尼曼-半导体物理与器件第十二章ppt课件

高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管高等半导体物理高等半导体物理与器件与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双双高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管1主要内容主要内容双极晶体管的工作原理双极晶体管的工作原理少子的分布少子的分布低低频共基极共基极电流增益流增益非理想效非理想效应等效等效电路模型路模型频率上限率上限大信号开关大信号开关小小结第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管1主要内容双极晶体管的工作原理主要内容双极晶体管的工作原理高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管2晶体管基本工作原理晶体管基本工作原理晶体管基本工作原理晶体管基本工作原理：在器件的两个端点之：在器件的两个端点之间施加施加电压，从而控制第三端的，从而控制第三端的电流。流。最基本的三种晶体管最基本的三种晶体管：双极晶体管、金属：双极晶体管、金属-氧化物氧化物-半半导体体场效效应晶体管、晶体管、结型型场效效应晶体管。晶体管。双极双极双极双极晶体管：在此器件中包含晶体管：在此器件中包含电子和空穴子和空穴两种极性两种极性不同不同的的载流子运流子运动。双极晶体管中双极晶体管中双极晶体管中双极晶体管中有有2个个pn结，结电压的正的正负情况可以有多种情况可以有多种组合，合，导致器件有不同的工作模式。致器件有不同的工作模式。是一种是一种电压控制的控制的电流源。流源。两种等效两种等效电路模型，适用于不同的情况。路模型，适用于不同的情况。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管2晶体管基本工作原理：在器件的两个端点之晶体管基本工作原理：在器件的两个端点之高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管312.1 双极晶体管的工作原理双极晶体管的工作原理三个三个掺杂不同的不同的扩散区、两个散区、两个pn结三端分三端分别为发射极（射极（E）、基极（）、基极（B）、集）、集电极极（C）相相对于少子于少子扩散散长度，度，基区基区宽度很小度很小发射区射区掺杂浓度最高度最高，集集电区区掺杂浓度最低度最低pn结的的结论将直接将直接应用于双极晶体管的研究用于双极晶体管的研究双极晶体管不是双极晶体管不是对称器件，包括称器件，包括掺杂浓度度和和几几何形状何形状第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管312.1 双极晶体管的工作原理双极晶体管的工作原理高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件4(a)npn型型(b)pnp型双极晶体管的简化结构图及电路符号型双极晶体管的简化结构图及电路符号(a)集成电路中的常规集成电路中的常规npn型双极晶体管型双极晶体管(b)氧化物隔离的氧化物隔离的npn型双极晶体管截面图型双极晶体管截面图第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管4(a)npn型型(b)pnp型双极晶体管的简化结构图及电路符型双极晶体管的简化结构图及电路符高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管5（1）基本工作原理）基本工作原理均匀掺杂的均匀掺杂的npn型双极晶体管的理想化掺杂浓度分布图型双极晶体管的理想化掺杂浓度分布图(a)npn型双极晶体管工作在正向有源区的偏置情况型双极晶体管工作在正向有源区的偏置情况(b)工作于正向有源区，工作于正向有源区，npn型型双极晶体管中少子的分布双极晶体管中少子的分布(c)零偏和正向有源区时，零偏和正向有源区时，npn型双极晶体管的能带图型双极晶体管的能带图图中显示了正向有源模式下电子从图中显示了正向有源模式下电子从n型发射区注入（因此称为型发射区注入（因此称为发发射区射区）和电子在集电区被收集（因此称为）和电子在集电区被收集（因此称为集电区集电区）的截面图）的截面图B-E结正偏结正偏，B-C结反偏结反偏（正向有源模式正向有源模式）-共基共基B-E结正偏结正偏：电子从发射区越过发射结：电子从发射区越过发射结注入到基区；注入到基区；B-C结反偏结反偏：理想情况下：理想情况下B-C结边界处，结边界处，少子电子的浓度为零。少子电子的浓度为零。图图(b)中电子浓度梯度标明：发射区注入中电子浓度梯度标明：发射区注入的电子会越过基区扩散到的电子会越过基区扩散到B-C结的空间结的空间电荷区，那里的电场会把电子扫到集电电荷区，那里的电场会把电子扫到集电区。区。为了使尽可能多的电子到达集电区，而为了使尽可能多的电子到达集电区，而不是和基区多子空穴复合；与少子电子不是和基区多子空穴复合；与少子电子扩散长度相比，扩散长度相比，基区宽度必须很小基区宽度必须很小。当基区宽度很小时，少子当基区宽度很小时，少子电子浓度是电子浓度是B-E结电压和结电压和B-C结电压的函数结电压的函数。两个结距离很近两个结距离很近互作用互作用pn结结。npn型双极晶体管的横截面图型双极晶体管的横截面图第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管5（1）基本工作原理均匀掺杂的）基本工作原理均匀掺杂的npn型双型双高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件6（2）晶体管电流的简化表达式）晶体管电流的简化表达式短基区短基区第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管理理想想情情况况下下，基基区区少少子子电电子子浓浓度度是是基基区区宽宽度度的的线线性性函函数数，表表明明没没有有复复合合发发生生。电电子子扩扩散散过过基基区区，后后被被B-C结结空空间间电电荷荷区区电电场场扫扫入集电区入集电区。6（2）晶体管电流的简化表达式短基区第十二章）晶体管电流的简化表达式短基区第十二章 双极晶体管理想双极晶体管理想高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件7集电极电流：扩散电流集电极电流：扩散电流晶体管晶体管基本工作原理基本工作原理：器件：器件一端的电流一端的电流由加到由加到另外两端的电压另外两端的电压控制控制集电极电流集电极电流基极和发射基极和发射极间的电压极间的电压第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管7集电极电流：扩散电流晶体管基本工作原理：器件一端的电流由加集电极电流：扩散电流晶体管基本工作原理：器件一端的电流由加高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件8发射极电流：发射极电流：称为称为共基极电流增益共基极电流增益。该增益尽可能接近。该增益尽可能接近1 1。总的发射极电流为：总的发射极电流为：一部分一部分电流是发射区注入基区的电子电流，即电流是发射区注入基区的电子电流，即iC。另一部分另一部分电流是正偏电流是正偏B-E结电流，即结电流，即iE2。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管8发射极电流：发射极电流：称为共基极电流增益。该增益尽可能接近称为共基极电流增益。该增益尽可能接近1。总的。总的高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件9基极电流：基极电流：为共共发射极射极电流增益流增益，其，其值远大于大于1（数量（数量级为100或更大）。或更大）。总的基极电流为：总的基极电流为：一部分一部分电流电流iBa是是B-E结电流，即结电流，即iE2。另一部分另一部分是基区空穴复合电流，记为即是基区空穴复合电流，记为即iBb。直接依赖于基区中少子电子的数量。直接依赖于基区中少子电子的数量。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管9基极电流：基极电流：为共发射极电流增益，其值远大于为共发射极电流增益，其值远大于1（数量级为（数量级为10高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管10（3）工作模式）工作模式B-E反偏反偏，B-C反偏反偏：截止截止。B-E正偏正偏，B-C反偏反偏：正向有正向有源区源区。B-E正偏正偏，B-C正偏正偏：饱和饱和。B-E反偏反偏，B-C正偏正偏：反向有反向有源区源区。共射共射第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管10（3）工作模式）工作模式B-E反偏，反偏，B-C反反高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件11双双极极晶晶体体管管和和其其他他元元件件相相连，可可实现电压、电流放大。流放大。正正向向有有源源区区，电压增增益益，电压放大器放大器共射共射第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管（4）双极晶体管放大）双极晶体管放大电路路11双极晶体管和其他元件相连，可实现电压、电流放大。共射第十双极晶体管和其他元件相连，可实现电压、电流放大。共射第十高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管1212.2 少子的分布少子的分布双极晶体管的电流是由双极晶体管的电流是由少子的扩散少子的扩散决定的。决定的。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管1212.2 少子的分布双极晶体管的电流少子的分布双极晶体管的电流高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件13（1）正向有源模式：）正向有源模式：B-E结正偏，正偏，B-C结反偏反偏均匀掺杂均匀掺杂npn双极晶体管。双极晶体管。单独考虑每个区域时，将起点移到空间电荷区边界，采用正单独考虑每个区域时，将起点移到空间电荷区边界，采用正的坐标值。的坐标值。中性集电区长度中性集电区长度比集电区内少子扩散长度大得多。比集电区内少子扩散长度大得多。中性发射区中性发射区有限长，假设有限长，假设x=xE处处表面复合速率表面复合速率无限大，即此无限大，即此处过剩少子浓度为零。处过剩少子浓度为零。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管13（1）正向有源模式：）正向有源模式：B-E结正偏，结正偏，B-C结反偏均匀掺杂结反偏均匀掺杂n高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件14基区基区稳态下，稳态下，过剩少子过剩少子电子电子浓度浓度可通过可通过双极输运方程双极输运方程得到。得到。中性区，电场为零，无过剩载流子产生，稳态下输运方程中性区，电场为零，无过剩载流子产生，稳态下输运方程通解表示为通解表示为B-E结正偏结正偏边界条件：边界条件：B-C结反偏结反偏通过通过线性近似线性近似得：得：第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管14基区通解表示为基区通解表示为B-E结正偏边界条件：结正偏边界条件：B-C结反偏通过线结反偏通过线高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件15发射区发射区同样，使用稳态下过剩少子的双极输运方程同样，使用稳态下过剩少子的双极输运方程通解表示为通解表示为B-E结正偏结正偏边界条件：边界条件：x=xE处，表面复合速度无限大处，表面复合速度无限大通过通过线性近似线性近似得：得：第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管15发射区通解表示为发射区通解表示为B-E结正偏边界条件：结正偏边界条件：x=xE处，表处，表高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件16集电区集电区稳态下过剩少子输运方程稳态下过剩少子输运方程通解表示为通解表示为集电区无限长集电区无限长边界条件：边界条件：B-C结反偏结反偏集电区过剩少子浓度：集电区过剩少子浓度：第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管16集电区通解表示为集电区无限长边界条件：集电区通解表示为集电区无限长边界条件：B-C结反偏集电结反偏集电高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件17第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管17第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管18（2）其他工作模式）其他工作模式（a）截截止止：B-E结结，B-C结结均均反反偏偏，空空间间电电荷荷区区边界少子浓度均为零。边界少子浓度均为零。（b）饱饱和和：B-E结结，B-C结结均均正正偏偏，空空间间电电荷荷区区边界存在过剩少子。边界存在过剩少子。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管18（2）其他工作模式（）其他工作模式（a）截止：）截止：B-E高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件19反反向向有有源源区区：B-E结结反反偏偏，B-C结正偏。结正偏。与与正正向向有有源源区区中中的的发发射射极、集电极极、集电极电流反向电流反向。由由于于B、E区区相相对对掺掺杂杂浓浓度度和和B、C区区相相对对掺掺杂杂浓浓度度不不同同，非非几几何何对对称称，两者的特性大不相同。两者的特性大不相同。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管19反向有源区：反向有源区：B-E结反偏，结反偏，B-C结正偏。第十二章结正偏。第十二章 双极晶双极晶高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件2012.3 低低频共基极共基极电流增益流增益npn型晶体管，正向有源区，粒子流密度和粒子流成分型晶体管，正向有源区，粒子流密度和粒子流成分从发射区注入到基区中的电子流从发射区注入到基区中的电子流到达集电区的电子流到达集电区的电子流从基区注入发从基区注入发射区的空穴流射区的空穴流正偏正偏B-E结结空间电荷区空间电荷区复合电子流复合电子流反偏反偏B-C结空间电结空间电荷区产生空穴流荷区产生空穴流B-C结的反结的反向饱和电流向饱和电流基区复合时需要基区复合时需要补充的空穴流补充的空穴流第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管2012.3 低频共基极电流增益低频共基极电流增益npn型晶体管，正向有源区，型晶体管，正向有源区，高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件21流入基区补充因复流入基区补充因复合而消失合而消失 的空穴流的空穴流发射区发射区x=0处少处少子空穴扩散电流子空穴扩散电流正偏正偏B-E结中载结中载流子复合电流流子复合电流基区基区x=0处少子处少子电子扩散电流电子扩散电流基区基区x=xB处少子处少子电子扩散电流电子扩散电流反偏反偏B-C结中结中产生电流产生电流反偏反偏B-C结结饱和电流饱和电流第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管21流入基区补充因复合而消失流入基区补充因复合而消失 的空穴流发射区的空穴流发射区x=0处少子空处少子空高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件22小信号或是正弦信号的共基极电流增益小信号或是正弦信号的共基极电流增益发射极注入效率系数发射极注入效率系数基区输运系数基区输运系数复合系数复合系数考虑了考虑了发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响发射区中的少子空穴扩散电流对电流增益的影响。考虑了考虑了基区中过剩少子电子的复合的影响基区中过剩少子电子的复合的影响。考虑了考虑了正偏正偏B-E结中的复合的影响结中的复合的影响。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管22小信号或是正弦信号的共基极电流增益发射极注入效率系数基区小信号或是正弦信号的共基极电流增益发射极注入效率系数基区高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管2312.4 非理想效非理想效应（1）基区）基区宽度度调制效制效应（厄（厄尔利效利效应）B-C结反偏电压增加结反偏电压增加B-C结空间电荷区宽结空间电荷区宽度增加度增加基区扩散区宽度减小基区扩散区宽度减小少子浓度梯度增加少子浓度梯度增加集电极电流增加集电极电流增加第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管2312.4 非理想效应（非理想效应（1）基区宽度调）基区宽度调高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管24IC受受VBE控制，因此两者有一对应关系控制，因此两者有一对应关系理想情况下，理想情况下，Ic与与VBC无关（上图中曲线斜率为零）无关（上图中曲线斜率为零）由于存在基区宽度调制效应，上图中曲线倾斜由于存在基区宽度调制效应，上图中曲线倾斜厄尔利电压（厄尔利电压（|VA|），描述晶体管特性一共有参数），描述晶体管特性一共有参数制造误差引起窄基区晶体管制造误差引起窄基区晶体管xB变化，导致变化，导致IC变化变化第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管24IC受受VBE控制，因此两者有一对应关控制，因此两者有一对应关高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管25（2）大注入效）大注入效应大注入晶体管发生两种效应大注入晶体管发生两种效应发射极注入效率会降低发射极注入效率会降低基基区区过过剩剩少少子子浓浓度度和和集集电电极极电电流随流随B-E结电压增大的速度变缓结电压增大的速度变缓发射极注入效率系数发射极注入效率系数左图为小注入和大注入时，左图为小注入和大注入时，基区中少子和多子浓度基区中少子和多子浓度实线实线为小注入，为小注入，虚线虚线为大注入为大注入B B第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管25（2）大注入效应大注入晶体管发生两种）大注入效应大注入晶体管发生两种高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管26小电流小电流时增益较小：时增益较小：复合系数较小复合系数较小大电流大电流时增益下降：时增益下降：大注入效应的影响大注入效应的影响第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管26小电流时增益较小：复合系数较小小电流时增益较小：复合系数较小高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管27基区过剩少子浓度和集电极电流随基区过剩少子浓度和集电极电流随B-E结电压增大的速度变缓结电压增大的速度变缓小注入基区空间电荷区边界处小注入基区空间电荷区边界处则则大注入大注入np(0)、pp(0)基本处于同一量级基本处于同一量级同同pn结二极管中的串联电阻效应近似结二极管中的串联电阻效应近似第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管27基区过剩少子浓度和集电极电流随基区过剩少子浓度和集电极电流随B-E高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管28（3）发射区禁射区禁带变窄窄发射区发射区掺杂很高掺杂很高时，由于禁带变窄效应，使电流增益比预期小。时，由于禁带变窄效应，使电流增益比预期小。发射区掺杂浓度对基区掺杂浓度比值增加，发射极注入效率会发射区掺杂浓度对基区掺杂浓度比值增加，发射极注入效率会增加并接近于增加并接近于1。第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管28（3）发射区禁带变窄发射区掺杂很高时）发射区禁带变窄发射区掺杂很高时高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管29（4）电流集流集边效效应基区宽度很小（典型值基区宽度很小（典型值1微米）微米）基区电阻相当大基区电阻相当大导致发射区下存在横向电势差导致发射区下存在横向电势差相对于中心，较多电子从边缘注入相对于中心，较多电子从边缘注入发射极电流集中在边缘发射极电流集中在边缘第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管29（4）电流集边效应基区宽度很小（典型）电流集边效应基区宽度很小（典型高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管30（6）击穿穿电压两种两种击穿机制：穿机制：穿通穿通随着反偏随着反偏B-C结电压的增加，的增加，B-C空空间电荷区荷区宽度度扩展展进中性基区中，中性基区中，B-C结耗尽区穿透基区到耗尽区穿透基区到达达B-E结。雪崩雪崩击穿穿第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管30（6）击穿电压两种击穿机制：）击穿电压两种击穿机制：高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3112.5 等效等效电路模型路模型（1）E-M模型：适用于任何模式模型：适用于任何模式E-M模型中定义的电流模型中定义的电流方向、电压极性方向、电压极性基本基本E-M模型等效电路模型等效电路第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3112.5 等效电路模型（等效电路模型（1）E-M模模高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管32（2）G-P模型模型与与E-M模型相比，考模型相比，考虑了更多的物理特性，可用于了更多的物理特性，可用于分析分析基区基区为非均匀非均匀掺杂的情况。的情况。（3）H-P模型模型小信号，线性放大电路，正向有源区小信号，线性放大电路，正向有源区H-P等效电路等效电路第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管32（2）G-P模型与模型与E-M模型相比，考模型相比，考高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3312.6 频率上限率上限（1）延）延时因子因子双极晶体管是一种双极晶体管是一种时间渡越器件渡越器件发射区到集射区到集电区的区的总时间常数可由常数可由4个相互独立的个相互独立的时间常数常数组成成（2）晶体管截止）晶体管截止频率率电流增益是流增益是频率的函数率的函数 截止截止频率率f：共基极：共基极电流增益幅流增益幅值变为其低其低频值的的0.707时的的频率率截止截止频率率fT：共：共发射极射极电流增益的幅流增益的幅值为1时的的频率率截止截止频率率f：共：共发射极射极电流增益幅流增益幅值下降到其低下降到其低频值的的0.707时的的频率率第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3312.6 频率上限（频率上限（1）延时因子）延时因子高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3412.7 大信号开关大信号开关（1）开关特性）开关特性（a）研究晶体管开）研究晶体管开关特性所用的电路关特性所用的电路（b）驱动晶体管的基极输入）驱动晶体管的基极输入（c）晶体管工作状态转换过）晶体管工作状态转换过程中集电极电流随时间的变化程中集电极电流随时间的变化轻微正偏轻微正偏延迟时间延迟时间B-C反偏，下降时间反偏，下降时间上升时间上升时间存储时间存储时间第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管3412.7 大信号开关（大信号开关（1）开关特性（）开关特性（高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管35（2）肖特基）肖特基钳位晶体管位晶体管（a）肖特）肖特基钳位晶体基钳位晶体管管（b）电路符号）电路符号减小存储时间、提高晶体管转换速度的一种常用方法减小存储时间、提高晶体管转换速度的一种常用方法一个普通一个普通npn型晶体管，加一个肖特基二极管（基极、集电极间）型晶体管，加一个肖特基二极管（基极、集电极间）正向有源区，正向有源区，B-C结反偏，肖特基二极管反偏，不起作用，普通晶体管结反偏，肖特基二极管反偏，不起作用，普通晶体管饱和区，饱和区，B-C结正偏，肖特基二极管正偏（结正偏，肖特基二极管正偏（开启电压小开启电压小），），减小存储时间减小存储时间第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管35（2）肖特基钳位晶体管（）肖特基钳位晶体管（a）肖特基钳）肖特基钳高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管36小小 结双极晶体管的基本工作原理，互作用双极晶体管的基本工作原理，互作用pn结4种工作模式，正向有源区的少子分布情况种工作模式，正向有源区的少子分布情况几个非理想效几个非理想效应：基区基区宽度度调制、大注入、制、大注入、发射区禁射区禁带变窄、窄、电流集流集边、击穿机制穿机制三种等效模型，主要适用范三种等效模型，主要适用范围截止截止频率、开关特性率、开关特性第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管36小小 结双极晶体管的基本工作原理，互结双极晶体管的基本工作原理，互高等半导体物理与器件高等半导体物理与器件第十二章第十二章 双极晶体管双极晶体管谢谢 谢！第十二章谢！第十二章 双极晶体管双极晶体管