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会计学1模拟电子技术非官方模拟电子技术非官方第第4章章 半导体二极管和三极管半导体二极管和三极管 n n 内容主要有：内容主要有：内容主要有：内容主要有：n n半导体的导电性能半导体的导电性能半导体的导电性能半导体的导电性能n nPNPN结的形成及单向导电性结的形成及单向导电性结的形成及单向导电性结的形成及单向导电性n n半半半半导导导导体体体体器器器器件件件件的的的的结结结结构构构构、工工工工作作作作原原原原理理理理、工作特性工作特性工作特性工作特性、参数参数参数参数n n 半导体器件半导体器件半导体器件半导体器件主要包括：主要包括：主要包括：主要包括：n n半导体半导体半导体半导体二极管二极管二极管二极管（包括稳压管）（包括稳压管）（包括稳压管）（包括稳压管）n n三极管三极管三极管三极管和场效应管和场效应管和场效应管和场效应管第1页/共158页4.1 PN结结 1.1.半导体半导体半导体半导体半导体的物理特性半导体的物理特性半导体的物理特性半导体的物理特性n n物质根据其导电性能分为物质根据其导电性能分为物质根据其导电性能分为物质根据其导电性能分为n n 导体：导电能力导体：导电能力导体：导电能力导体：导电能力良好良好良好良好的物质。的物质。的物质。的物质。n n 绝缘体：导电能力绝缘体：导电能力绝缘体：导电能力绝缘体：导电能力很差很差很差很差的物质。的物质。的物质。的物质。n n 半半半半导导导导体体体体：是是是是一一一一种种种种导导导导电电电电能能能能力力力力介介介介于于于于导导导导体体体体和和和和绝绝绝绝缘缘缘缘体体体体之之之之 间间间间的的的的物物物物质质质质，如如如如硅硅硅硅、锗锗锗锗、硒硒硒硒、砷砷砷砷化化化化镓镓镓镓及及及及一一一一些些些些硫硫硫硫化化化化物物物物和和和和氧氧氧氧化物化物化物化物。第2页/共158页 半导体的物理特性半导体的物理特性半导体的物理特性半导体的物理特性n n半导体的导电能力具有独特的性质。半导体的导电能力具有独特的性质。半导体的导电能力具有独特的性质。半导体的导电能力具有独特的性质。n n温温温温度度度度升升升升高高高高时时时时，纯纯纯纯净净净净的的的的半半半半导导导导体体体体的的的的导电能力显著增加；导电能力显著增加；导电能力显著增加；导电能力显著增加；n n在在在在纯纯纯纯净净净净半半半半导导导导体体体体材材材材料料料料中中中中加加加加入入入入微微微微量量量量的的的的“杂杂杂杂质质质质”元元元元素素素素，它它它它的的的的电电电电导导导导率率率率就就就就会成千上万倍地增长；会成千上万倍地增长；会成千上万倍地增长；会成千上万倍地增长；n n纯纯纯纯净净净净的的的的半半半半导导导导体体体体受受受受到到到到光光光光照照照照时时时时，导导导导电能力明显提高。电能力明显提高。电能力明显提高。电能力明显提高。n n半导体为什么具有以上的导电性质？半导体为什么具有以上的导电性质？半导体为什么具有以上的导电性质？半导体为什么具有以上的导电性质？第3页/共158页半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构 n n原子的组成：原子的组成：原子的组成：原子的组成：n n 带正电的原子核带正电的原子核带正电的原子核带正电的原子核n n 若干个围绕原子核运动的带负电的电子若干个围绕原子核运动的带负电的电子若干个围绕原子核运动的带负电的电子若干个围绕原子核运动的带负电的电子n n 且整个原子呈电中性。且整个原子呈电中性。且整个原子呈电中性。且整个原子呈电中性。n n半导体器件的材料：半导体器件的材料：半导体器件的材料：半导体器件的材料：n n 硅硅硅硅（Silicon-SiSilicon-Si）：四四四四价价价价元元元元素素素素，硅硅硅硅的的的的原原原原子子子子序序序序数数数数是是是是1414，外层有，外层有，外层有，外层有4 4个电子个电子个电子个电子。n n 锗锗锗锗（Germanium-GeGermanium-Ge）：也也也也是是是是四四四四价价价价元元元元素素素素，锗锗锗锗的的的的原原原原子子子子序数是序数是序数是序数是3232，外层也是，外层也是，外层也是，外层也是4 4个电子个电子个电子个电子。第4页/共158页n n简化原子结构模型如图简化原子结构模型如图简化原子结构模型如图简化原子结构模型如图4 4-1(-1(a a)的简化形式。的简化形式。的简化形式。的简化形式。+4惯性核惯性核价电子价电子图图4-1(a)硅和锗的简化原子模型硅和锗的简化原子模型半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构 第5页/共158页n n单晶半导体结构特点单晶半导体结构特点单晶半导体结构特点单晶半导体结构特点n n共共共共价价价价键键键键:由由由由相相相相邻邻邻邻两两两两个个个个原原原原子子子子各各各各拿拿拿拿出出出出一一一一个个个个价价价价电电电电子子子子组成价电子对所构成的联系。组成价电子对所构成的联系。组成价电子对所构成的联系。组成价电子对所构成的联系。n n图图图图4 4-1(-1(b b)是晶体共价键结构的平面示意图。是晶体共价键结构的平面示意图。是晶体共价键结构的平面示意图。是晶体共价键结构的平面示意图。半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构 第6页/共158页图图4-1(b)晶体共价键结构平面示意图晶体共价键结构平面示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4共共 价价键键半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构半导体的晶体结构 第7页/共158页2.2.2.2.半导体的导电原理半导体的导电原理半导体的导电原理半导体的导电原理 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体（Intrinsic SemiconductorIntrinsic Semiconductor）n n 纯纯纯纯净净净净的的的的、结结结结构构构构完完完完整整整整的的的的单单单单晶晶晶晶半半半半导导导导体体体体，称称称称为本征半导体。为本征半导体。为本征半导体。为本征半导体。n n物物物物质质质质导导导导电电电电能能能能力力力力的的的的大大大大小小小小取取取取决决决决于于于于其其其其中中中中能能能能参参参参与与与与导导导导电的粒子电的粒子电的粒子电的粒子载流子的多少。载流子的多少。载流子的多少。载流子的多少。第8页/共158页 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体n n本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体在在在在绝绝绝绝对对对对零零零零度度度度（T T=0=0K K相相相相当当当当于于于于T T=273273）时，）时，）时，）时，相当于绝缘体相当于绝缘体相当于绝缘体相当于绝缘体。n n在在在在室室室室温温温温条条条条件件件件下下下下，本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体便便便便具具具具有有有有一一一一定的导电能力。定的导电能力。定的导电能力。定的导电能力。第9页/共158页n n半导体半导体半导体半导体中的中的中的中的载流子载流子载流子载流子n n自由电子自由电子自由电子自由电子n n空穴（空穴（空穴（空穴（HoleHole）n n 空空空空穴穴穴穴和和和和自自自自由由由由电电电电子子子子同同同同时时时时参参参参加加加加导导导导电电电电，是是是是半半半半导体的重要特点导体的重要特点导体的重要特点导体的重要特点n n价价价价电电电电子子子子挣挣挣挣脱脱脱脱共共共共价价价价键键键键的的的的束束束束缚缚缚缚成成成成为为为为自自自自由由由由电电电电子子子子的的的的同同同同时时时时，在在在在原原原原来来来来的的的的共共共共价价价价键键键键位位位位置置置置上上上上留留留留下下下下了了了了一一一一个个个个空位，这个空位叫做空位，这个空位叫做空位，这个空位叫做空位，这个空位叫做空穴空穴空穴空穴。n n空穴带空穴带空穴带空穴带正电荷正电荷正电荷正电荷。本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体第10页/共158页n n在在在在本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中，激激激激发发发发出出出出一一一一个个个个自自自自由由由由电电电电子子子子，同同同同时时时时便便便便产产产产生生生生一一一一个个个个空空空空穴穴穴穴。电电电电子子子子和和和和空空空空穴穴穴穴总总总总是是是是成成成成对对对对地产生，称为地产生，称为地产生，称为地产生，称为电子空穴对电子空穴对电子空穴对电子空穴对。n n半半半半导导导导体体体体中中中中共共共共价价价价键键键键分分分分裂裂裂裂产产产产生生生生电电电电子子子子空空空空穴穴穴穴对对对对的的的的过过过过程叫做程叫做程叫做程叫做本征激发本征激发本征激发本征激发（Intrinsic ExcitationIntrinsic Excitation）。）。）。）。n n产产产产生生生生本本本本征征征征激激激激发发发发的的的的条条条条件件件件：加加加加热热热热、光光光光照照照照及及及及射射射射线线线线照射照射照射照射。n n空穴是载流子吗？空穴是载流子吗？空穴是载流子吗？空穴是载流子吗？本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体第11页/共158页n n空空空空穴穴穴穴的的的的运运运运动动动动实实实实质质质质上上上上是是是是价价价价电电电电子子子子填填填填补补补补空空空空穴穴穴穴而而而而形形形形成的。成的。成的。成的。BA空穴空穴自由电子自由电子图图4-1(b)晶体共价键结构平面示意图晶体共价键结构平面示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4C共价键共价键 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体第12页/共158页n n由由由由于于于于空空空空穴穴穴穴带带带带正正正正电电电电荷荷荷荷，且且且且可可可可以以以以在在在在原原原原子子子子间间间间移移移移动，因此，动，因此，动，因此，动，因此，空穴是一种载流子空穴是一种载流子空穴是一种载流子空穴是一种载流子。n n半半半半导导导导体体体体中中中中有有有有两两两两种种种种载载载载流流流流子子子子：自自自自由由由由电电电电子子子子载载载载流流流流子子子子（简简简简称称称称电电电电子子子子）和和和和空空空空穴穴穴穴载载载载流流流流子子子子（简简简简称称称称空空空空穴穴穴穴），它们均可在电场作用下形成电流。），它们均可在电场作用下形成电流。），它们均可在电场作用下形成电流。），它们均可在电场作用下形成电流。本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体第13页/共158页n n半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，半导体由于热激发而不断产生电子空穴对，那么，电子空穴对是否会越来越多，电子那么，电子空穴对是否会越来越多，电子那么，电子空穴对是否会越来越多，电子那么，电子空穴对是否会越来越多，电子和空穴浓度是否会越来越大呢？和空穴浓度是否会越来越大呢？和空穴浓度是否会越来越大呢？和空穴浓度是否会越来越大呢？n n实验表明，在实验表明，在实验表明，在实验表明，在一定的温度一定的温度一定的温度一定的温度下，电子浓度和下，电子浓度和下，电子浓度和下，电子浓度和空穴浓度都保持一个空穴浓度都保持一个空穴浓度都保持一个空穴浓度都保持一个定值定值定值定值。n n半导体中存在半导体中存在半导体中存在半导体中存在n n1.1.1.1.载流子的产生过程载流子的产生过程载流子的产生过程载流子的产生过程n n2.2.2.2.载流子的复合过程载流子的复合过程载流子的复合过程载流子的复合过程 本征半导体本征半导体本征半导体本征半导体第14页/共158页综上所述：综上所述：n n(1)(1)半半半半导导导导体体体体中中中中有有有有两两两两种种种种载载载载流流流流子子子子：自自自自由由由由电电电电子子子子和和和和空穴，空穴，空穴，空穴，电子带负电电子带负电电子带负电电子带负电，空穴带正电空穴带正电空穴带正电空穴带正电。n n(2)(2)本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中，电电电电子子子子和和和和空空空空穴穴穴穴总总总总是是是是成成成成对对对对地产生，地产生，地产生，地产生，n ni i =p pi i。n n(3)(3)半半半半导导导导体体体体中中中中，同同同同时时时时存存存存在在在在载载载载流流流流子子子子的的的的产产产产生生生生和和和和复合过程。复合过程。复合过程。复合过程。第15页/共158页 杂质半导体杂质半导体杂质半导体杂质半导体n n本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体的的的的电电电电导导导导率率率率很很很很小小小小，而而而而且且且且受受受受温温温温度度度度和和和和光光光光照照照照等等等等条条条条件件件件影影影影响响响响甚甚甚甚大大大大，不不不不能能能能直直直直接接接接用用用用来来来来制制制制造造造造半导体器件。半导体器件。半导体器件。半导体器件。n n本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体的的的的物物物物理理理理性性性性质质质质：纯纯纯纯净净净净的的的的半半半半导导导导体体体体中中中中掺入微量元素，导电能力显著提高。掺入微量元素，导电能力显著提高。掺入微量元素，导电能力显著提高。掺入微量元素，导电能力显著提高。n n掺入的微量元素掺入的微量元素掺入的微量元素掺入的微量元素“杂质杂质杂质杂质”。n n“杂质杂质杂质杂质”半导体。半导体。半导体。半导体。第16页/共158页n n常用的杂质元素常用的杂质元素常用的杂质元素常用的杂质元素n n三价三价三价三价的硼、铝、铟、镓的硼、铝、铟、镓的硼、铝、铟、镓的硼、铝、铟、镓n n五价五价五价五价的砷、磷、锑的砷、磷、锑的砷、磷、锑的砷、磷、锑n n通通通通过过过过控控控控制制制制掺掺掺掺入入入入的的的的杂杂杂杂质质质质元元元元素素素素的的的的种种种种类类类类和和和和数数数数量量量量来来来来制制制制成各种各样的半导体器件。成各种各样的半导体器件。成各种各样的半导体器件。成各种各样的半导体器件。n n杂质半导体分为：杂质半导体分为：杂质半导体分为：杂质半导体分为：N N型型型型半导体和半导体和半导体和半导体和P P型型型型半导体。半导体。半导体。半导体。杂质半导体杂质半导体杂质半导体杂质半导体第17页/共158页 N N型半导体型半导体型半导体型半导体n n在在在在本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中加加加加入入入入微微微微量量量量的的的的五五五五价价价价元元元元素素素素，可可可可使使使使半半半半导导导导体体体体中中中中自自自自由由由由电电电电子子子子浓浓浓浓度度度度大大大大为为为为增增增增加加加加，形成形成形成形成N N型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。n n掺掺掺掺入入入入的的的的五五五五价价价价杂杂杂杂质质质质原原原原子子子子占占占占据据据据晶晶晶晶格格格格中中中中某某某某些些些些硅（或锗）原子的位置。如图硅（或锗）原子的位置。如图硅（或锗）原子的位置。如图硅（或锗）原子的位置。如图4 4-2-2所示。所示。所示。所示。第18页/共158页图图4-2 N型半导体晶体结构示意图型半导体晶体结构示意图+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键共价键l掺入五价原子掺入五价原子 N N型半导体型半导体型半导体型半导体l掺入五价掺入五价原子占据原子占据Si原子位置原子位置在在室室温温下下就就可可以以激激发发成成自由电子自由电子第19页/共158页n n杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。杂质半导体中仍有本征激发产生的少量电子空穴对。n n自由自由自由自由电子电子电子电子的数目高的数目高的数目高的数目高，故故故故导电导电导电导电能力显著提高能力显著提高能力显著提高能力显著提高。n n把把把把这这这这种种种种半半半半导导导导体体体体称称称称为为为为N N型型型型半半半半导导导导体体体体，其其其其中中中中的的的的电电电电子子子子称称称称为为为为多多多多数数数数载载载载流流流流子子子子（简简简简称称称称多多多多子子子子），空空空空穴穴穴穴称称称称为为为为少少少少数数数数载载载载流流流流子子子子（简简简简称称称称少子）。少子）。少子）。少子）。n n在在在在N N型型型型半半半半导导导导体体体体中中中中自自自自由由由由电电电电子子子子数数数数等等等等于于于于正正正正离离离离子子子子数数数数和和和和空空空空穴穴穴穴数数数数之之之之和和和和，自自自自由由由由电电电电子子子子带带带带负负负负电电电电，空空空空穴穴穴穴和和和和正正正正离离离离子子子子带带带带正正正正电电电电，整整整整块块块块半导体中正负电荷量相等，保持电中性。半导体中正负电荷量相等，保持电中性。半导体中正负电荷量相等，保持电中性。半导体中正负电荷量相等，保持电中性。N N型半导体型半导体型半导体型半导体第20页/共158页 P P型半导体型半导体型半导体型半导体n n在在在在本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中加加加加入入入入微微微微量量量量的的的的三三三三价价价价元元元元素素素素，可可可可使使使使半半半半导体中的空穴浓度大为增加，形成导体中的空穴浓度大为增加，形成导体中的空穴浓度大为增加，形成导体中的空穴浓度大为增加，形成P P型半导体。型半导体。型半导体。型半导体。空位空位A图图4-3 P型半导体型半导体晶体结构示意图晶体结构示意图+4+4+4+4+4+3+4+4+4共共 价价键键空位吸引邻近空位吸引邻近原子的价电子填原子的价电子填充，从而留下一充，从而留下一个空穴。个空穴。在在P型半导体型半导体中，空穴数等于中，空穴数等于负离子数与自由负离子数与自由电子数之和，空电子数之和，空穴带正电，负离穴带正电，负离子和自由电子带子和自由电子带负电，整块半导负电，整块半导体中正负电荷量体中正负电荷量相等，保持电中相等，保持电中性。性。第21页/共158页综上所述：综上所述：n n(1)(1)本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中加加加加入入入入五五五五价价价价杂杂杂杂质质质质元元元元素素素素，便便便便形形形形成成成成N N型型型型半半半半导导导导体体体体。N N型型型型半半半半导导导导体体体体中中中中，电电电电子子子子是是是是多多多多数数数数载载载载流流流流子子子子，空空空空穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。穴是少数载流子，此外还有不参加导电的正离子。n n(2)(2)本本本本征征征征半半半半导导导导体体体体中中中中加加加加入入入入三三三三价价价价杂杂杂杂质质质质元元元元素素素素，便便便便形形形形成成成成P P型型型型半半半半导导导导体体体体。其其其其中中中中空空空空穴穴穴穴是是是是多多多多数数数数载载载载流流流流子子子子，电电电电子子子子是是是是少少少少数数数数载载载载流子，此外还有不参加导电的负离子。流子，此外还有不参加导电的负离子。流子，此外还有不参加导电的负离子。流子，此外还有不参加导电的负离子。n n(3)(3)杂杂杂杂质质质质半半半半导导导导体体体体中中中中，多多多多子子子子浓浓浓浓度度度度决决决决定定定定于于于于杂杂杂杂质质质质浓浓浓浓度度度度，少少少少子由本征激发产生，其浓度与温度有关。子由本征激发产生，其浓度与温度有关。子由本征激发产生，其浓度与温度有关。子由本征激发产生，其浓度与温度有关。第22页/共158页 载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动载流子的漂移运动和扩散运动 漂移运动（漂移运动（漂移运动（漂移运动（Drift MovementDrift Movement）n n有有有有电电电电场场场场力力力力作作作作用用用用时时时时，电电电电子子子子和和和和空空空空穴穴穴穴便便便便产产产产生生生生定定定定向向向向运运运运动动动动，称为漂移运动。，称为漂移运动。，称为漂移运动。，称为漂移运动。n n漂移运动产生的电流称为漂移电流。漂移运动产生的电流称为漂移电流。漂移运动产生的电流称为漂移电流。漂移运动产生的电流称为漂移电流。第23页/共158页 扩散扩散扩散扩散运动运动运动运动n n由由由由于于于于浓浓浓浓度度度度差差差差而而而而引引引引起起起起的的的的定定定定向向向向运运运运动动动动称称称称为为为为扩扩扩扩散散散散运运运运动动动动（Diffusion Diffusion MovementMovement），载载载载流流流流子子子子扩扩扩扩散散散散运动所形成的电流称为运动所形成的电流称为运动所形成的电流称为运动所形成的电流称为扩散电流扩散电流扩散电流扩散电流。n n扩扩扩扩散散散散是是是是由由由由浓浓浓浓度度度度差差差差引引引引起起起起的的的的，所所所所以以以以扩扩扩扩散散散散电电电电流流流流的的的的大小与载流子的浓度梯度成正比。大小与载流子的浓度梯度成正比。大小与载流子的浓度梯度成正比。大小与载流子的浓度梯度成正比。第24页/共158页3.PN3.PN结的形成结的形成结的形成结的形成 n nPNPN结：结：结：结：是是是是指指指指在在在在P P型型型型半半半半导导导导体体体体和和和和N N型型型型半半半半导导导导体体体体的的的的交交交交界界界界处处处处形形形形成的空间电荷区。成的空间电荷区。成的空间电荷区。成的空间电荷区。n nPNPN结是构成多种半导体器件的结是构成多种半导体器件的结是构成多种半导体器件的结是构成多种半导体器件的基础基础基础基础。二二二二极极极极管管管管的的的的核核核核心心心心是是是是一一一一个个个个PNPN结结结结；三三三三极极极极管管管管中中中中包包包包含了含了含了含了两个两个两个两个PNPN结结结结。第25页/共158页n n浓度差引起载流子的扩散。浓度差引起载流子的扩散。浓度差引起载流子的扩散。浓度差引起载流子的扩散。3.PN3.PN结的形成结的形成结的形成结的形成 l扩散的结果形成自建电场。扩散的结果形成自建电场。空间电荷区也称作空间电荷区也称作“耗尽区耗尽区”“势垒势垒区区”第26页/共158页n n自建电场阻止扩散，加强漂移。自建电场阻止扩散，加强漂移。自建电场阻止扩散，加强漂移。自建电场阻止扩散，加强漂移。l动态平衡。动态平衡。扩散扩散=漂移漂移3.PN3.PN结的形成结的形成结的形成结的形成 第27页/共158页4.4.4.4.PNPN结的特性结的特性结的特性结的特性 PNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性 PNPN结外加正向电压结外加正向电压结外加正向电压结外加正向电压l如图所示，电源的正如图所示，电源的正极接极接P区，负极接区，负极接N区，区，这种接法叫做这种接法叫做PN结加正结加正向电压或正向偏置向电压或正向偏置。第28页/共158页 PNPN结外加正向电压结外加正向电压结外加正向电压结外加正向电压n nPNPN结结结结外外外外加加加加正正正正向向向向电电电电压压压压时时时时（P P正正正正、N N负负负负），空空空空间间间间电荷区变窄电荷区变窄电荷区变窄电荷区变窄。n n不大的正向电压，产生相当大的正向电流。不大的正向电压，产生相当大的正向电流。不大的正向电压，产生相当大的正向电流。不大的正向电压，产生相当大的正向电流。n n外加电压的微小变化，扩散电流变化较大。外加电压的微小变化，扩散电流变化较大。外加电压的微小变化，扩散电流变化较大。外加电压的微小变化，扩散电流变化较大。第29页/共158页 PNPN结外加反向电压结外加反向电压结外加反向电压结外加反向电压 n n如如如如图图图图所所所所示示示示，电电电电源源源源的的的的正正正正极极极极接接接接N N区区区区，负负负负极极极极接接接接P P区区区区，这这这这种种种种接接接接法法法法叫叫叫叫做做做做PNPN结结结结加加加加反反反反向向向向电电电电压压压压或或或或反反反反向偏置向偏置向偏置向偏置。第30页/共158页 PN结外加反向电压结外加反向电压 n n流流流流过过过过PNPN结结结结的的的的电电电电流流流流主主主主要要要要是是是是少少少少子子子子的的的的漂漂漂漂移移移移决决决决定定定定的的的的，称为称为称为称为PNPN结的结的结的结的反向电流。反向电流。反向电流。反向电流。PN结的反向电流很小，而且与反向电压的大小结的反向电流很小，而且与反向电压的大小基本无关。基本无关。PN结表现为很大的电阻，称之结表现为很大的电阻，称之截止。截止。第31页/共158页n nPNPN结结结结加加加加反反反反向向向向电电电电压压压压时时时时，空空空空间间间间电电电电荷荷荷荷区区区区变变变变宽宽宽宽，自自自自建电场增强，多子的扩散电流近似为零。建电场增强，多子的扩散电流近似为零。建电场增强，多子的扩散电流近似为零。建电场增强，多子的扩散电流近似为零。n n反反反反向向向向电电电电流流流流很很很很小小小小，它它它它由由由由少少少少数数数数载载载载流流流流子子子子形形形形成成成成，与与与与少子浓度成正比。少子浓度成正比。少子浓度成正比。少子浓度成正比。n n少少少少子子子子的的的的值值值值与与与与外外外外加加加加电电电电压压压压无无无无关关关关，因因因因此此此此反反反反向向向向电电电电流流流流的的的的大大大大小小小小与与与与反反反反向向向向电电电电压压压压大大大大小小小小基基基基本本本本无无无无关关关关，故故故故称称称称为为为为反向饱和电流。反向饱和电流。反向饱和电流。反向饱和电流。n n温温温温度度度度升升升升高高高高时时时时，少少少少子子子子值值值值迅迅迅迅速速速速增增增增大大大大，所所所所以以以以PNPN结结结结的反向电流受温度影响很大的反向电流受温度影响很大的反向电流受温度影响很大的反向电流受温度影响很大。PNPN结外加反向电压结外加反向电压结外加反向电压结外加反向电压 第32页/共158页结论结论：n nPNPN结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性结的单向导电性：PNPN结结结结加加加加正正正正向向向向电电电电压压压压产产产产生生生生大大大大的的的的正正正正向向向向电电电电流流流流，PNPN结导电。结导电。结导电。结导电。PNPN结结结结加加加加反反反反向向向向电电电电压压压压产产产产生生生生很很很很小小小小的的的的反反反反向向向向饱饱饱饱和和和和电电电电流，流，流，流，近似为零，近似为零，近似为零，近似为零，PNPN结不导电结不导电结不导电结不导电。第33页/共158页 PN PN结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性 n n定定定定量量量量描描描描绘绘绘绘PNPN结结结结两两两两端端端端电电电电压压压压和和和和流流流流过过过过结结结结的的的的电电电电流流流流的的的的关关关关系系系系的曲线的曲线的曲线的曲线PNPN结的伏安特性。结的伏安特性。结的伏安特性。结的伏安特性。n n根据理论分析，根据理论分析，根据理论分析，根据理论分析，PNPN结的伏安特性方程为结的伏安特性方程为结的伏安特性方程为结的伏安特性方程为外加电压外加电压流过流过PN结结的电流的电流电子电荷量电子电荷量q=1.610-19C反向饱和电流反向饱和电流绝对温度绝对温度(K)玻耳兹曼常数玻耳兹曼常数k=1.3810-23J/K自然对数的底自然对数的底第34页/共158页 PNPN结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性 n n令令令令 在常温下，在常温下，T=300K，则则当当U大于大于UT数倍数倍即正向电流随正向电压的增加以指数即正向电流随正向电压的增加以指数规律迅速增大。规律迅速增大。第35页/共158页 PNPN结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性结的伏安特性 n n外加反向电压时，外加反向电压时，外加反向电压时，外加反向电压时，U U为负值，当为负值，当为负值，当为负值，当|U U|比比比比U UT T大几倍时，大几倍时，大几倍时，大几倍时，IIS即加反向电压时，即加反向电压时，PN结只流过很小的反向饱和结只流过很小的反向饱和电流。电流。第36页/共158页 PN结的伏安特性结的伏安特性 n n曲曲曲曲线线线线ODOD段段段段表表表表示示示示PNPN结结结结正正正正向向向向偏偏偏偏置置置置时时时时的的的的伏伏伏伏安安安安特特特特性，性，性，性，称为正向特性称为正向特性称为正向特性称为正向特性；n n曲曲曲曲线线线线OBOB段段段段表表表表示示示示PNPN结结结结反反反反向向向向偏偏偏偏置置置置时时时时的的的的伏伏伏伏安安安安特特特特性，称为性，称为性，称为性，称为反向特性反向特性反向特性反向特性。U（mV）I（mA）0图图4-5 PN结的理论伏安特性结的理论伏安特性DT=25B-IS（V）255075100(uA)0.511.52l画出画出PN结的理论伏安特结的理论伏安特性曲线。性曲线。第37页/共158页 PNPN结的结的结的结的反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿 n n加加加加大大大大PNPN结结结结的的的的反反反反向向向向电电电电压压压压到到到到某某某某一一一一值值值值时时时时，反反反反向向向向电电电电流流流流突突突突然然然然剧剧剧剧增增增增，这这这这种种种种现现现现象象象象称称称称为为为为PNPN结结结结击击击击穿穿穿穿，发发发发生生生生击击击击穿穿穿穿所所所所需需需需的的的的电电电电压压压压称称称称为为为为击击击击穿穿穿穿电压电压电压电压，如图所示。，如图所示。，如图所示。，如图所示。n n反反反反向向向向击击击击穿穿穿穿的的的的特特特特点点点点：反反反反向向向向电电电电压压压压增增增增加加加加很很很很小小小小，反反反反向向向向电电电电流流流流却却却却急急急急剧剧剧剧增增增增加。加。加。加。UBRU（V）I（mA）0图图4-6 PN结反向击穿结反向击穿第38页/共158页 雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿雪崩击穿n n由由由由倍倍倍倍增增增增效效效效应应应应引引引引起起起起的的的的击击击击穿穿穿穿：当当当当PNPN结结结结外外外外加加加加的的的的反反反反向向向向电电电电压压压压增增增增加加加加到到到到一一一一定定定定数数数数值值值值时时时时，空空空空间间间间电电电电荷荷荷荷数数数数目目目目较较较较多多多多，自自自自建建建建电电电电场场场场很很很很强强强强，使使使使流流流流过过过过PNPN结结结结的的的的少少少少子子子子漂漂漂漂移移移移速速速速度度度度加加加加快快快快，可可可可获获获获得得得得足足足足够够够够大大大大的的的的动动动动能能能能，它它它它们们们们与与与与PNPN结结结结中中中中的的的的中中中中性性性性原原原原子子子子碰碰碰碰撞撞撞撞时时时时，能能能能把把把把价价价价电电电电子子子子从从从从共共共共价价价价建建建建中中中中碰碰碰碰撞撞撞撞出出出出来来来来，产产产产生生生生新新新新的的的的电电电电子空穴对。子空穴对。子空穴对。子空穴对。n n雪雪雪雪崩崩崩崩击击击击穿穿穿穿通通通通常常常常发发发发生生生生在在在在掺掺掺掺杂杂杂杂浓浓浓浓度度度度较较较较低低低低的的的的PNPN结中。结中。结中。结中。第39页/共158页 齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿齐纳击穿 n n强电场强电场强电场强电场破坏共价健破坏共价健破坏共价健破坏共价健引起的。引起的。引起的。引起的。n n齐齐齐齐纳纳纳纳击击击击穿穿穿穿通通通通常常常常发发发发生生生生在在在在掺掺掺掺杂杂杂杂浓浓浓浓度度度度较较较较高高高高的的的的PNPN结中。结中。结中。结中。n n雪崩击穿和齐纳击穿均为电击穿。雪崩击穿和齐纳击穿均为电击穿。雪崩击穿和齐纳击穿均为电击穿。雪崩击穿和齐纳击穿均为电击穿。第40页/共158页 PNPN结的电容效应结的电容效应结的电容效应结的电容效应 n n除了单向导电性之外，除了单向导电性之外，除了单向导电性之外，除了单向导电性之外，PNPN结还存在电容效应。结还存在电容效应。结还存在电容效应。结还存在电容效应。n n 势垒电容势垒电容势垒电容势垒电容C CB B 多多多多子子子子的的的的充充充充放放放放电电电电引引引引起起起起的的的的。是是是是指指指指外外外外加加加加电电电电压压压压的的的的变变变变化化化化导导导导致致致致空空空空间间间间电电电电荷荷荷荷区区区区存存存存储储储储电电电电荷荷荷荷的的的的变变变变化化化化，从从从从而而而而显示出电容效应。几皮法显示出电容效应。几皮法显示出电容效应。几皮法显示出电容效应。几皮法 几百皮法。几百皮法。几百皮法。几百皮法。n n 扩散电容扩散电容扩散电容扩散电容C CD D 多多多多子子子子的的的的积积积积累累累累引引引引起起起起的的的的。是是是是指指指指PNPN结结结结两两两两侧侧侧侧积积积积累累累累的的的的非非非非平平平平衡衡衡衡载载载载流流流流子子子子数数数数量量量量随随随随外外外外加加加加电电电电压压压压改改改改变变变变所所所所产产产产生生生生的电容效应的电容效应的电容效应的电容效应。第41页/共158页 PN结的电容效应结的电容效应n nPNPN结结结结的的的的电电电电容容容容很很很很小小小小，是是是是针针针针对对对对高高高高频频频频交交交交流流流流小小小小信信信信号号号号而考虑。而考虑。而考虑。而考虑。n nPNPN结结结结反反反反向向向向工工工工作作作作时时时时，势势势势垒垒垒垒电电电电容容容容起起起起主主主主要要要要作作作作用用用用，正正正正向向向向工工工工作作作作时时时时扩扩扩扩散散散散电电电电容容容容起起起起主主主主要要要要作作作作用用用用。PNPN结结结结的面积增大时，的面积增大时，的面积增大时，的面积增大时，PNPN结的电容也增大。结的电容也增大。结的电容也增大。结的电容也增大。第42页/共158页4.2 半导体二极管半导体二极管1.1.半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型n n在在在在PNPN结结结结上上上上加加加加上上上上引引引引线线线线和和和和封封封封装装装装，就就就就成成成成为为为为一一一一个个个个二二二二极极极极管管管管。二二二二极极极极管管管管按按按按结结结结构构构构分分分分有有有有点点点点接接接接触触触触型型型型、面面面面接接接接触触触触型型型型和和和和平平平平面面面面型型型型三大类。三大类。三大类。三大类。n n(1)(1)点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管点接触型二极管 PN结面积小，结结面积小，结电容小，用于检波和电容小，用于检波和变频等高频电路。变频等高频电路。(a)(a)点接触型点接触型 二极管的结构示意图二极管的结构示意图第43页/共158页1.1.半导体二极管的结构和类型半导体二极管的结构和类型 PN结面积大，用于工结面积大，用于工频大电流整流电路。频大电流整流电路。(c)(c)平面型平面型 往往用于集成电往往用于集成电路制造中。路制造中。PN 结面积结面积可大可小，用于高频整可大可小，用于高频整流和开关电路中。流和开关电路中。n(3)平面型二极管平面型二极管n(2)面接触型二极管面接触型二极管n(4)二极管的代表符号二极管的代表符号(b)(b)面接触型面接触型阳极阳极阴极阴极第44页/共158页半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片第45页/共158页半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片第46页/共158页半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片半导体二极管图片第47页/共158页2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性 n n二极管的伏安特性的测出二极管的伏安特性的测出二极管的伏安特性的测出二极管的伏安特性的测出。VmAVDRRW（a）测正向特性）测正向特性VmAVDRRW（b）测反向特性）测反向特性第48页/共158页2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性n二极管的伏安特性曲线可用下式表示二极管的伏安特性曲线可用下式表示uD(a)二极管理论伏安特性二极管理论伏安特性CDoBAUBRiD（b）2CP10-20的伏安特性曲的伏安特性曲线线iD（mA）uD（V）012-100-20020406080-20-10-30（uA）7520（c）2AP15的伏安特性曲线的伏安特性曲线iD（mA）uD（V）00.4-40-80204080-0.2-0.1-0.3600.8第49页/共158页 正向特性正向特性正向特性正向特性n n死区电压死区电压死区电压死区电压：硅管：硅管：硅管：硅管 0.5V0.5V 锗管锗管锗管锗管 0.1V0.1Vn n线性区线性区线性区线性区：硅管：硅管：硅管：硅管 0.6V0.6V1V1V 锗管锗管锗管锗管 0.2V0.2V0.5V 0.5V n n对温度变化敏感：对温度变化敏感：对温度变化敏感：对温度变化敏感：n n温度升高温度升高温度升高温度升高正向特性曲线左移正向特性曲线左移正向特性曲线左移正向特性曲线左移n n温度每升高温度每升高温度每升高温度每升高11正向压降正向压降正向压降正向压降n n减小约减小约减小约减小约2mV2mV。2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性正向特性正向特性(a)二极管理论伏安特性二极管理论伏安特性CDoBAUBRuDiD第50页/共158页2.2.二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性二极管的伏安特性 反向特性反向特性反向特性反向特性n n反向电流：很小。反向电流：很小。反向电流：很小。反向电流：很小。硅管硅管硅管硅管 0.10.1微安微安微安微安 锗管锗管锗管锗管 几十个微安几十个微安几十个微安几十个微安n n受温度影响大：受温度影响大：受温度影响大：受温度影响大：温度每升高温度每升高温度每升高温度每升高1010 反向电流增加约反向电流增加约反向电流增加约反向电流增加约1 1倍。倍。倍。倍。反向击穿特性反向击穿特性反向击穿特性反向击穿特性n n反向击穿反向击穿反向击穿反向击穿U UBRBR:几十伏以上。几十伏以上。几十伏以上。几十伏以上。反向击穿特性反向击穿特性反向特性反向特性(a)二极管理论伏安特性二极管理论伏安特性CDoBAUBRuDiD第51页/共158页3.3.二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数二极管的主要参数n n 最大整流电流最大整流电流最大整流电流最大整流电流I IF Fn n 最大反向工作电压最大反向工作电压最大反向工作电压最大反向工作电压U UR Rn n 反向电流反向电流反向电流反向电流I I I IR R R Rn n 最高工作频率最高工作频率最高工作频率最高工作频率f fMM第52页/共158页4.4.二极管的等效电路及应用二极管的等效电路及应用二极管的等效电路及应用二极管的等效电路及应用 n n二二二二极极极极管管管管特特特特性性性性曲曲曲曲线线线线的的的的非非非非线线线线性性性性，给给给给二二二二极极极极管管管管电电电电路路路路的的的的分分分分析析析析带带带带来来来来一一一一定定定定困困困困难难难难。为为为为了了了了简简简简化化化化分分分分析析析析，常常常常常常常常要要要要做做做做一一一一些些些些近近近近似似似似处处处处理理理理，可可可可用用用用某某某某些些些些线线线线性性性性电电电电路路路路元元元元件件件件来来来来等等等等效效效效二二二二极极极极管管管管，画画画画出二极管的等效电路。出二极管的等效电路。出二极管的等效电路。出二极管的等效电路。n n最常用的近似方法有二种。最常用的近似方法有二种。最常用的近似方法有二种。最常用的近似方法有二种。第53页/共158页 理想二极管等效电路理想二极管等效电路理想二极管等效电路理想二极管等效电路uDiDoDK理想二极管等效电路理想二极管等效电路n n如如果果二二极极管管导导通通时时的的正正向向压压降降远远远远小小于于和和它它串串联联的的电电压压，二二极极管管截截止止时时的的反反向向电电流流远远远远小小于于与与之之并并联联的的电电流流，则则可可以以忽忽略略二二极极管管的的正正向向压压降降和和反反向向电电流流，把把二二极极管管理理想想化为一个开关，如图所示。化为一个开关，如图所示。第54页/共158页 考虑正向压降的等效电路考虑正向压降的等效电路考虑正向压降的等效电路考虑正向压降的等效电路n n在在在在二二二二极极极极管管管管充充充充分分分分导导导导通通通通且且且且工工工工作作作作电电电电流流流流不不不不是是是是很很很很大大大大时时时时，二二二二极极极极管管管管的的的的正正正正向向向向压压压压降降降降U UD D变变变变化化化化不不不不大大大大（例例例例如如如如硅硅硅硅管管管管约约约约为为为为0.60.8V0.60.8V），因因因因此此此此近近近近似似似似认认认认为为为为二二二二极极极极管管管管正正正正向向向向导导导导通通通通时时时时有有有有一一一一个个个个固固固固定定定定的的的的管管管管压压压压降降降降U UD D（硅硅硅硅管管管管取取取取0.7V0.7V，锗锗锗锗管管管管取取取取0.2V0.2V），于于于于是是是是可可可可用用用用一一一一固固固固定定定定电电电电压压压压源源源源来来来来等等等等效正向导通的二极管。效正向导通的二极管。效正向导通的二极管。效正向导通的二极管。n n当当当当外外外外加加加加电电电电压压压压U U 0时时，二二极极管管Dl、D3导导通通，相相当当于于开开关关闭闭合合；D2、D4截截止止，相相当当于于开开关关断断开开，如如图图(b)所所示示。因因此此输输出出电电压压uO=u。uo+_u+_RLD4D2 D1D3ioAB（a）uuo+_RLD4D2 D1D3ioAB（b）+-二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法二极管电路的分析方法第59页/共158页n n当当当当u u 00且且且且u u U UR R+U UD D时时时时，二二二二极极极极管管管管D D导导导导通通通通，开开开开关关关关闭闭闭闭合合合合，输输输输出出出出电电电电压压压压U UOO =U UR R十十十十U UD D。n n当当当当u u 5mA 5mA时，时，时，时，r rZ Z继续下降，但变化不很明显。继续下降，但变化不很明显。继续下降，但变化不很明显。继续下降，但变化不很明显。I(mA)04812164812rZ()2CW1 稳压管rZI曲线5.稳压二极管稳压二极管第73页/共158页稳定电流稳定电流稳定电流稳定电流I IZ Zn n稳稳稳稳定定定定电电电电流流流流I IZ Z是是是是稳稳稳稳压压压压管管管管工工工工作作作作时时时时的的的的参参参参考考考考电电电电流流流流数数数数值值值值，手手手手册册册册上上上上给给给给出出出出的的的的稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压和和和和动动动动态态态态电电电电阻阻阻阻都都都都是指在这个电流下的值。是指在这个电流下的值。是指在这个电流下的值。是指在这个电流下的值。n n工工工工作作作作电电电电流流流流若若若若小小小小于于于于稳稳稳稳定定定定电电电电流流流流I IZ Z，则则则则r rZ Z增增增增大大大大，稳稳稳稳压性能较差；压性能较差；压性能较差；压性能较差；n n工工工工作作作作电电电电流流流流若若若若大大大大于于于于稳稳稳稳定定定定电电电电流流流流，r rZ Z减减减减小小小小，稳稳稳稳压压压压性性性性能能能能较较较较好好好好，但但但但是是是是要要要要注注注注意意意意管管管管子子子子的的的的功功功功率率率率损损损损耗耗耗耗不不不不要超出允许值。要超出允许值。要超出允许值。要超出允许值。5.稳压二极管稳压二极管第74页/共158页额定功耗额定功耗额定功耗额定功耗P PZMZMn nP PZMZM是由管子允许温升限定的最大功率损耗。是由管子允许温升限定的最大功率损耗。是由管子允许温升限定的最大功率损耗。是由管子允许温升限定的最大功率损耗。n n如如如如果果果果已已已已知知知知管管管管子子子子的的的的稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压值值值值，那那那那么么么么额额额额定定定定功功功功耗耗耗耗除除除除以以以以稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压就就就就是是是是该该该该稳稳稳稳压压压压管管管管允允允允许许许许的的的的最最最最大大大大稳稳稳稳定定定定电电电电流流流流I IZMZM=P PZMZM/U UZ Z。超超超超过过过过这这这这个个个个电电电电流流流流使使使使用用用用，就可能损坏管子。就可能损坏管子。就可能损坏管子。就可能损坏管子。n n例例例例如如如如2CWl2CWl的的的的额额额额定定定定功功功功耗耗耗耗P PZM ZM=280mW=280mW，U UZ Z =8.5V8.5V，则最大稳定电流，则最大稳定电流，则最大稳定电流，则最大稳定电流I IZMZM=280/8.533mA=280/8.533mA。5.稳压二极管稳压二极管第75页/共158页电压温度系数电压温度系数电压温度系数电压温度系数n n温温温温度度度度变变变变化化化化1 1时时时时，稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压变变变变化化化化的的的的百百百百分分分分数数数数，定定定定义义义义为为为为电电电电压压压压温温温温度度度度系系系系数数数数。它它它它是是是是表表表表示示示示稳稳稳稳压压压压管管管管温温温温度度度度稳稳稳稳定性的参数。定性的参数。定性的参数。定性的参数。n n例例例例如如如如2CWl2CWl的的的的电电电电压压压压温温温温度度度度系系系系数数数数是是是是0.07%/0.07%/，假假假假设设设设2020时时时时稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压U UZ Z=8V8V，那那那那么么么么5050时时时时稳稳稳稳压压压压值值值值将为将为将为将为5.稳压二极管稳压二极管第76页/共158页n n电压电压电压电压温度系数越小温度系数越小温度系数越小温度系数越小，温度，温度，温度，温度稳定性越好稳定性越好稳定性越好稳定性越好。n n通通通通常常常常，稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压U UZ Z低低低低于于于于4V4V的的的的管管管管子子子子，温温温温度度度度系系系系数数数数是是是是负负负负的的的的（齐齐齐齐纳纳纳纳击击击击穿穿穿穿），高高高高于于于于6V6V的的的的管管管管子子子子，温温温温度度度度系系系系数数数数是是是是正正正正的的的的（雪雪雪雪崩崩崩崩击击击击穿穿穿穿），而而而而稳稳稳稳定定定定电电电电压压压压在在在在4V6V4V6V左左左左右右右右的的的的管管管管子子子子，温温温温度度度度系系系系数数数数最最最最小小小小，接近于零。接近于零。接近于零。接近于零。n n所所所所以以以以，要要要要求求求求温温温温度度度度稳稳稳稳定定定定性性性性较较较较高高高高的的的的场场场场合合合合常常常常选选选选用用用用6V6V左右的管子左右的管子左右的管子左右的管子。5.稳压二极管稳压二极管第77页/共158页n n为为为为了了了了制制制制造造造造温温温温度度度度系系系系数数数数小小小小的的的的管管管管子子子子，可可可可采采采采取取取取温温温温度度度度补补补补偿偿偿偿措措措措施施施施。例例例例如如如如2DW72DW7系系系系列列列列的的的的稳稳稳稳压压压压管管管管就就就就是是是是这这这这种种种种管管管管子子子子，它它它它是是是是由由由由二二二二个个个个稳稳稳稳压压压压值值值值相相相相同同同同的的的的管管管管子子子子反反反反向向向向串串串串联联联联起起起起来来来来的的的的，如如如如图所示。图所示。图所示。图所示。123具有温度补偿的稳压管图具有温度补偿的稳压管图n工作时一个管子处于工作时一个管子处于正向，有负温度系数，正向，有负温度系数，另一个管子处于反向，另一个管子处于反向，有正温度系数，二者互有正温度系数，二者互相补偿，将相补偿，将1、2两端的两端的电压温度系数减到很小电压温度系数减到很小的程度。的程度。5.稳压二极管稳压二极管第78页/共158页稳压管的应用电路稳压管的应用电路稳压管的应用电路稳压管的应用电路n n为为为为了了了了限限限限制制制制稳稳稳稳压压压压管管管管击击击击穿穿穿穿以以以以后后后后的的的的电电电电流流流流，使使使使用用用用时时时时必须在电路中串联电阻如图所示。必须在电路中串联电阻如图所示。必须在电路中串联电阻