（ui=0）工作情况）工作情况所谓静态,是指输入信号为零时放大电路的工作状态。静态分析的目的是通过直流通路分析放大电路中三极管的工作状态。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.20基本放大电路的静态情况(a)电路;(b)静态工作点Q半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2动态工作情况动态工作情况所谓动态,是指放大电路输入信号不为零时的工作状态。当放大电路加入交流信号ui时,电路中各电极的电压、电流都是由直流量和交流量叠加而成的。其波形如图2.21所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.21放大电路的动态工作情况半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路（2.1）（2.2）（2.3）（2.4）（2.5）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.3放大电路的失真现象分析放大电路的失真现象分析所谓失真,是指输出信号的波形与输入信号的波形不成比例的现象。1演示电路演示电路演示电路如图2.22所示。2演示过程演示过程(1）通过信号发生器产生一频率为1000Hz的正弦波信号ui,输入放大电路,调整ui的幅值和电位器RP,通过示波器在输出端可观察到最大不失真输出信号的波形,如图2.23（a）所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路(2）调节RP,使Rb减小,通过示波器在输出端可观察到2.23（b）所示的底部失真信号。(3）调节RP,使Rb增大,通过示波器在输出端可观察到2.23（c）所示的顶部失真信号。3现象分析1）底部失真半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.22演示电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.23通过示波器所观察到的输出波形半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.4放大电路的偏置分析放大电路的偏置分析放大电路只有设置了合适的静态工作点Q,才能不失真地放大交流信号。因此,设置直流偏置电路,是实现对交流信号放大的前提。放大电路中常见的直流偏置电路有以下几种。1固定偏置式电路固定偏置式电路1)电路组成如图2.24所示,+UCC经电阻Rb为发射结提供正偏电压,经电阻Rc为集电结提供反偏电压。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.24固定偏置式直流电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2)静态工作点的估算（2.6）（2.7）（2.8）（2.9）（2.10）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3)电路的特点固定偏置式电路结构简单,但静态工作点不稳定。例如当IBQ固定时,温度升高,值增大,ICQ增大,UCEQ减小,使Q点变化。2.分压式偏置电路分压式偏置电路1)电路组成2)静态工作点的估算半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.25分压偏置式直流电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2)静态工作点的估算（2.11）（2.12）（2.13）（2.14（2.15）3)Q点的稳定过程半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3.带有带有(发发)射极电阻射极电阻Re的固定偏置电路的固定偏置电路1)电路组成电路组成如图2.26所示。图2.26带有(发)射极电阻Re的固定偏置式直流电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2)Q点的估算由电路可得该电路与不带Re的固定偏置式电路相比,静态工作点较稳定。其稳定过程请读者自行分析。（2.16）（2.17）（2.18）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.5放大电路性能指标的估算放大电路性能指标的估算2.5.1放大电路的动态性能指标放大电路的动态性能指标放大电路放大的对象是变化量,研究放大电路时除了要保证放大电路具有合适的静态工作点外,更重要的是还要研究其放大性能。对于放大电路的放大性能有两个方面的要求:一是放大倍数要尽可能大;二是输出信号要尽可能不失真。衡量放大电路性能的重要指标有放大倍数、输入电阻ri和输出电阻ro。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1.放大倍数放大倍数电压放大倍数的定义为（2.19）（2.20）电流放大倍数的定义为2.输入电阻输入电阻ri如图2.27所示,放大电路的输入端可以用一个等效交流电阻ri来表示,它定义为（2.21）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.27放大电路的方框图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3.输出电阻输出电阻ro如图2.27所示,从放大电路输出端看,放大电路对于负载RL相当于一个信号源,该信号源的内阻就是放大电路的输出电阻,用ro表示,它定义为（2.22）2.5.2共发射极放大电路性能指标的估算共发射极放大电路性能指标的估算共发射极放大电路(简称共射放大电路)如图2.28所示。常用等效电路法来对放大电路基本性能指标Au、ri、ro进行定量估算。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1三极管的微变等效电路三极管的微变等效电路1)三极管基-(发)射极间的等效在图2.28（a）中,根据三极管的输入特性,当输入信号ui在很小范围内变化时,输入回路的电压uBE、电流iB在uCE为常数时,可认为其随ui的变化作线性变化,即三极管输入回路基极与发射极之间可用等效电阻rbe代替。其等效电路如图2.29（b）所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.28实用的共射放大电路（a）电路;（b）交流通路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.29三极管的微变等效电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2)三极管集(电)-(发)射极间的等效当三极管工作于放大区时,ic的大小只受ib控制,而与uCE无关,即实现了三极管的受控恒流特性,ic=ib。所以,当输入回路的ib给定时,三极管输出回路的集电极与发射极之间,可用一个大小为ib的理想受控电流源来等效,如图2.29(c)所示。（2.23）根据三极管输入回路结构分析,rbe的数值可以用下列公式计算:（2.24）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.放大电路的微变等效电路放大电路的微变等效电路把图2.28(b)所示交流通路中的三极管,用微变等效电路代换,则可得到放大电路的微变等效电路,如图2.30所示。下面我们以图2.28（a）所示电路为例,总结画放大电路微变等效电路的方法和步骤。(1）画出放大电路的交流通路如图2.28（b）所示。(2）用三极管的微变等效电路代替交流通路中的三极管,画出放大电路的微变等效电路,如图2.30(a)所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图2.30共射放大电路的微变等效电路(a)不考虑信号源内阻的等效电路；(b)考虑信号源内阻时的等效电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3共射放大电路基本动态参数的估算共射放大电路基本动态参数的估算1）电压放大倍数（1）求有载电压放大倍数Au。(2.25)（2.26）（2.27）式中“-”表示输入信号与输出信号相位反相。（2）求空载电压放大倍数Au。即不接负载RL,RL,半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路（2.28）2）输入电阻ri当Rbrbe时3）输出电阻ro在图2.30中,根据戴维南定理可得（3.30）半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第第5章章负反馈放大器负反馈放大器5.1负反馈的基本概念负反馈的基本概念5.2负反馈对放大器性能的影响负反馈对放大器性能的影响5.3深度负反馈放大电路的分析深度负反馈放大电路的分析半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路5.1反馈的基本概念反馈的基本概念1.什么是反馈什么是反馈将放大电路输出量（电压或电流）的一部分或全部,通过某些元件或网络（称为反馈网络）,反向送回到输入端,来影响原输入量（电压或电流）的过程称为反馈。有反馈的放大电路称为反馈放大电路,其组成框图如图5.1（a）所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图51反馈放大电路组成（a）反馈放大电路组成框图;（b）反馈放大电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.1（b）是一个具体的反馈放大电路。图中除了基本放大电路外,还有一条由Rf和R1组成的电路接在输入端和输出端之间,由于它将输出量反送到放大器输入端,因此称为反馈元件,或称反馈网络。ui、uf、uid和uo分别表示电路的输入电压、反馈电压、净输入电压和输出电压。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2反馈极性（正、负反馈）反馈极性（正、负反馈）在反馈放大电路中,反馈量使放大器净输入量得到增强的反馈称为正反馈,使净输入量减弱的反馈称为负反馈。通常采用“瞬时极性法”来区别是正反馈还是负反馈,具体方法如下:(1）假设输入信号某一瞬时的极性。(2）根据输入与输出信号的相位关系,确定输出信号和反馈信号的瞬时极性。(3）再根据反馈信号与输入信号的连接情况,分析净输入量的变化,如果反馈信号使净输入量增强,即为正反馈,反之为负反馈。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图52用瞬时极性法判断反馈极性的几个例子半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路3交流反馈与直流反馈交流反馈与直流反馈在放大电路中存在有直流分量和交流分量,若反馈信号是交流量，则称为交流反馈,它影响电路的交流性能;若反馈信号是直流量,则称为直流反馈,它影响电路的直流性能,如静态工作点。若反馈信号中既有交流量又有直流量,则反馈对电路的交流性能和直流性能都有影响。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图53具有不同反馈的电路（a）原电路;（b）直流通路;（c）交流通路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路4反馈电路的类型反馈电路的类型1）反馈在输出端的取样方式）反馈在输出端的取样方式从输出端看,若反馈信号取自输出电压,则为电压反馈；若取自输出电流,则为电流反馈。(1）电压反馈。在判断电压反馈时,根据电压反馈的定义反馈信号与输出电压成比例,可以假设将负载RL两端短路（uo=0,但io0）,判断反馈量是否为零,如果是零,就是电压反馈。图5.4所示电压反馈电路正是如此,RL短路uo=0uf=0。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路电压反馈的重要特性是能稳定输出电压。无论反馈信号是以何种方式引回到输入端,实际上都是利用输出电压本身通过反馈网络来对放大电路起自动调整作用的,这是电压反馈的实质。在图5.4电路中,若负载电阻增加引起uo的增加,则电路的自动调节过程如下:uoufuiduo半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图54电压反馈半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.5电流反馈半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路在判断电流反馈时,根据电流反馈的定义反馈信号与输出电流成比例,可以假设将负载RL两端开路（io=0,但uo0）,判断反馈量是零,就是电流反馈。图5.5所示电路正是如此,RL开路io=0if=0uf=0。电流反馈的重要特点是能稳定输出电流。无论反馈信号是以何种方式引回到输入端,实际都是利用输出电流io本身通过反馈网络来对放大器起自动调整作用的,这就是电流反馈的实质。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.5电路稳流的自动调节过程如下:iouf uidio由上述分析可知,判断电压反馈、电流反馈的简便方法是用负载短路法和负载开路法。由于输出信号只有电压和电流两种,输出端的取样不是取自输出电压便是输出电流,因此可利用其中一种方法就能判定。常用的方法是负载短路法,具体表述为:假设将负载L短路,即uo=0,此时若反馈量为零,就是电压反馈,否则为电流反馈。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）反馈在输入端的连接方式）反馈在输入端的连接方式电路如图5.6（a）所示,反馈网络的出口与信号源串联,因此称为串联反馈。在图5.6（b）中,反馈网络的出口与信号源并联,因此称为并联反馈。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.6串联接法和并联接法（a）串联负反馈;（b）并联负反馈半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路由上述分析可以看出,若反馈信号与信号源接在不同的端子上,即为串联反馈。若接在同一个端子上,则为并联反馈。根据输出端的取样方式和输入端的连接方式,可以组成四种不同类型的负反馈电路:(1)电压串联负反馈;(2)电压并联负反馈;(3)电流串联负反馈;(4)电流并联负反馈。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路5负反馈放大器的基本关系式负反馈放大器的基本关系式由图5.7所示负反馈放大器的方框图可得各信号量之间的基本关系式:（5.1）(5.2)(5.3)(5.4)半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路式（5.4）表明闭环增益Af是开环增益A的,小于A。其中,（1+AF）称为反馈深度,它的大小反映了反馈的强弱;乘积AF常称为环路增益。图5.7负反馈放大器的方框图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路5.2负反馈对放大器性能的影响负反馈对放大器性能的影响1减小非线性失真我们可以通过一个具体的电路演示来说明此问题。1）演示电路演示电路如图5.8所示。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2提高增益的稳定性提高增益的稳定性根据闭环增益方程求Af对A的导数，得即微分半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路闭环增益的相对变化量为（5.5）3扩展通频带扩展通频带图5.9开环与闭环的幅频特性半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路应当指出,由于负反馈的引入,在减小非线性失真的同时,降低了输出幅度。此外输入信号本身固有的失真,是不能用引入负反馈来改善的。4负反馈对输入电阻的影响负反馈对输入电阻的影响负反馈对输入电阻的影响,取决于反馈网络在输入端的连接方式。1）串联负反馈）串联负反馈图5.10（a）是串联负反馈电路的方框图。由图可知,开环放大器的输入电阻为半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路引入负反馈后,闭环输入电阻rif为（5.7）上式表明,引入串联负反馈后,输入电阻是无反馈时输入电阻的(1+AF)倍。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.10负反馈对输入电阻的影响（a）串联负反馈框图;（b）并联负反馈框图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2）并联负反馈）并联负反馈图5.10(b)是并联负反馈电路的方框图。由图可知,开环放大器的输入电阻为ri=ui/iid。引入负反馈后,闭环输入电阻rif为（5.8）可见，并联负反馈后输入电阻是无反馈时的 1/(1+AF)倍。5负反馈对输出电阻的影响负反馈对输出电阻的影响负反馈对输出电阻的影响,取决于反馈网络在输出端的取样量。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路1）电压负反馈）电压负反馈图5.11（a）是电压负反馈的方框图。对于负载RL来说,从输出端看进去,等效的输出电阻相当于原开环放大电路输出电阻与反馈网络的电阻并联,其结果必然使输出电阻减小。经分析,两者的关系为（5.9）即引入电压负反馈后的输出电阻是开环输出电阻的1/（1+AF）。显然是减小了。2）电流负反馈）电流负反馈图5.11（b）是电流负反馈的方框图。对于负载半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路RL来说,从输出端看进去,等效的输出电阻相当于原开环放大电路输出电阻与反馈网络的电阻串联,其结果必然使输出电阻增大。经分析,两者的关系为（5.10）即引入电流负反馈后的输出电阻是开环输出电阻的（1+AF）倍。显然是增大了。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图5.11负反馈对输出电阻的影响（a）电压负反馈方框图;（b）电流负反馈方框图半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路第第9章章直流稳压电源直流稳压电源9.1概述概述9.2硅稳压管稳压电路硅稳压管稳压电路9.3串联型稳压电路串联型稳压电路9.4三端集成稳压器三端集成稳压器9.5开关稳压电源开关稳压电源半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路9.1概概述述9.1.1演示电路演示电路1.演示电路演示电路如图9.1所示,T1为自耦变压器,T2为电源变压器,V1V4为整流二极管,C1为滤波电容,CW7812为三端稳压器,R和RP组成负载RL,两块电压表分别接在整流滤波电路的输出端及稳压电路的输出端。半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路图9.1直流稳压电源演示电路半导体二极管及其应用电路半导体二极管及其应用电路2.操作过程操作过程(1)负载电阻RL保持不变,调节自耦变压器在一定范围内220(110%)V变化,
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